Экспонирование

Проявление

Травление окисной пленки

Удаление фоторезиста
Нанесение фотомаски

Травление полупроводникового материала

Травление полупроводникового материала с окисной пленкой

Отмывка фотомаски

Шлифование

Вакуумное напыление

Электроосаждение

3. 
   Что такое фоторезист?
   

Полимерный фоточувствительный материал

Фоточувствительный неорганический материал

Материал для изготовления фотомаски

Материал для защиты поверхности полупроводника от засветки источником с другим спектральным диапазоном

Материал для пропускания на фотошаблон света только с определенной длиной волны

4. 
   Основными технологическими процессами, используемыми при производстве микросхем, являются: / При производстве микросхем НЕ используется:
   

литография

эпитаксиальное выращивание

термическое оксидирование

термическая диффузия

ионное легирование

вакуумное напыление
плазменное напыление

электрохимическое осаждение

анодирование

электролиз

5. 
   Изображенный на рисунке процесс называется
   

литография

фотогравировка

планарная технология

формирование островков

фотоионная имплантация

нет верного ответа

6. 
   По технологии изготовления микросхемы делятся на
   

Монолитные

Гибридные

Тонкопленочные

Толстопленочные

Эпитаксиальные

Интегральные

Полимерные

7. 
   По типу сигналов, с которыми работает микросхема, все микросхемы подразделяются
   

аналоговые

цифровые

аналого-цифровые

линейные

генераторные

логические

8. 
   Какие компоненты электронных схем изготавливаются в монолитных микросхемах? (М)
   

Конденсаторы

Резисторы

Диоды

Транзисторы

Катушки индуктивности

Полярные конденсаторы

Тиристоры

Гальванические элементы

9. 
   Основные технологии изготовления микросхем
   

планарно-диффузионная

эпитаксиально-планарная

сплавная

меза-планарная

2D-диффузионая

3D-диффузионая

2D-эпитаксиальная

3D- эпитаксиальная

10. 
    На рисунке изображен _2_ (1=полевой транзистор, 2=биполярный транзистор, 3=тиристор), изготовленный по _1_ (1=диффузионно, 2=эпитаксиально, 3=мезо) – _1_ (1=планарной, 2-сплавной) технологии
    

---

11. 
    Поставить в соответствие, по какой технологии изготовлены транзисторы
    

1 – сплавной, 2 – сплавно-диффузионной, 3 – диффузионно-планарной

4 – мезапланарной, 5 – эпитаксиально-планарной

12. 
    Каким образом элементы интегральной микросхемы соединяют между собой?
    

Напылением золотых или алюминиевых дорожек через окна в маске

Пайкой лазерным лучом

Термокомпрессией

Пайкой волной припоя

Всеми перечисленными способами

13. 
    Достоинства гибридных микросхем:
    

повышенное быстродействие

повышенная температурная стабильность

сокращенные сроки разработки

высокая плотность компоновки

высокая надежность

меньшая стоимость при массовом производстве

14. 
    ASIC – это
    

заказная микросхема для решения узкоспециализированных задач

разновидность гибридной микросхемы

сканер отпечатка пальца для систем контроля доступа в интегральном исполнении

нет правильного ответа

затрудняюсь ответить

15. 
    Отечественная система обозначений интегральных схем включает следующие элементы (упорядочивание слева направо)
    

Позиция 1(необязательная) - …5

Буква (необязательная), определяющая категорию качества, тип исполнения (в основном – конструкция и материал корпуса)

цифра, определяющая технологию изготовления

число (2-3разрядное) – порядковый номер в сериях микросхем

две буквы, задающие группу и подгруппу функционального назначения микросхемы

число (1-3разрядное) – порядковый номер микросхемы в одной и той же серии

---

буква (необязательная), определяющая группу разброса микросхемы по основным параметрам

буква «Б»+цифра, модификация конструкции бескорпусных микросхем

16. 
    В одну серию микросхем могут включаться микросхемы
    

выполняющие только одну определенную функцию

работающие только с одним типом сигналов

выполненные только по одной технологии

выполненные в едином конструктивном исполнении их корпуса

17. 
    Установите соответствие между обозначением корпусов микросхем и их внешним видом
    

