Файл: Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине Электроника и схемотехника на тему Проектирование усилителя мощности.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 26.10.2023

Просмотров: 164

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

10. Оформление курсовой работы согласно ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

3.2 Эмиттерный повторитель №3 на транзисторах VT8, VT7 Рис. 3 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №3Нагрузкой этого эмиттерного повторителя является выходной каскад, поэтому:UН = UBX= 0,34 (В)RН = RВХ.У.М.= 578,086 (Ом) Примем значение тока покоя транзистора VT8 равным 5 мА IП8 = 5 (мА) = 0,005 (А) Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8: UКЭ8 = Uн+U0 = 0,34 + 1,5 = 1,84 (В)Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистораVT8:PК8 = UКЭ8·IП8 = 1,84 * 0,005 = 0,0092 (Вт) = 9,2 (мВт) Выбираем транзисторы VT7, VT8, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin fгр, МГц Iко, мкА VT7 ТМ3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 10 VT8 ТМ3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 10 4. Зададимся напряжением питания из расчета, что EК < UКДОППринимаем ЕК = 12 (В)5. Определим ток базы транзистора VT8 (мА)6. Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7:По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что = (7-10). (мА) (мА)7. Примем ток делителя (мА)Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT8:IR28=Iб8+IП8 = 0,125 + 5 = 5,125 (мА) (Ом)Принимаем R28 = 2000 (Oм)В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT8 и определим падение напряжения на резисторе 29:UКЭ8=ЕК-R28∙IR28 = 12 – 2000 * 0,0051 = 1,778 (В)UR28=R28∙IR28 = 2000 * 0,0051 = 10,2 (В)8. Определим значение сопротивления резистор R27:R27 = 5 * RН = 5* 578,086 = 2890,43 (Ом)Принимаем R27 = 3000 (Ом)Тогда:IR27= Iб7 = 0,013 (мА)UR27=R27∙IR27 = 3000*0,000013 = 0,039 (В)9. Определим значения сопротивлений резисторов в цепи делителя: = 130 (мкА) (Ом)Принимаем R26 = 91000 (Ом)Тогда:UR26=R26∙IR26 = 91000*0,00013 = 11,83 (В) (В) (А) = 0,143 (мА) (Ом)Принимаем R25 = 1200 (Ом)10. Определим значения эквивалентного сопротивления резистора эмиттера RЭ:RЭ = RH || R26 || R28 || R25 == == == 325,291 (Ом)11. Определим коэффициент передачи повторителя: (Ом) 12. Определим входное сопротивление повторителя: (Ом)13. Определим выходное сопротивление повторителя:Rвых.п. = rЭ8 =4,878 (Ом)14. Определим значение емкости конденсатора С16: (мкФ)Примем С16= 68 (мкФ) в соответствии с Е6.Рассчитаем напряжение, которое необходимо подать на вход повторителя: (В)3.3 Аттенюатор Рис. 4 Принципиальная электрическая схема аттенюатораАттенюатор – это устройство, уменьшающее амплитуду сигнала без искажения его формы. Аттенюатор с помощью резистора R24 обеспечивает плавную регулировку и при помощи резисторов R21-R23 – дискретную.Т.о. аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них:(-∞ - 0) дБ(-∞ - - первый диапазон (-0,325)) дБ(-∞ - - второй диапазон (-3,7375)) дБ(-∞ - - третий диапазон (-13,975)) дБВ качестве потенциометра R24 выберем резистор с сопротивлением в пределах от 2,0 до 5,1 кОм. R24 = 3600 Ом.Диапазон ослабления определяется следующим образом: (дБ)Отсюда (Ом) дБ. (Ом)Принимаем значение R21= 150 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ) дБ. (Ом)Принимаем значение R22 = 2000 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ) дБ. (Ом)Принимаем значение R23 = 15000 Ом, в соответствии с рядом Е24.Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем: (дБ)Определим токи, проходящие через сопротивления аттенюатора: (мА)где входное напряжение аттенюатора соответствует входному напряжению эмиттерного повторителя на транзисторах VT7- VT8:UвхА = UвхП3 =0,34 (В) (мА) (мА) (мА)Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах аттенюатора: (Вт) (Вт) = 1,215 (мкВт) (Вт) = 7,2 (мкВт) (Вт) = 4,86 (мкВт) (Вт) = 32 (мкВт)3.4 Эмиттерный повторитель №2 на транзисторах VT6,VT5 Рис.5 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №2 на транзисторах VT6,VT5:В качестве нагрузки данного эмиттерного повторителя примем R24 аттенюатора:UН = UBX А = 0,34 (В)RН = R24 = 3600 (Ом) Примем значение тока покоя транзистора VT6 равным 5 мА IП6 = 5 (мА) = 0,005 (А) Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6: UКЭ6 = Uн+U0 = 0,34+1,5 = 1,84 (В) Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT6: PК6 = UКЭ6·IП6 = 1,84*0,005 = 9,2 (мВт) Выбираем транзисторы VT5, VT6, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin fгр, МГц Iко, мкА VT5 М3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 20 VT6 М3А n-p-n 75 15 50 {18…55} 1 20 Зададимся напряжением питания из расчета, что: Ек=2∙Uкэ6 = 2*1,84 = 3,68 (В)Принимаем ЕК = 6 (В), в соответствии с рядом напряжений источников питания. Определим ток базы транзистора VT6: (А) = 0,125 (мА) Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7: По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что = (7-10). (А) = 0,013 (мА) (А) = 0,113 (мА) Примем ток делителя (А) = 0,125 (мА) Определим сопротивление резистора в цепи эмиттера транзистора VT6: IR20=Iб6+IП6 = 0,000125 + 0,005 = 0,005125 (А) = 5,125 (мА) (Ом)Принимаем R20 = 820 (Oм)В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6 и определим падение напряжения на резисторе 20:UКЭ6=ЕК-R20∙IR20 = 6-811,707*0,005125 = 1,840 (В)UR20=R20∙IR20 = 811,707*0,005125 = 4,159 (В) Примем значение сопротивления R19 максимально большим (≈3900-15000 Ом): R19 = 10000 (Ом)Тогда:IR19= Iб5 =0,0000125 (А) = 0,0125 (мА)UR19=R19∙IR19 = 10000*0,0000125 = 0,125 (В) Определим резисторы в цепи делителя (А) = 0,125 (мА)Uбэ5, Uбэ6 примем равными 0,7 В (Ом)Принимаем R18 = 47000 (Ом)UR18=R18∙IR18 =47000*0,000125 = 5,875 (В)Пересчитаем значение напряжения Uбэ5: (В) (А) = 0,138 (мА) (Ом)Принимаем R17 = 910 (Ом) Определим RЭ: RЭ

