Файл: Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине Электроника и схемотехника на тему Проектирование усилителя мощности.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 26.10.2023

Просмотров: 165

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

10. Оформление курсовой работы согласно ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

3.2 Эмиттерный повторитель №3 на транзисторах VT8, VT7 Рис. 3 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №3Нагрузкой этого эмиттерного повторителя является выходной каскад, поэтому:UН = UBX= 0,34 (В)RН = RВХ.У.М.= 578,086 (Ом) Примем значение тока покоя транзистора VT8 равным 5 мА IП8 = 5 (мА) = 0,005 (А) Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8: UКЭ8 = Uн+U0 = 0,34 + 1,5 = 1,84 (В)Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистораVT8:PК8 = UКЭ8·IП8 = 1,84 * 0,005 = 0,0092 (Вт) = 9,2 (мВт) Выбираем транзисторы VT7, VT8, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin fгр, МГц Iко, мкА VT7 ТМ3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 10 VT8 ТМ3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 10 4. Зададимся напряжением питания из расчета, что EК < UКДОППринимаем ЕК = 12 (В)5. Определим ток базы транзистора VT8 (мА)6. Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7:По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что = (7-10). (мА) (мА)7. Примем ток делителя (мА)Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT8:IR28=Iб8+IП8 = 0,125 + 5 = 5,125 (мА) (Ом)Принимаем R28 = 2000 (Oм)В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8 и определим падение напряжения на резисторе 29:UКЭ8=ЕК-R28∙IR28 = 12 – 2000 * 0,0051 = 1,778 (В)UR28=R28∙IR28 = 2000 * 0,0051 = 10,2 (В)8. Определим значение сопротивления резистор R27:R27 = 5 * RН = 5* 578,086 = 2890,43 (Ом)Принимаем R27 = 3000 (Ом)Тогда:IR27= Iб7 = 0,013 (мА)UR27=R27∙IR27 = 3000*0,000013 = 0,039 (В)9. Определим значения сопротивлений резисторов в цепи делителя: = 130 (мкА) (Ом)Принимаем R26 = 91000 (Ом)Тогда:UR26=R26∙IR26 = 91000*0,00013 = 11,83 (В) (В) (А) = 0,143 (мА) (Ом)Принимаем R25 = 1200 (Ом)10. Определим значения эквивалентного сопротивления резистора эмиттера RЭ:RЭ = RH || R26 || R28 || R25 == == == 325,291 (Ом)11. Определим коэффициент передачи повторителя: (Ом) 12. Определим входное сопротивление повторителя: (Ом)13. Определим выходное сопротивление повторителя:Rвых.п. = rЭ8 =4,878 (Ом)14. Определим значение емкости конденсатора С16: (мкФ)Примем С16= 68 (мкФ) в соответствии с Е6.Рассчитаем напряжение, которое необходимо подать на вход повторителя: (В)3.3 Аттенюатор Рис. 4 Принципиальная электрическая схема аттенюатораАттенюатор – это устройство, уменьшающее амплитуду сигнала без искажения его формы. Аттенюатор с помощью резистора R24 обеспечивает плавную регулировку и при помощи резисторов R21-R23 – дискретную.Т.о. аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них:(-∞ - 0) дБ(-∞ - - первый диапазон (-0,325)) дБ(-∞ - - второй диапазон (-3,7375)) дБ(-∞ - - третий диапазон (-13,975)) дБВ качестве потенциометра R24 выберем резистор с сопротивлением в пределах от 2,0 до 5,1 кОм. R24 = 3600 Ом.Диапазон ослабления определяется следующим образом: (дБ)Отсюда (Ом) дБ. (Ом)Принимаем значение R21= 150 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ) дБ. (Ом)Принимаем значение R22 = 2000 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ) дБ. (Ом)Принимаем значение R23 = 15000 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ)Определим токи, проходящие через сопротивления аттенюатора: (мА)где входное напряжение аттенюатора соответствует входному напряжению эмиттерного повторителя на транзисторах VT7- VT8:UвхА = UвхП3 =0,34 (В) (мА) (мА) (мА)Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах аттенюатора: (Вт) (Вт) = 1,215 (мкВт) (Вт) = 7,2 (мкВт) (Вт) = 4,86 (мкВт) (Вт) = 32 (мкВт)3.4 Эмиттерный повторитель №2 на транзисторах VT6,VT5 Рис.5 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №2 на транзисторах VT6,VT5:В качестве нагрузки данного эмиттерного повторителя примем R24 аттенюатора:UН = UBX А = 0,34 (В)RН = R24 = 3600 (Ом) Примем значение тока покоя транзистора VT6 равным 5 мА IП6 = 5 (мА) = 0,005 (А) Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6: UКЭ6 = Uн+U0 = 0,34+1,5 = 1,84 (В) Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT6: PК6 = UКЭ6·IП6 = 1,84*0,005 = 9,2 (мВт) Выбираем транзисторы VT5, VT6, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin fгр, МГц Iко, мкА VT5 М3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 20 VT6 М3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 20 Зададимся напряжением питания из расчета, что: Ек=2∙Uкэ6 = 2*1,84 = 3,68 (В)Принимаем ЕК = 6 (В), в соответствии с рядом напряжений источников питания. Определим ток базы транзистора VT6: (А) = 0,125 (мА) Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7: По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что = (7-10). (А) = 0,013 (мА) (А) = 0,113 (мА) Примем ток делителя (А) = 0,125 (мА) Определим сопротивление резистора в цепи эмиттера транзистора VT6: IR20=Iб6+IП6 = 0,000125 + 0,005 = 0,005125 (А) = 5,125 (мА) (Ом)Принимаем R20 = 820 (Oм)В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6 и определим падение напряжения на резисторе 20:UКЭ6=ЕК-R20∙IR20 = 6-811,707*0,005125 = 1,840 (В)UR20=R20∙IR20 = 811,707*0,005125 = 4,159 (В) Примем значение сопротивления R19 максимально большим (≈3900-15000 Ом): R19 = 10000 (Ом)Тогда:IR19= Iб5 =0,0000125 (А) = 0,0125 (мА)UR19=R19∙IR19 = 10000*0,0000125 = 0,125 (В) Определим резисторы в цепи делителя (А) = 0,125 (мА)Uбэ5, Uбэ6 примем равными 0,7 В (Ом)Принимаем R18 = 47000 (Ом)UR18=R18∙IR18 =47000*0,000125 = 5,875 (В)Пересчитаем значение напряжения Uбэ5: (В) (А) = 0,138 (мА) (Ом)Принимаем R17 = 910 (Ом) Определим RЭ: RЭ