DIP



SOIC



SOJ



PLCC



QFP



QFN



PGA



LGA



BGA

18. 
    Установите соответствие между названием и описанием корпусов микросхем
    

DIP – прямоугольный корпус с расположением по двум его длинным сторонам выводов (от 4 до 56), перпендикулярных месту установки микросхемы

SOIC – прямоугольный корпус, предназначенный для поверхностного монтажа с планарным расположением выводов (от 8 до 56), расположенным по двум его длинным сторонам

SOJ – прямоугольный корпус для установки в панельку, выводы которого расположены по двум его длинным сторонам и подогнуты под него в виде буквы J

PLCC – квадратный корпус с расположенными по всем сторонам контактами, отформованными под корпус для облегчения установки в специальную панель

QFP – квадратный корпус, в котором планарные выводы расположены по всем сторонам

QFN – квадратный корпус, на нижней стороне которого по всем сторонам находятся выводы, выполненные в виде контактных площадок, и в центре для теплоотвода и заземления есть припаиваемая к печатной плате большая контактная площадка

---

PGA – устанавливаемый в специальную панель квадратный корпус с расположенной на его нижней стороне матрицей штыревых выводов

LGA – устанавливаемый в специальную панель квадратный корпус с расположенной на его нижней стороне матрицей контактных площадок

BGA – представляет собой предназначенный для поверхностного монтажа корпус, в котором выводы выполнены в виде шариков припоя

19. 
    При диффузионной технологии
    

для создания p-n переходов полупроводник последовательно легируется акцепторными и донорными примесями

полупроводник одновременно легируется акцепторными и донорными примесями с разными коэффициентами диффузии

полупроводник одного типа проводимости приводят в контакт с полупроводником другого типа проводимости и спекают, что приводит их взаимной диффузии

20. 
    При эпитаксиально-планарной технологии
    

верхний тонкий слой подложки легируют примесью, создающей в нем противоположный относительно подложки тип проводимости

на подложку полупроводника одного типа проводимости накладывают тонкую пластину другого типа проводимости и производят их спекание друг с другом

на подложке, состоящей из полупроводника одного типа проводимости, осаждают слой полупроводника другого типа проводимости

21. 
    Номер вывода на микросхеме определяется так:
    

Счет выводов производят по часовой стрелке

Счет выводов производят против часовой стрелки

На микросхему смотрят сверху

На микросхему смотрят снизу

22. 
    Для определения номера вывода на микросхеме…
    

Ключ (метка) ставится между первым и последним (по направлению обхода) выводом

Ключ (метка) ставится рядом с первым выводом

Ключ ставится либо рядом с первым выводом, либо перед ним (по направлению обхода)

Первый вывод имеет особый вид

Допустим любой способ идентификации первого вывода

23. 
    Базовым элементом при производстве интегральных монолитных схем является…
    

транзистор

резистор

диод

конденсатор

24. 
    Подложка в микроэлектронике – это
    

монокристаллическая полупроводниковая пластина, в которой создаются элементы микросхемы

монокристаллическая полупроводниковая пластина, на которой создаются элементы микросхемы

любой материал, например, сапфир, на котором или в котором размещаются элементы микросхемы

---

все определения верны

ни одно из определений не верно

25. 
    Основные технологии изготовления полупроводниковых приборов (М)
    

планарно-диффузионная

эпитаксиально-планарная

сплавная

меза-планарная

2D-диффузионая

3D-диффузионая

2D-эпитаксиальная

3D- эпитаксиальная

26. 
    Достоинства монолитных интегральных схем (М):
    

повышенное быстродействие

повышенная температурная стабильность

сокращенные сроки разработки

высокая плотность компоновки

высокая надежность

меньшая стоимость при массовом производстве

---

Смотрите также файлы

• 10. Биполярный транзисторES10bipolarTrans.docx

• Функциональные стили.docx

• Болезнь и исцеление Ильи Муромца.docx

• "Технические характеристики, ремонт, обслуживание автомобиля bmw".docx

• История Омских музеев.docx