Файл: Эскизный расчет курсового проекта Приемники непрерывных сигналов.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.12.2023

Просмотров: 42

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.


где
,

При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2

Параметры транзистора в схеме с ОЭ

Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ


















Приложение 3

Таблица отношений напряжений и мощностей


N (дБ)





N (дБ)





N (дБ)





0

1,0

1,0

2,1

1,27

1,62

7,0

2,2

5,02

0,1

1,012

1,024

2,2

1,29

1,66

8,0

2,5

6,31

0,2

1,024

1,048

2,3

1,31

1,7

9,0

2,8

8,0

0,3

1,035

1,07

2,4

1,32

1,74

10,0

3,2

10,0

0,4

1,047

1,09

2,5

1,34

1,8

11,0

3,58

13,0

0,5

1,06

1,12

2,6

1,35

1,82

12,0

4,0

16,0

0,6

1,07

1,14

2,7

1,365

1,86

13,0

4,5

20,0

0,7

1,085

1,17

2,8

1,38

1,9

14,0

5,02

25,1

0,8

1,097

1,2

2,9

1,4

1,95

15,0

5,67

31,0

0,9

1,11

1,23

3,0

1,42

2,0

16,0

6,31

40,0

1,0

1,12

1,26

3,1

1,437

2,048

17,0

7,1

51,0

1,1

1,135

1,29

3,2

1,45

2,096

18,0

8,0

64,0

1,2

1,148

1,3

3,3

1,47

2,14

19,0

8,96

80,0

1,3

1,161

1,3

3,4

1,486

2,18

20,0

10

100

1,4

1,17

1,3

3,5

1,5

2,24

30,0

32



1,5

1,19

1,4

3,6

1,52

2,28

40,0

100



1,6

1,2

1,4

3,7

1,54

2,34

50,0

320



1,7

1,22

1,48

3,8

1,557

2,4

60,0





1,8

1,23

1,52

3,9

1,57

2,46

70,0





1,9

1,245

1,55

4,0

1,6

2,5

80,0





2,0

1,26

1,6

5,0

1,8

3,2

90,0














6,0

2,0

4,0

100.0







Приложение 4

Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты


Серии МС



(кГц)







К 226 УН1А,Б,С

250…350

0,2…100

+12,-6





К 226 УН2А,Б,С

25…35

0,02…100

+12,-6





К 226 УН3А,Б,С

270…330

0,02…100

+6,-9





К 226 УН4А,Б,С

9…11

0,02…100

+6,-9





К 226 УН5А,Б,С

90…100

0,02…100

+12,-6






Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.