Файл: 10. Биполярный транзисторES10bipolarTrans.docx

10. Биполярный транзистор/ES10bipolarTrans

1. 
   Какие условия обязательно должны выполняться, чтобы возник транзисторный эффект (М)?
   

• 
  наличие чередования трех типов проводимости
  
• 
  наличие симметричной трехслойной структуры
  
• 
  средняя область должна быть максимально тонкой
  
• 
  крайние области должны быть максимально тонкими
  

-сечение трехслойной структуры должно быть минимальным

-сечение трехслойной структуры должно быть максимальным

-концентрация примесей в средней области должна быть высокой

-концентрация примесей в крайних областях должна быть высокой

2. 
   Почему биполярные транзисторы называются биполярными?
   

Потому что у них есть два p-n перехода, включенные в разной полярности Потому что ток через них переносится двумя типами носителей заряда Потому что в ток через них проходит через полупроводники разного типа проводимости

получаемый вплавлением металлических контактов в транзисторную структуру

3. 
   Суть диффузионной технологии изготовления транзистора заключается в? последовательном легировании полупроводника акцепторными и донорными примесями
   

одновременном легировании полупроводника акцепторными и донорными примесями с разными коэффициентами диффузии

легировании полупроводника определенного типа проводимости примесью, создающей в нем противоположный тип проводимости

диффузии в тонкую пластинку полупроводника с двух сторон примесей, создающих в ней области с противоположным типом проводимости.

4. 
   Эмиттером называется
   

область, из которой инжектируются носители заряда электронно-дырочный переход

область, в которую инжектируются носители заряда

контакт металл – полупроводник

5. 
   У биполярных транзисторов средний слой называют…заземлением, базой, затвором, катодом, анодом, управляющим электродом
   
6. 
   На рисунке цифрами обозначены: 1-база 3-коллектор 2-эмиттер
   
7. 
   На рисунках представлены: n-p-n транзистор p-n-p транзистор
   

---

1 – прямой 2 - обратной

8. 
   На рисунках представлены транзисторы: 1 - однопереходный, 2 - биполярный
   

9. 
   Токи в биполярном p-n-p транзисторе связаны выражением Iб=Iэ+Iк Iк=Iб+Iэ Iэ=Iб+Iк
   
10. 
    В каких режимах может работать транзистор? (М) ограниченного тока
    

ограничения насыщения отсечки активный пассивный запирания инверсный

11. 
    Установите соответствие между направлениями смещения переходов транзистора и режимами его работы
    

Активном режиме, режиме отсечки, режиме насыщения, инверсном?

Эмиттерный переход открыт, коллекторный – открыт - режиме насыщения

Эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт - Активном режиме

Эмиттерный переход закрыт, коллекторный – открыт - инверсном

Эмиттерный переход закрыт, коллекторный – закрыт - режиме отсечки

12. 
    Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда
    

оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

Вариации вопроса: Открытое состояние / закрытое состояние

13. 
    Поставьте в соответствие полярность напряжений, приложенных к транзистору n- p-n типа, с его режимом: активный режим, режим отсечки, режим насыщения, инверсный режим?
    

Источник 1: к эмиттеру плюс, к базе – минус, источник 2 – к коллектору плюс, к базе минус –режим отсечки

Источник 1: к эмиттеру плюс, к базе – минус, источник 2 – к коллектору минус, к базе плюс - инверсный

---

Источник 1: к эмиттеру минус, к базе – плюс, источник 2 – к коллектору плюс, к базе минус - активный

Источник 1: к эмиттеру минус, к базе – плюс, источник 2 – коллектору минус, к базе плюс – режим насыщения

14. 
    Какова полярность напряжений, приложенных к транзистору p-n-p типа, находящемся в активном режиме, режиме отсечки, режиме насыщения, инверсном режиме?
    

