ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПАРЫ

О

Рис.1

птоэлектронная пара, или оптопара – это полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающего и фотоприемного элемента, между которыми существует связь через оптический канал. Светоизлучатель, фотоприемник и оптический канал, реализующий гальваническую развязку между входом и выходом, конструктивно объединены в одном корпусе.

Оптопара используется как элемент электрической развязки в цифровых и импульсных устройствах, устройствах передачи аналоговых сигналов, системах автоматики для бесконтактного управления высоковольтными источниками питания и др. Она является составным элементом оптических микросхем. В устройстве оптопары (Рис.1.а) СИ - светоизлучатель, ФП - фотоприемник, ОС (СП) - оптическая среда, МЭ - металлические электроды, ПЭ - прозрачные электроды. В качестве светоизлучателя в оптопарах применяются светодиоды, лазеры и другие излучатели, а в качестве фотоприемника - фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы и фототиристоры. По типу используемого фотоприемника различают диодные, транзисторные, тиристорные и резисторные оптопары.

Принцип действия оптопары показан на Рис.1. На вход оптопары поступает электрический сигнал, например импульс тока I_ВХ (Рис.1.б), преобразуемый светоизлучателем в импульс светового потока. Световой импульс излучается на рабочей длине волны в направлении фотоприемника, проходит через оптическую среду с малым затуханием и в фотоприемнике преобразуется в электрический сигнал. Форма выходного импульса тока показана на (Рис. 1.в). Преобразование электрический сигнал - световой сигнал осуществляется с помощью модуляции оптической несущей в светоизлулучателе. Гальваническая развязка входной 11 и выходной 22 цепей оптопары достигается за счет оптически прозрачной диэлектрической среды между приемником и излучателем, причем все компоненты оптопары должны быть оптически согласованы. Это достигается соответствующим выбором материалов. На Рис.2 приведены примеры подобранных пар полупроводниковых материалов для фотоприемника и светоизлучателя в диапазоне волн 0.2 - 20 мкм. В качестве светоизлучателей оптопар преимущественно используются светодиоды.

И

Рис.2

спользование лазеров в оптопарах экономически оправдано только в быстродействующих системах. Учитывая, что спектр излучения светодиодов оптопар относительно узкий, чувствительность фотоприемника должна быть максимальной на рабочей длине волны светоизлучателя.

Основные параметры оптопар.

Основные параметры оптопар можно разбить на четыре группы.

Входные параметры

Входные параметры характеризуют режим работы светоизлучателя. Если в качестве светоизлучателя используется светодиод, то его электрические параметры составляют основу входных параметров оптопары:

---

- Входное напряжение оптопары U_ВХ при заданном постоянном входном токе.

- Номинальный входной ток I_ВХ.НОМ и максимальный входной ток I_{ВХ.МАКС} через светоизлучатель.

- Максимальное обратное входное напряжение U_ВХ.ОБР

- Входная емкость С_ВХ.

Выходные параметры.

Выходные параметры характеризуются режимами работы и характеристиками фотоприемников, таких как фоторезистор, фототранзистор и т.д.

- Максимально допустимый выходной ток I_{ВЫХ.МАКС} через фотоприемник во включенном состоянии оптопары

- Максимально допустимое обратное выходное напряжение U_{ВЫХ.ОБР.МАКС.}

- Выходная емкость С_ВЫХ.

Параметры передачи сигналов.

Параметры передачи в целом характеризуют частотные, импульсные свойства оптопар.

- Коэффициент передачи оптопары К_i. Данный коэффициент имеет различный физический смысл для различных типов оптопар:

Различают статический K_i=(I_ВЫХ-I_У)/I_ВХ и дифференциальный K_iД=dI_ВЫХ/dI_ВХ коэффициенты передачи по току диодных и транзисторных оптопар. Если выходной транзистор фотоприемника работает в режиме насыщения, то статический коэффициент передачи определяется для тока I_ВЫХ, соответствующим напряжением насыщения U_ОСТ. Коэффициент передачи резисторных оптопар - это отношение темнового и светового выходных сопротивлений, т.е. K_i=R_ТМ/R_СВ. Для фототиристора коэффициент передачи не имеет физического смысла т.к. после включения, фототиристор остается в этом состоянии при любом входном напряжении. Поэтому параметром данного элемента является ток включения – это минимальный входной ток оптопары I_ВХ, переводящий фототиристор во включенное состояние, а также максимально допустимый входной ток помехи I_ПОМ.ВХ, при котором фототиристор еще не включается. Параметр I_ПОМ.ВХ характеризует помехоустойчивость тиристорной оптопары от ложного включения.

- Максимальная скорость передачи сигналов F_МАКС – это число сигналов, которое можно передать через оптопару в единицу времени без потери или ложного появления хотя бы одного из них. Характеризует быстродействие оптопары, работающей в устройствах передачи цифровых сигналов.

