Файл: 10. Биполярный транзисторES10bipolarTrans.docx

напряжения (1=тока, 2=напряжения на)коллекторе (название электрода, в соответствующем падеже):

35. 
    Если на рисунке представлена ВАХ для схемы с ОЭ, то ВАХ 1 и 2 соответствуют; Uб=0, Uб>0; Uб>0, Uб=0; Uк>0, Uк=0; Uк=0, Uк>0; Iб=0, Iб>0; Iб>0, Iб=0; Iк=0, Iк>0; Iк>0, Iк=0;
    

36. 
    Более высокой температуре соответствует ВАХ под номером 1
    

37. 
    На входной характеристике n-p-n транзистора, включенного по схеме с ОЭ, при нулевом напряжении на базе и ненулевом напряжении на коллекторе ток базы: =0,
    

<0, >0

38. 
    С ростом температуры ток базы: Почти не меняется Растет Падает
    
39. 
    Малосигнальная модель транзистора соответствует работе транзистора? в условиях линейного приближения при описании его ВАХ
    

в окрестности нулевых токов и напряжений

на участках ВАХ, на которых величина тока почти не меняется при изменении напряжения

40. 
    Система h-параметров выражает
    

Входные ток и напряжение через выходные ток и напряжение Выходные ток и напряжение через входные ток и напряжение

Входное напряжение и выходной ток через входной ток и выходное напряжение Выходное напряжение и входной ток через выходной ток и входное напряжение

41. 
    Определить из семейства выходных ВАХ для схемы с ОЭ коэффициент передачи тока базы h21для точки Uкэ=6В, Iк=15мА, если шаг тока базы 100мкА
    

---

50

42. 
    Определить из семейства выходных ВАХ для схемы с ОЭ статический коэффициент передачи тока базы для точки Uкэ=5В, Iк=90мА
    

90

43. 
    Транзистор находится закрытом состоянии, когда: оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
    

один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

44. 
    Транзистор находится в открытом состоянии, когда: оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
    

один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

45. 
    Средний слой у биполярных транзисторов называется базой
    
46. 
    Сколько p-n переходов у полупроводникового транзистора? 2
    
47. 
    Сколько областей (слоев) имеется в биполярном транзисторе 3
    

48. 
    По осям семейства выходных ВАХ транзистора, включенного по схеме с ОЭ, отложены: Iб, Uб; Iк, Uк; Iк, Uб; Iб, Uк; Iэ, Uб; Iэ, Uк;
    

11. Тиристоры /ES11triacs

1. 
   Основное назначение тринисторов – это: выпрямление переменного напряжения, стабилизация тока на участке с отрицательным дифференциальным
   

сопротивлением Поддержание постоянства напряжения на нагрузке Коммутация нагрузки/ нет правильного ответа/ Затрудняюсь ответить

2. 
   На чем основан принцип работы тиристоров?
   

На возникновении лавинного пробоя в многослойных полупроводниковых структурах

На возникновении туннельного пробоя в многослойных полупроводниковых структурах

---

На возникновении лавинообразного возрастания тока в многослойных полупроводниковых структурах

3. 
   Из приведенного списка каких видов тиристоров НЕ существует? (М)
   

- симисторы – динисторы –тринисторы – –тринисторы с управлением по катоду – запираемые тиристоры, запираемые симисторы, запираемые динисторы

4. 
   Что такое симистор?
   

Это – тиристор, имеющий полностью симметричную структуру

Это – тиристор, способный открываться при напряжениях любой полярности Это – тиристор, открывающийся при приложении к управляющему электроду напряжения любой полярности

Полупроводникового прибора с таким названием нет

5. 
   На каком рисунке показана ВАХ тринистора ?
   

2

6. 
   Анод – это вывод тиристора, к которому прикладывается положительное напряжение
   
7. 
   Приведенные на рисунке диаграммы иллюстрируют работу тиристора в качестве (заштрихованная область соответствует подключенной нагрузке):
   

1 Регулирование мощности 2 Регулирование напряжения 3 Управляемое выпрямление 4 регулятора скорости вращения двигателя

8. 
   Задать соответствие:
   

1Симистор 2тиристор 3динистор 4запираемый тиристор

9. 
   УГО динистора – это
   

2

12. Полевые транзисторы /ES12fieldEffTrans

1. 
   Что лежит в основе работы полевых транзисторов?
   

---

Изменение под действием электрического поля удельной проводимости или сечения проводящей ток области полупроводника

Изменение под действием электрического поля протяженности проводящей ток

области полупроводника

Изменение силы тока за счет изменения напряженности электрического поля между стоком и истоком

2. 
   Структура каких приборов представлена на рисунках: 5 биполярный транзистор; 3 полевой транзистор с встроенным каналом; 2 полевой транзистор с индуцированным каналом; 1 ПТ с управляющим p-n переходом; 4 тиристор
   

3. 
   Индуцированный или встроенный канал имеют полевые транзисторы с
   

затвором в виде управляющего p-n перехода; изолированным затвором; с затвором в виде диода Шоттки; нет верного ответа

4. 
   При расчетах можно полагать, что токи в полевом транзисторе связаны выражением: Ic=Iи+Iз; Iс=Iз+Iи Iи=Iз+Iс Iс=Iи Iс=Iз Iз=Iи
   
5. 
   На рисунке цифрами обозначены: 1-сток, 2- исток, 3-затвор, 4 -подложка
   

6. 
   Истоком называют
   

контакт, через который носители заряда вытекают контакт, через который носители заряда входят в канал

контакт, соединенный с подложкой, в которой создается канал контакт, соединенный общим проводом

часть объема полупроводника, расположенная между p-n-переходами

7. 
   Установите соответствие между номером электрода транзистора и его англоязычным наименованием
   

8. 
   На рисунке канал n-типа имеют транзисторы с номерами (записать цифры подряд, например,134) 146, изолированный затвор -3456, встроенный канал 34 , индуцированный канал - 56 , а транзисторы с управляющим p-n переходом –
   

---

это номера 12. При этом Source – это номер 2, gate– это номер 3, substrate–

9. 
   На какие типы подразделяются полевые транзисторы с изолированным затвором? (М)
   

С управляющим p-n переходом С управляющим n-p переходом

С управляющим барьером Шоттки С встроенным каналом

С индуцированным каналом С изолированным каналом

10. 
    Какова полярность напряжения на стоке относительно истока у полевых транзисторов, работающих в активном режиме?
    

Для n- канала плюс, для p – канала - минус Для n- канала минус, для p – канала –плюс

Если затвор изолированный, то для n- канала плюс, для p – канала – минус, иначе наоборот

Если затвор изолированный, то для n- канала минус, для p – канала – плюс, иначе наоборот

Если канал индуцированный, то для n- канала минус, для p – канала – плюс, иначе наоборот

Если канал индуцированный, то для n- канала плюс, для p – канала – минус, иначе наоборот

11. 
    Какова полярность напряжения на затворе относительно истока у полевых транзисторов, работающих в активном режиме?
    

Для n- канала плюс, для p – канала - минус Для n- канала минус, для p – канала –плюс

Если затвор изолированный, то для n- канала плюс, для p – канала – минус, иначе наоборот

Если затвор изолированный, то для n- канала минус, для p – канала – плюс, иначе наоборот

Если канал индуцированный, то для n- канала минус, для p – канала – плюс, иначе наоборот

Если канал индуцированный, то для n- канала плюс, для p – канала – минус, иначе наоборот

12. 
    Введите номер рисунка, на котором представлены ВАХ полевого транзистора 3и ее название (одно слово, например силовая стоковая
    

---