Файл: Исследование полупроводниковых диодов.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 22.11.2023

Просмотров: 73

Скачиваний: 9

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Пороговое напряжение равно 55 В.

Rобр=(Uобр1-Uобр2)/(Iобр1-Iобр2)/1000=(55-0,2)/(0,0001)/1000=550 МОм



Рисунок 6 Обратная ВАХ КД522А

В ходе выполнения лабораторной работы пункта 3, выяснили, что точечный диод обладает низкими пробивными свойствами, так как его пороговое напряжение значительно меньше, чем у плоскостного диода. Но значения тока до порогового (пробивного) напряжения более стабильны, что позволяет использовать точечный диод (модель Д223А, КД522А) для схем. Обратный ток у плоскостного диода плавно нарастает практически на всем участке графика до порогового (пробивного) напряжения, что не дает такой возможности: использовать его как стабилизатор.

4. Частотные характеристики

4.1 Д223А

Схема для измерений приведена на рисунке 7



Рисунок 7 Схема для измерений

Снимаем исследования с помощью осциллограммы для диода Д223А для частот 1кГц, 10 кГц, 30 кГц, 50 кГц соответственно на рисунках 8, 9, 10, 11.



Рисунок 8



Рисунок 9



Рисунок 10



Рисунок 11

4.2 Диод КД522А

Аналогично снимаем осциллограммы для диода КД522А для частот 1кГц, 10 кГц, 30 кГц, 50 кГц соответственно на рисунках 12, 13, 14, 15.



Рисунок 12



Рисунок 13



Рисунок 14



Рисунок 15

5. Вывод: В ходе выполнения 3 пункта лабораторной работы, исследовали свойства полупроводниковых диодов плоскостного и точечного типов
, с помощью осциллограммы снимали вольтамперные характеристики и определяли параметры диодов в широком диапазоне частот.