- Время нарастания t_НР и спада t_СП – время нарастания отсчитывается от уровня 0,1 I_{ВЫХ.МАКС} до уровня 0,9 I_{ВЫХ.МАКС}.(Рис.1.в)

- Время задержки фронта импульса t_ЗД – это время задержки при включении отсчитывается от момента поступления входного сигнала до момента нарастания выходного до уровня 0,1 I_{ВЫХ.МАКС}.

- Время логической задержки t_ЗД.ЛОГ – это время задержки от момента подачи сигнала на вход оптопары до момента нарастания выходного сигнала до уровня 0,5 I_{ВЫХ.МАКС}.

- Быстродействие оптопар в импульсных и цифровых схемах оценивается суммарным временем переключения

t_пер=t_вкл+t_выкл, где t_вкл=t⁺_зд+t_нр, а t_выкл=t^-_зд+t_сп.

- Коэффициент передачи по току:

K_I=k_k_пр_св_фМ, (1)

Где: k_ - коэффициент спектрального согласования, k_ПР – коэффициент прозрачности оптической среды, _СВ – внешний квантовый выход светоизлучателя, М – коэффициент усиления фотоприемника.

---

К

Рис.3

оэффициент спектрального согласования светоизлучателя k, фотоприемника и оптической среды, зависит от различия спектральных характеристик светоизлучателя и фотоприемника в рабочем диапазоне волн; спектральной характеристики пропускания оптической среды. На Рис.3 показаны спектральные характеристики пропускания стекла и полимера, которые используются в качестве оптических сред оптопар. По оси ординат отложена нормированная спектральная характеристика пропускания оптической среды. В ближней инфракрасной области длин волн в полимере наблюдается резонансное поглощение излучения химическими группами OH, СН₃, СН₂, NН₂, NН и др. На спектральной характеристике пропускания резонансному поглощению соответствуют узкие провалы. В диапазоне рабочих волн коэффициент пропускания оптической среды должен быть близок к единице.

К

Рис.4

оэффициент прозрачности оптической среды k_пр Для увеличения коэффициента подбирают материал светоизлучателя, фотоприемника и оптической среды по коэффициенту преломления, технологически устраняют инородные включения на границах раздела светоизлучатель - оптическая среда - фотоприемник, используют однородные среды, просветляющие покрытия и световоды в канале связи светоизлучатель - фотоприемник, улучшают конструкцию оптопары.

Внешний квантовый выход светоизлучателя _св. Для повышения внешнего квантового выхода светодиода следует, во-первых, уменьшать потери излучения квантов в зоне генерации, добиваться полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводник - оптическая среда и уменьшать потери торцевого и обратного излучения (потери на торцевое и обратное излучение светодиода снижены в конструкции оптопары на рис. 4) светодиода; во-вторых, увеличивать коэффициент инжекции электрического перехода светодиода и в-третьих, сокращать доли безызлучательной и конкурирующей рекомбинации в переходе светодиода, т.е. повышать внутренний квантовый выход.

Также для увеличения квантового выхода необходимо выбирать оптимальные материалы светодиодов, использовать в их структуре гетеропереходы, уменьшать коэффициент отражения на границе оптическая среда - полупроводник, а также снижать потери пассивного поглощения в полупроводнике, не приводящие к образованию неравновесных носителей, и рекомбинационным потерям.

Коэффициент усиления М фотоприемника (фототранзистора). С увеличением коэффициента усиления фотоприемника М в большинстве случаев быстродействие оптопар снижается. Использование рациональных структур фотоприемника, например фотодиод - транзистор, позволяет получить приемлемый коэффициент усиления без существенного снижения быстродействия оптопары.

Параметры гальванической развязки:

- Максимально допустимое пиковое напряжение между входом и выходом оптопары U_{РАЗВ.П.МАКС}.

---

- Максимально допустимое напряжение между входом и выходом Uразв.макс.

- Проходная емкость C_РАЗВ. Это емкость между входом и выходом оптопары, характеризующий частотные свойства. Этот параметр нужно стараться уменьшать для этого используют конструкцию оптопары, приведенную на (Рис. 6).

- Сопротивление гальванической развязки R_РАЗВ. –это сопротивление между входом и выходом оптопары.

- Максимально допустимое пиковое напряжение характеризует электрическую прочность оптопары и обычно U_{РАЗВ.П.МАКС}>1кВ.