3.7 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT2,VT1 Рис.8 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №1 на транзисторах VT2,VT1Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление последующего усилительного каскада (на транзисторе VT3), а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же усилительного каскада, т.е.: (В) (Ом)1. Вычислим значение тока, протекающего через нагрузку: (А)2. Определим параметры транзистора VT2: (В), гдеU0=1÷2 В (В) (А) (Вт)3. Выберем транзистор VT2 (n-p-n), в соответствие с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА VT2 4. Определим значение тока базы VT2: (А)5. Определим падение напряжения на резисторе R4: (В)6. Определим параметры транзистора VT1: (В) (Вт)7. Выберем транзистор VT1 (n-p-n), в соответствие с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА VT1 8. Определим значение тока базы VT1: (А)9. Определим значение тока делителя:Выберем ток базового делителя из условия, что Iд>>Iб. Примем: (А)10. Найдем значение сопротивления резистора R4: (Ом)11. Примем значение сопротивления резистора R3 в пределах 5÷10 (кОм) в соответствии с рядом Е24. Тогда: (В)12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя: (В) (В)13. Определим значения резисторов базового делителя: (Ом) (Ом)Примем значения этих сопротивлений в соответствии с рядом Е24.14. Определяем величину Rэ

Транзисторы:

Стабилитроны:

Стабилитроны:


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Тюменский ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ университет»
Институт геологии и нефтегазодобычи

Кафедра «Кибернетических систем»

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе

по дисциплине «Электроника и схемотехника»


на тему «Проектирование усилителя мощности»

или на тему «Проектирование автогенератора»
вариант 1012
Выполнил:

студент группы УТСбп-17-1

Альмукова Д.Н.