Источник 1: к эмиттеру плюс, к базе – минус, источник 2 – к коллектору плюс, к базе минус – режим насыщения

Источник 1: к эмиттеру плюс, к базе – минус, источник 2 – к коллектору минус, к базе плюс - активный

Источник 1: к эмиттеру минус, к базе – плюс, источник 2 – к коллектору плюс, к базе минус - инверсный

Источник 1: к эмиттеру минус, к базе – плюс, источник 2 – коллектору минус, к базе плюс – режим отсечки

15. 
    Что такое инверсное включение транзистора? Когда коллектор и эмиттер меняются местами
    

Когда на оба перехода транзистора подаются напряжения противоположной полярности относительно нормального режима работы

Когда на эмиттерный переход подается запирающее напряжение Когда на коллекторный переход подается запирающее напряжение

16. 
    Для работы в активном режиме нужно использовать схему
    

2

17. 
    Из приведенных схемам штатным режимам работы транзисторы соответствуют схемы (М)
    

1 2 3 4

18. 
    Отметить, какие существуют схемы включения транзистора: с общей базой, с объединенной базой, с заземленной базой, с обнуленным эмиттером, с заземленным эмиттером, с разделенным коллектором, с общим коллектором, с объединенным коллектором, с заземленным коллектором
    
19. 
    Укажите полярность напряжения относительно эмиттера на коллекторе и базе транзистора типа p-n-p, включенного по схеме с ОЭ.
    

а) плюс, плюс,

---

б) минус, плюс, в) плюс, минус, г) минус, минус

20. 
    Укажите полярность напряжения относительно эмиттера на коллекторе и базе транзистора типа n-p-n, включенного по схеме с ОЭ.
    

а) плюс, плюс, б) минус, плюс, в) плюс, минус, г) минус, минус

21. 
    Вставьте нужное слово или знак сравнения в предложение, например, <, меньше, >, больше, или отрицательным, положительным:
    

Для схемы включения ОЭ транзистора типа p-n-p, напряжение на коллекторе должно быть больше относительно напряжения на базе

22. 
    Какая схема включения биполярного транзистора имеет наибольшее входное
    

сопротивление при наименьшем выходном сопротивлении? ОК ОЭ ОБ

23. 
    Какая схема включения биполярного транзистора одновременно дает усиление по току и по напряжению? ОК ОЭ ОБ
    
24. 
    Какая схема включения имеет наименьшее входное сопротивление? ОК ОЭ ОБ
    
25. 
    Какая схема включения имеет наибольшее быстродействие? ОК ОЭ ОБ
    
26. 
    Транзисторная схема с общей базой применяется:
    

для коммутации цепей для усиления сигнала для регулировки и стабилизации напряжения источников питания для генерации белого шума

27. 
    Какое из определений семейства ВАХ наиболее полное и точное? Это набор ВАХ, объединенных по какому-либо признаку
    

Это набор ВАХ, отличающихся значениями каких – либо внешних воздействий Это набор ВАХ, отличающихся значениями какого-либо признака

Это набор ВАХ между двумя электродами электронного прибора, отличающихся значениями одного из токов или напряжений на других электродах

Это зависимости тока от напряжения для двух полюсов многополюсника при неизменных значениях токов и напряжений на других полюсах

---

, за исключением одного из них, принимающих для каждой из ВАХ свое фиксированное, но различное значение.

Это зависимости I(U) на двух полюсах многополюсника при неизменных значениях токов и напряжений на других полюсах, за исключением одного из них, принимающих для каждой из ВАХ различное значение

28. 
    Какие семейства ВАХ используются для описания свойств биполярных транзисторов (М)?
    

Входные, выходные, проходные, переходные, базовые, эмиттерные

29. 
    Для схемы включения с общим эмиттером входной характеристикой является зависимость
    

• 
  тока эмиттера от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении на коллекторе
  
• 
  тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении на коллекторе
  
• 
  тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном токе
  
• 
  напряжения база-эмиттер от тока базы при фиксированном напряжении на коллекторе
  
• 
  напряжения база-эмиттер от тока базы при фиксированном токе коллектора
  
• 
  нет правильного ответа
  

На каком из рисунков изображена одна из характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером?



2

31. 
    Семейство каких ВАХ представлено на рисунке:
    

Входные для схемы с ОЭ Входные для схемы с ОК Входные для схемы с ОБ Выходные для схемы с ОЭ Выходные для схемы с ОК Выходные для схемы с ОБ

32. 
    С ростом температуры ток коллектора: почти не меняется Растет Падает
    
33. 
    Семейство каких ВАХ представлено на рисунке
    

Входные для схемы с ОБ Выходные для схемы с ОК Выходные для схемы с ОБ

34. 
    На рисунке показано семейство входных(указать тип, например, проходных) ВАХ, представляющих собой зависимость тока базе (например, катода) от напряжения на [gap 3]базе[/gap], (например, аноде) при сохранением постоянного
    

---