Файл: Эскизный расчет курсового проекта Приемники непрерывных сигналов.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 05.12.2023
Просмотров: 43
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
(44)
где - напряжение на входе детектора, равное (0.5…1)В для АД, СД, ЧД (с настроенными или расстроенными контурами ) и (30…50)мВ для дробного ЧД;
=5…10 – коэффициент запаса.
Берем транзистор КТ 342 В
= (45)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
= = (46)
= (47)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:
(48)
N=4
4.Определить усиление в тракте низкой частоты.
Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)
где =2…5 – коэффициент запаса,
=(0,8…0,9)
= (50)
Определяем напряжение в нагрузке:
= В (51)
В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.
Серии МС | | (кГц) | | | |
К 226 УН1А,Б,С | 250…350 | 0, 2…100 | +12,-6 | | |
Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.
9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)
Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)
где - динамический диапазон регулировки одного каскада
(54)
- число охватываемых каскадов АРУ
10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4
Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника следующие:
в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;
около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;
ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;
показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;
вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:
для АТ сигналов – АД,
для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),
для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД – это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.
Р ис. 5
Рис.6
Приложение 1
Параметры биполярных транзисторов
Тип транзистора | (МГц) | (Ом) | | (пФ) | (пС) | Шт (дБ) | (Ом) (Ом) |
КТ 342 В | 300 | 200 | 400 | 4 | 700 | 7 | 5 50 |
КТ 306 А | 500 | 30 | 30 | 5 | 500 | 15 | 30 100 |
КТ 306 Б | 650 | 30 | 60 | 5 | 500 | 15 | 30 100 |
КТ 3126 А | 500 | 7 | 100 | 2,5 | 15 | 8 | 5 6 |
КТ 3127 А | 600 | 6 | 150 | 1 | 10 | 5 | 5 10 |
КТ 316 А | 600 | 17 | 60 | 3 | 50 | 10 | 15 16,7 |
КТ 316 Б,В | 800 | 17 | 120 | 3 | 50 | 10 | 15 16,7 |
КТ 316 Г | 600 | 17 | 100 | 3 | 150 | 10 | 15 50 |
КТ 316 Д | 800 | 17 | 300 | 3 | 150 | 10 | 15 50 |
КТ 3128 А | 800 | 7 | 150 | 1 | 5 | 5 | 6 5 |
КТ 397 А | 800 | 25 | 300 | 1,3 | 40 | 6 | 20 30,8 |
КТ 3109 А | 800 | 8 | 15 | 1 | 10 | 6 | 7 10 |
ГТ 311 А | 770 | 8 | 70 | 1,8 | 50 | 8 | 8 27,8 |
ГТ 311 Б | 1500 | 8 | 80 | 1,5 | 100 | 5,1 | 8 66,7 |
ГТ 311 Г | 1500 | 8 | 60 | 1,5 | 75 | 5,1 | 8 50 |
ГТ 311 Д | 1500 | 7 | 110 | 1,5 | 75 | 5,1 | 8 50 |
ГТ 329 А | 1200 | 22 | 100 | 2 | 15 | 4 | 10 7,5 |
Т 341 А | 1950 | 60 | 60 | 1 | 10 | 4,5 | 30 10 |
КТ 382 А | 2250 | 3 | 330 | 2 | 6 | 3 | 3 3 |
КТ 382 Б | 2250 | 3 | 330 | 0,7 | 5,5 | 4,5 | 3 2,8 |
КТ 372 А | 2400 | 20 | 10 | 1 | 9 | 3,5 | 8 9 |
КТ 372 Б | 3000 | 20 | 10 | 1 | 9 | 3,5 | 8 9 |
КТ 371 А | 3600 | 10 | 200 | 1,2 | 10 | 5 | 8 8,3 |
Т 362 | 4800 | 5 | 200 | 1 | 10 | 4 | 8 10 |
ГТ 362 Б | 4800 | 5 | 200 | 0,5 | 30 | 4 | 8 6 |
КТ 391 А | 7000 | 8 | 150 | 0,7 | 3,7 | 4,5 | 7 5,3 |
КТ 391 Б | 7000 | 8 | 150 | 1 | 3,7 | 4,5 | 7 5,3 |
КТ 368 А | 7000 | 6 | 300 | 1,7 | 15 | 3,3 | 5 2,8 |
КТ 368 Б | 7000 | 6 | 300 | 1,7 | 15 | 2,8 | 5 2,8 |
КТ 3115 А-2 | 7500 | 9 | 20 | 0,6 | 9 | 5 | 7 15 |
КТ 3124 А-2 | 8000 | 6 | 200 | 0,6 | 2,5 | 5 | 5 4,2 |
КТ 610 А | 10000 | 12 | 300 | 4,1 | 55 | 6 | 10 13,4 |
КТ 610 Б | 7000 | 12 | 300 | 4,1 | 22 | 6 | 5,4 |
Приложение 2
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
- прямая проводимость (крутизна) транзистора,
- обратная проводимость транзистора,
- выходная проводимость транзистора,
- входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистора | Расчетные формулы |
| |
| |
| |
| |