3.7 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT2,VT1 Рис.8 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №1 на транзисторах VT2,VT1Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление последующего усилительного каскада (на транзисторе VT3), а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же усилительного каскада, т.е.: (В) (Ом)1. Вычислим значение тока, протекающего через нагрузку: (А)2. Определим параметры транзистора VT2: (В), гдеU0=1÷2 В (В) (А) (Вт)3. Выберем транзистор VT2 (n-p-n), в соответствие с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА VT2 4. Определим значение тока базы VT2: (А)5. Определим падение напряжения на резисторе R4: (В)6. Определим параметры транзистора VT1: (В) (Вт)7. Выберем транзистор VT1 (n-p-n), в соответствие с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида: Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА VT1 8. Определим значение тока базы VT1: (А)9. Определим значение тока делителя:Выберем ток базового делителя из условия, что Iд>>Iб. Примем: (А)10. Найдем значение сопротивления резистора R4: (Ом)11. Примем значение сопротивления резистора R3 в пределах 5÷10 (кОм) в соответствии с рядом Е24. Тогда: (В)12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя: (В) (В)13. Определим значения резисторов базового делителя: (Ом) (Ом)Примем значения этих сопротивлений в соответствии с рядом Е24.14. Определяем величину Rэ

Транзисторы:

Стабилитроны:

Стабилитроны:


Конденсатор С12.

Ом

Ом
Конденсатор С15.

Ом

Ом

Конденсатор С17.

Ом

Ом
Конденсатор С18.

Ом

Ом
Конденсатор С23.

Ом

Ом


5. Расчет параметрических стабилизаторов напряжения
Так как выходной усилительный каскад питается от источника питания ЕК = В, а остальным каскадам и эмиттерным повторителям необходимы другие значения напряжений источников питания, то необходимо уменьшить напряжение питания выходного каскада для остальных элементов схемы. Для решения этой задачи применяется схема параметрического стабилизатора напряжения:

Принципиальная электрическая схема параметрического стабилизатора напряжения на стабилитроне приведена на рисунке 9:

 

Рис.9 Принципиальная электрическая схема параметрического стабилизатора

Принцип действия данного стабилизатора основан на стабилизации напряжения на нагрузке (на Rн) на уровне напряжения стабилизации стабилитрона VD1. Данный стабилизатор представляет собой делитель напряжения, одним из плечей которого является балластный резистор R1, а вторым - соединенные стабилитрон VD1 и нагрузка Rн. Расчет делителя напряжения проще всего производить, используя закон Ома для участка цепи. т.о. расчет сводится к выбору номинала и мощности балластного резистора R1.

Исходными данными для расчета являются:


a) Входное напряжение (Uвх к), в данном случае равное напряжению источника питания всего устройства или напряжению питания выходного каскада.

b) Необходимое напряжение на нагрузке (U=Ек э.п. на VTi или U=Ек ус на VTi), в данном случае равное напряжению питания для какого-либо эмиттерного повторителя либо предварительного усилителя.

c) Ток, потребляемый нагрузкой (Iн), в данном случае равный току для какого-либо эмиттерного повторителя либо предварительного усилителя.