4. Эквивалентная схема

В

Рис.5

режиме передачи аналоговых сигналов оптопару можно представить в виде линейного четырехполюсника с Y - параметрами. Сигнал в оптопаре передается только от светоизлучателя к фотоприемнику, поэтому четырехполюсник должен быть направленным. Его схема содержит лишь идеальные генераторы, а проводимость цепи обратной связи четырехполюсника у₁₂=0. На Рис.5 показана эквивалентная схема оптопары с идеальной гальванической развязкой. Входной электрический сигнал реальной оптопары через параметры развязки R_РАЗВ и С_РАЗВ поступает на выход четырехполюсника. С учетом параметров развязки эквивалентная схема преобразуется: конденсатор С_ВХ и резистор r^си_диф моделируют входную емкость и дифференциальное сопротивление светоизлучателя, конденсатор С_ВЫХ и резистор r^фп_диф – моделирует выходную емкость и выходное дифференциальное сопротивление фотоприемника, конденсатор С_РАЗВ и резистор R_РАЗВ - учитывают емкость и сопротивление развязки оптопары, источник тока КiIвх – показывает преобразование входного сигнала оптопарой.

5. Конструкции оптоэлектронных пар.

К

Рис.6

онструкции оптопар различны: составные на дискретных элементах, пленочные, монолитные. Рассмотрим примеры конструкций оптопар на дискретных элементах. В бескорпусной оптопаре (Рис.6) СИ - светоизлучатель; ФП - фотоприемник; ОС - оптическая среда; 1 - выводы светоизлучателя; 2 - выводы фотоприемника. Кристаллы светоизлучателя и фотоприемника размещены в оптической иммерсионной среде строго параллельно. В качестве оптической среды используются в основном органические полимерные оптические клеи. Распространенные в оптопарах светодиоды имеют кольцевую излучающую область с расположенным в центре и вынесенным из активной области излучения омическим контактом. В такой конструкции при минимальной площади свечения светодиода уменьшаются потери энергии излучения из-за затенения и краевых эффектов, снижаются требования к точности взаимного расположения светодиода и фотоприемника.

Д

Рис.7

ля повышения коэффициента передачи оптопары чувствительная площадь фотоприемника многократно превышает излучательную площадь светодиода. Структуру фотоприемников оптопар изготовляют в основном из кремния. Наибольшее распространение получили фотодиоды с p-i-n структурой, биполярные фототранзисторы, фототиристоры, структуры фотодиод - транзистор и др.

---

Конструкция оптопары в металлостеклянном корпусе приведена на Рис.7. Для уменьшения емкости развязки до 10^-3-10^-4 пФ в оптическую среду встраивают заземленную металлическую сетку ЗС или стекло с проводящим покрытием из материалов SnO₂, In₂O₃ Сопротивление развязки оптопары достигают значения 10¹⁴ -10¹⁶ Ом.

П

Рис.8

отери на торцевое и обратное излучение светодиода снижены в конструкции оптопары на Рис.4, где О - отражатель; КВ(М) - металлический кольцевой вывод p- области фотоприемника, изолированный от n- области диэлектрическим слоем SiO₂. Отражатель направляет лучи светодиода, показанные на рисунке линиями со стрелками, на чувствительную площадь фотодиода и увеличивает примерно вдвое коэффициент передачи оптопары. Конструктивное исполнение оптопары с гальванической развязкой до нескольких десятков киловольт показано на Рис 8. Развязку обеспечивает жесткий стеклянный световод ОС, помещенный в корпус оптопары К.

Пример пленочной конструкции оптопары приведен на Рис. 1.а. На стеклянную подложку СП с двух сторон наносится слой SnO₂, образующий прозрачные электроды ПЭ. На одном из прозрачных электродов методом вакуумного испарения формируется пленочный слой люминофора - сернистого цинка ZnS, активированного примесями меди Cu и марганца Mn, а затем - металлический электрод МЭ. На другой прозрачный электрод наносится фоторезистивный слой сульфида кадмия с центрами чувствительности из атомов меди CdS:Cu, а на него напыляется металлический электрод МЭ гребенчатой структуры. Тонкопленочный люминофор - светоизлучатель СИ оптопары может работать при малом напряжении постоянного тока. Свечение обусловлено возбуждением атомов марганца в люминофоре «горячими» (высокоэнергетичными) электронами, образующимися в гетеропроходе p-Cu₂S - n-ZnS(Mn) в поверхностном слое пленки. Световой поток распространяется в направлении фотоприемника оптопар ФП фоторезистора через стеклянную подложку и прозрачные электроды, образующие оптическую среду.

К достоинствам оптоэлектронных пар относятся почти идеальная гальваническая развязка, невосприимчивость оптического канала связи к воздействию электромагнитных помех, совместимость по параметрам входных и выходных сигналов с интегральными схемами, широкие функциональные возможности.

Недостатки оптоэлектронных пар - низкий КПД преобразования энергии сигналов, высокая потребляемая мощность, температурная зависимость параметров, относительно малый рабочий диапазон температур, невысокий срок службы, конструктивное несовершенство и др. носят временный характер.

---

Смотрите также файлы

• LEX5.doc

• LEX6.doc

• LEX7.doc

• LEX8.doc

• LEX13.doc