Проверил:

К.т.н. доцент

Решетов А.А.,

Ст. преп. каф. КС

Сидорова А. Э.
Дата защиты_____________ Оценка___________

Тюмень 2020
1. Задание на курсовой проект:
Спроектировать электронное устройство, учитывая параметры, приведенные в техническом задании:



вариант

ФИО

Pвых [вт]

Rн[Ом]

fн[Гц]

Мн

аттенюатор[Дб]

1

1

0

1

2

Альмукова Диана

Ниясулловна

6,761

7,356

40,63

1,0581

-0,325

Кf %

Rвх[кОм]

Uвх[в]

Uбэнач мах[в]

Сн[пФ]




С1

С2




0,0676

75,17

0,0163

0,867

87

134





Требования, предъявляемые к выполнению курсового проекта:


1. Использовать при расчетах среднее значение β транзистора, приведенное в справочнике, но не более 150.

3. Во всех каскадах ввести обратную отрицательную связь с глубиной не менее 5, т.е. F≥5.

4. Для одного из каскадов рассчитать АЧХ и ФЧХ до М=√2.

5. Привести карту режимов и спецификацию элементов.

6. Все элементы должны быть пронумерованы. Нумерация элементов сквозная.

7. Отклонение всех параметров от расчетных (заданных) не более ±10%.

8. В аттенюаторе регулировка плавная и дискретная.

9. Значения резисторов и конденсаторов выбираются в соответствии номиналами (использовать ряд Е24, Е6, Е3).

10. Оформление курсовой работы согласно ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».


11. Привести информацию об изготовлении печатных и монтажных плат.

12. Спроектировать принципиальную электрическую схему электронного устройства и привести в графической части проекта на листе формата А3, с использованием пакета прикладных программ (таких как AutoCAD, sPlan 7 Portable Rus и т.п.)

Обязательные пункты, входящие в содержание курсового проекта приведены в приложении А.

Пример титульного листа приведен в приложении Б.

Ряды номинальных базовых электронных элементов приведены в приложении В. В соответствии с рядом Е24 (Е6, Е3) необходимо привести к номинальному значению все сопротивления в расчете, которые имеют порядковые номера (например R41, С16).

Далее приведен упрощенный инженерный расчет электронного устройства – УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ.

2. Выбор блок-схемы

В современной технике широко применяются устройства, предназначенные для управления энергией, в которых управляемая мощность значительно превышает мощность, требуемую для управления.

К одной из разновидностей таких устройств можно отнести электронные усилители.

Для решения многих задач требуются сигналы большой мощности. Например, для громкоговорителей необходима мощность звуковых усилителей от единиц до сотен ватт, для эффективной радиосвязи на большее расстояние нужны высокочастотные сигналы мощностью в сотни ватт. Сигналы большой мощности требуются и для различных электрических машин, исполнительных механизмов и других мощных устройств. Все эти

задачи решаются с помощью усилителей мощности, основным назначением которых является отдача заданной мощности в нагрузку. Блок - схема усилителя мощности приведена на рисунке 1.


Рис. 1 Блок-схема усилителя мощности

Повторитель 1 увеличивает входное сопротивление усилителя мощности для того, чтобы обеспечить величину входного сопротивления, указанного в техническом задании.