1. С учетом исходных данных выбирается стабилитрон с напряжением стабилизации UVD1 (или Uст), равным или близким U , и током стабилизации Iст, большим примерно в 2 раза, чем ток, потребляемый нагрузкой. Далее, у выбранного стабилитрона сводим основные характеристики в таблицу вида:

Позиционное обозначение

Тип

Uст min, В

Uст max, В

Uст ном, В

Iст, A

VDi
















2. Как видно из рисунка, ток протекающий через балластный резистор R1 является суммой тока стабилизации стабилитрона VD1 -  Iст и тока, потребляемого нагрузкой Iн. Именно этот ток (Iн=IR1) и следует использовать в дальнейших расчетах. В качестве IR1 принимается сумма токов протекающих через эмиттерный повторитель или предварительный усилитель:

(А)

Например, для эмиттерного повторителя на VT7-VT8 значение тока IR1 определяется следующим образом:

IR1VT7,8=Iст+Iд + Iб7 + Iк7 + Iк8 (А)

Для эмиттерного повторителя на транзисторах VT5-VT6:

IR1VT5,6= Iст+Iд + Iб5 + Iк5 + Iк6 (А)

Для эмиттерного повторителя на транзисторах VT1-VT2:

IR1VT1,2= Iст+Iд + Iб1 + Iк1 + Iк2 (А)

Для предварительного усилителя на транзисторе VT3:

IR1VT3,4= Iст+Iд + Iб3 + Iк3 (А)

Для предварительного усилителя на транзисторе VT4:

IR1VT3,4= Iст

+Iд + Iб4 + Iк4 (А)
Из закона Ома для участка цепи определяем значение тока, проходящего через балластный резистор:

(А)

3. Значение балластного сопротивления определяется из предыдущего пункта т.е.:

(Ом)

Реальное значение сопротивления R1 выбирается, как ближайшее к полученному из ряда Е24.

4. Имея значение сопротивления резистора R1 и ток, протекающий через него, рассчитывается мощность рассеяния резистора R1:
(Вт)
На рисунке 10 приведена схема стабилизатора напряжения для одного из каскадов усилителя.


Рис. 10 Схема стабилизатора напряжения

Пример расчета для одного из нескольких, необходимых в схеме, параметрических стабилизаторов:

Выходной усилительный каскад питается от источника питания ЕК = 50 В, а эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT1- VT2 от ЕК = 9 В, то необходимо уменьшить напряжение питания.

1. Выбираем стабилитрон с подходящими параметрами:

В качестве стабилизатора VD1 выбираем:

Позиционное обозначение

Тип

Uст min, В

Uст max, В

Uст ном, В

Iст ном, A

VD1

КС482А

8,5

10,2

9

0,005


Рассчитаем сопротивление R41:

R41 = (В), где

2. Определяем значение суммы токов, протекающих через балластный резистор:

IR41 = Iст + (А)



тогда IR41 = Iст + =5+3,314 = 8,314 мА

UR
41 = Eк - 9 = 50 - 9 =41 В

3. Определяем значение сопротивления балластного резистора:

R41 = кОм

Принимаем: R41 = 5,1 кОм

4. Определяем мощность рассеяния резистора R41:

PR41 = UR41 ∙ IR41 = 0,341 Вт


6. Расчет радиаторов
Радиаторы предназначены для отвода тепла от транзисторов в схеме, при мощности, превышающей 1,5 Вт. Т.о. те транзисторы, на которых рассеивается мощность более 1,5 Вт необходимо вынести за разъем, а также рассчитать для каждого площадь радиатора.

Площадь радиатора определим следующим образом:

(см2) , где

Т-коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду (для дюралюминия Т = 1,5 ( мВт / см2С );

RТп-с – тепловое сопротивление переход-среда, определяется следующим образом:

(К/Вт), где

Тс - температура среды (в техническом задании задан диапазон рабочих температур усилителя – от 10 до 30 °С , выбираем верхнее значение этого диапазона → Тс=30°С);

Тп - температура р-п - перехода, (определяется исходя из справочных данных, можно принять в пределах от 125 до 200 °С);

Рс – мощность, которую необходимо рассеять.

Затем необходимо привести рисунок радиатора с указанием его линейных размеров (в см).

Пример:

В качестве выходных транзисторов VT12 и VT13 выбраны транзисторы типа КТ928Г . У них температура p-n-перехода Тп = 150С (данные из справочника). Необходимо рассеять мощность Pк = 19,14 ( Вт ). Произведем расчет теплового сопротивления переход-среда:

К/Вт

Определим площадь радиатора из дюралюминия:

см2

Рисунок: (Необходимо привести рисунок радиатора по тем размерам, которые получились в расчете).

7. Расчет АФХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4

Рассчитаем амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики для предварительного усилителя на транзисторе VT4, без ОС, для диапазона частот, где частотные искажения не превышают
.

Для расчета АЧХ воспользуемся формулами:

, где

К4 – коэффициент усиления на средних частотах для усилительного каскада на транзисторе VT4.

1. Рассчитаем зависимость коэффициента усиления на НЧ от частоты:



Определим значение коэффициента частотных искажений в области низких частот:

-



, где

(с)

(с)

Определим частоту, на которой Мн= :

=

=

Решив это уравнение относительно fн получим значение нижней граничной частоты полосы пропускания. Т.О. fн= Гц.

Задаваясь различными значениями частот fн найдем значения соответствующих коэффициенту усиления Kнч:



fн, Гц



Mн

Kнч

1













2













3













4













5













6













7