Файл: Техническое описание проекта Уселитель звуковой частоты на микросхеме dta2030.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.11.2023
Просмотров: 58
Скачиваний: 1
происходит нарушение стереофонического эффекта, в основном, в них преобладает высокочастотное звучание.
При выборе изделия, помимо собственного желания, необходимо также учитывать свои собственные возможности. Например, есть ли возможность достать необходимый материал, или хватит ли навыков и умений при изготовлении проекта. Думаю, что навыки, которые потребуются при изготовлении проекта, у меня есть, так как подобные изделия я делал и раньше, и это не будет для меня очень сложной работой. Решив сделать самостоятельно этот проект, я хотел попробовать себя и как конструктор, и как дизайнер. В моём сознании уже давно сложился процесс изготовления изделия, прояснились проблемы, с которыми мне придётся столкнуться. Но чем сложнее изделие, тем интереснее, тем глубже удовлетворение от победы над собой. Изученный материал по курсу математики, черчения, физики и технологии поможет мне решить эту задачу.
Но перед тем как принять окончательное решение, я исследовал потребительский рынок (по какой цене, качеству и дизайну сегодня предлагают такой товар на рынке) и выяснил следующие положения.
Описание микросхемы
В данную микросхему я собрал на TDA 2003 усилитель звука. Микросхема TDA2003 дает возможность собрать простой усилитель звуковой частоты, при использовании минимального количества внешних компонентов. При этом она обеспечивает высокую нагрузочную способность по току (до 3.5 А) и очень низкие уровни гармоник и перекрестных помех. Безопасная работа обеспечивается защитой от короткого замыкания по постоянному и переменному току, тепловой защитой и отключением нагрузки при всплесках напряжения до 40 В. Представлена схема по сборке микросхемы. Были использованы микросхема TDA 2003, конденсаторы и резисторы.
| Абсолютные максимальные значения | |||
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
| Vs | Максимальный импульс напряжения питания (50 мс) | 40 | В |
| Vs | Постоянное напряжение питания | 28 | В |
| Vs | Рабочее значение напряжения питания | 18 | В |
| Io | Максимальный импульс выходного тока (повторяющийся) | 3.5 | А |
| Io | Максимальный импульс выходного тока (неповторяющийся) | 4.5 | А |
| Ptot | Рассеиваемая мощность при температуре корпуса Tcase = 90°C | 20 | Вт |
| Tstg, Tj | Температура хранения и температура кристалла | от -40 до 150 | °C |
| Электрические характеристики (Vs = 14.4 В, температура окружающей среды 25 °C) | ||||||
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Характеристики для цепи проверки по постоянному току | ||||||
| Vs | Напряжение питания | | 8 | | 18 | В |
| Vo | Выходное напряжение покоя (на выводе 4) | | 6.1 | 6.9 | 7.7 | В |
| Id | Потребляемый ток покоя (на выводе 5) | | | 44 | 50 | мА |
| Характеристики для цепи проверки по переменному току | ||||||
| Po | Выходная мощность | d = 10%, f = 1 кГц, RL = 4 Ом | 5.5 | 6 | | Вт |
| d = 10%, f = 1 кГц, RL = 2 Ом | 9 | 10 | | Вт | ||
| d = 10%, f = 1 кГц, RL = 3.2 Ом | | 7.5 | | Вт | ||
| d = 10%, f = 1 кГц, RL = 1.6 Ом | | 12 | | Вт | ||
| Vi(rms) | Входное напряжение насыщения | | 300 | | | мВ |
| Vi | Чувствительность на входе | f = 1 кГц, Po = 0.5 Вт, RL = 4 Ом | | 14 | | мВ |
| f = 1 кГц, Po = 6 Вт, RL = 4 Ом | | 55 | | мВ | ||
| f = 1 кГц, Po = 0.5 Вт, RL = 2 Ом | | 10 | | мВ | ||
| f = 1 кГц, Po = 10 Вт, RL = 2 Ом | | 50 | | мВ | ||
| В | Частотная характеристика (-3 дБ) | Po = 1 Вт, RL = 4 Ом | от 40 до 15000 | Гц | ||
| d | Искажения | f = 1 кГц Po =от 0.05 до 4.5 Вт, RL = 4 Ом Po =от 0.05 до 7.5 Вт, RL = 2 Ом | | 0.15 | | % |
| Ri | Входное сопротивление (вывод 1) | f = 1 кГц | 70 | 150 | | кОм |
| Gv | Усиление по напряжению (разомкнутый контур) | f = 1 кГц | | 80 | | дБ |
| f = 10 кГц | | 60 | | дБ | ||
| Gv | Усиление по напряжению (замкнутый контур) | f = 1 кГц, RL = 4 Ом | 39.3 | 40 | 40.3 | дБ |
| eN | Напряжение шумов на входе | | | 1 | 5 | мкВ |
| iN | Токи шумов на входе | | | 60 | 200 | пА |
| η | КПД | f = 1 Гц, Po = 6 Вт, RL = 4 Ом | | 69 | | % |
| f = 1 Гц, Po = 10 Вт, RL = 2 Ом | | 65 | | % | ||
| SVR | Коэффициент ослабления нестабильности источника питания | f = 100 Гц, Vripple = 0.5 В, Rg = 10 кОм, RL = 4 Ом | 30 | 36 | | дБ |
Принципиальная схема включения TDA2003