ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 26.06.2024
Просмотров: 78
Скачиваний: 0
20
7.Изменить величину Iб(Uбэ) нажатием клавиши R.
8.Изменяя нажатием клавиши Z напряжение Uкэ, снять выходную характеристику транзистора (Iк = f(Uкэ)) при неизменной величине Iб. Данные занести в табл. 2.1.
Таблица 2.1
№ |
Входные характеристики |
Выходные характеристики |
|||||||
Uкэ = |
|
Uкэ = |
|
Iб = |
|
Iб = |
|
||
опыта |
|
|
|
|
|||||
Iб |
Uбэ |
Iб |
Uбэ |
Iк |
Uкэ |
Iк |
Uкэ |
||
|
|||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9. Нажатием клавиши 2 подать напряжение на схему включения транзистора с общим эмиттером, представленную на рис 2.2.
Iэ |
Iк |
Uэб
Uкб
Рис. 2.2. Схема включения транзистора с общей базой
10.Изменяя нажатием клавиши R напряжение Uэб, снять входную характеристику транзистора (Iэ = f(Uэб)) при неизменной величине Uкб. Данные занести в табл. 2.2.
11.Изменить Uкб нажатием клавиши Z.
12.Изменяя нажатием клавиши R напряжение Uэб, снять входную характеристику транзистора (Iэ = f(Uэб)) при неизменной величине Uкб. Данные занести в табл. 2.2.
21
13.Изменяя нажатием клавиши Z напряжение Uкб, снять выходную характеристику транзистора (Iк = f(Uкб)) при неизменной величине Iэ. Данные занести в табл. 2.2.
14.Изменить величину Iэ(Uэб) нажатием клавиши R.
15.Изменяя нажатием клавиши Z напряжение Uкб, снять выходную характеристику транзистора (Iк = f(Uкб)) при неизменной величине Iэ. Данные занести в табл. 2.2.
Таблица 2.2
№ |
Входные характеристики |
Выходные характеристики |
|||||||
Uкб = |
|
Uкб = |
|
Iэ = |
|
Iэ = |
|
||
опыта |
|
|
|
|
|||||
Iэ |
Uэб |
Iэ |
Uэб |
Iк |
Uкб |
Iк |
Uкб |
||
|
|||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16. Нажатием клавиши 3 подать напряжение на схему включения полевого транзистора с общим истоком, представленную на рис 2.3.
Iз |
Iс |
Uзи Ucи
Рис. 2.3. Схема включения транзистора с общим истоком
17.Изменяя нажатием клавиши R напряжение Uзи снять переходную (стоко-затворную) характеристику транзистора (Iс = f(Uзи)) при неизменной величине Uси. Данные занести в табл. 2.3.
18.Изменить Uси нажатием клавиши Z.
19.Изменяя нажатием клавиши R напряжение Uзи, снять входную характеристику транзистора (Iс = f(Uзи)) при неизменной величине Uси.
22
Данные занести в табл. 2.3.
20.Изменяя нажатием клавиши Z напряжение Uси, снять выходную (стоковую) характеристику транзистора (Iс = f(Uси)) при неизменной величине Uзи. Данные занести в табл. 2.3.
21.Изменить величину Uзи нажатием клавиши R.
22.Изменяя нажатием клавиши Z напряжение Uси, снять выходную (стоковую) характеристику транзистора (Iс = f(Uси)) при неизменной величине Uзи. Данные занести в табл. 2.3.
23.Отключить схему нажатием тумблера в верхнем правом углу
экрана.
Таблица 2.3
№ |
Переходные характеристики |
Выходные характеристики |
|||||||
Uси = |
|
Uси = |
|
Uзи = |
|
Uзи = |
|
||
опыта |
|
|
|
|
|||||
Iс |
Uзи |
Iс |
Uзи |
Iс |
Uси |
Iс |
Uси |
||
|
|||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
24.По данным табл. 2.1 построить входные и выходные характеристики для схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
25.По данным табл. 2.2 построить входные и выходные характеристики для схемы включения биполярного транзистора с общей базой.
26.По данным табл. 2.3 построить переходные и выходные характеристики для схемы включения полевого транзистора с общим истоком.
27.Для биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, на основании входных и выходных характеристик опреде-
23
лить h-параметры по следующим формулам: - по входным характеристикам:
h11 = ∆∆Uбэ , при Uкэ = const;
Iб
h12 = ∆Uбэ , при Iб = const;
∆Uкэ
- по выходным характеристикам:
h = β = |
∆Iк |
, при Uкэ = const; |
|
∆Iб |
|||
21 |
|||
|
|
h22 = ∆∆Iк , при Iб = const.
Uкэ
(2.1)
(2.2)
(2.3)
(2.4)
28. Определить графически для нескольких точек коэффициент усиления µ полевого транзистора с помощью формулы
µ = |
−∆Uси |
, при Ic = const. |
(2.5) |
|
|||
|
∆U зи |
|
|
Контрольные вопросы
1.Принцип работы и назначение биполярного транзистора.
2.Принцип работы и назначение полевого транзистора.
3.Чем отличаются схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером и общей базой, где коэффициент усиления больше?
4.Какие бывают схемы включения биполярных транзисторов и где они применяются?
5.Какие бывают схемы включения полевых транзисторов и где они применяются?
6.Что такое h-параметры транзистора и для чего их определяют? Литература:
[1, § 1.5, 1.6; 2, § 1.3, 1.4; 3, § 4.4 - 4.7; 4, §4.1-4.2; 5, §4.1-5.6].