Предварительный усилитель (усилитель 1+усилитель 2) увеличивает входное напряжение до величины необходимой для усилителя мощности.

Повторитель 2 увеличивает входное сопротивление аттенюатора, чтобы уменьшить его шунтирующее воздействие на предварительный усилитель.

Аттенюатор служит для плавной и ступенчатой регулировки ослабления сигнала.

Повторитель 3 увеличивает входное сопротивление выходного усилительного каскада, чтобы уменьшить его шунтирующее действие на аттенюатор.

Выходной усилительный (оконечный) каскад предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.


3. Расчет элементов используемых в схеме


Расчет усилителя мощности следует начать с расчета выходного оконечного каскада.

Выбор режима работы.

Выбор режима «А» несет в себе небольшие нелинейные искажения по сравнению с другими режимами работы, хотя КПД усилителя мощности в этом режиме небольшой примерно 30-45 %. В то время как режим «В» обеспечивает чрезмерно большие нелинейные искажения, вызванные наличием нелинейного участка в начале входной вольтамперной характеристики. КПД режима «В» составляет 50-60 %.

Расчет будем вести в режиме «А».

  1. Определяем амплитудные значения тока и напряжения на нагрузке:



(A)

(B)


  1. Определим максимально допустимую мощность рассеивания на транзисторах VT12, VT13:

(Вт)

где ηА – КПД, равный 35 - 40%. Поскольку в режиме «А» предельный КПД составляет 50%, а реальный не выше 35 - 40%.

  1. Определим UКЭ12=UКЭ13:

(В)

где U0 - запас, исключающий попадание рабочей точки в область насыщения, для различных типов транзисторов колеблется в пределах 0,5 - 3 (В), для маломощных транзисторов можно выбирать в пределах 1-2 (В);

КПΣ - коэффициент передачи всего усилителя мощности. Практически значение КПΣ находится в пределах 0,7-0,9, в зависимости от величины нагрузки. При нагрузках ниже 5-10 (Ом) следует принимать меньшее значение.

Принимаем U0 = 1,5 (В), КПΣ = 0,8 и определяем UКЭ12=UКЭ13.

  1. Определим величину напряжения источника питания


ЕК = 2·UКЭ12,13 + 2·Uзащ= 2·UКЭ12,13 + 2·UR41 = 2*13,966 + 2*0,9 = 29,732 (В),

где Uзащ – падение напряжения на резисторе защиты (R41), можно принять в пределах 0,8 – 1 (В).

Принимаем ЕК = 48 (В), в соответствии со стандартным рядом источников питания.

Пересчитываем значения напряжений коллектор-эмиттер транзисторов 12 и 13:

(В)


  1. Выбираем из справочника транзисторы VT13, VT12, соответствующие по мощности, току покоя и по верхней граничной частоте полосы пропускания, основные характеристики сводим в таблицу вида:







Модель

Тип

P, Вт

Uкэ доп, В

Ikmax, A

βmin

fгр, МГц

Iко, мА

VT12

2Т866А

n-p-n

30

100

20

15…1000

25

10

VT13

2Т866А

n-p-n

30

100

20

15…1000

25

10


Необходимо учитывать, что у выбираемых в качестве выходных транзисторов допустимое напряжение Uк доп должно соответствовать неравенству .

  1. Определяем токи покоя и токи базы транзисторов VT12, VT13:


Iп12 = 0,5·IНМАХ + IН.У = 0,5 *1,356 + 0,005 =0,683(А)

где IН.У.- неуправляемая часть тока покоя, определяемая наличием теплового тока коллектора IK0 (определяется из справочных данных).

(мА)
(А)
(А)
(А)


  1. Определим значение резистора защиты Rз = R41, Значение резистора защиты Rз должно быть достаточно большим, чтобы ограничить на допустимом уровне величину тока через транзисторы VT12 и VT13 и в то же время снижений коэффициента полезного действия при введении Rз должно быть незначительным: