Файл: Конспект лекций по дисциплине оп. 06 Материаловедение, электрорадиомате риалы и радиокомпоненты для студентов специальности 11. 02. 16 сост. Фролов А. Л.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.12.2023

Просмотров: 62

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

14
Магнитодиэлектрики – это композиционные материалы которые включают 70-80% порошкообразного магнитного материала и 30-20% органического высокополимер- ного диэлектрика.
Магнитодиэлектрики и ферриты отличаются от металлических магнитных материа- лов большими значениями удельного электрического сопротивления. Это значитель- но снижает потери на вихревые токи, что позволяет использовать эти материалы в технике высоких частот.
Магнитные свойства материалов характеризуются рядом физических величин или магнитными характеристиками: петлей гистерезиса, кривой намагничивания, маг- нитной проницаемостью, потерями энергии при перемагничивании.
Основные физические свойства магнита определяются характером размагничиваю- щей ветви петли магнитного гистерезиса материала, из которого изготовлен магнит.
Чем больше коэрцитивная сила Hc и остаточная магнитная индукция Br материала, то есть чем более магнитно-твѐрдым является материал, тем лучше он подходит для магнита. Индукция в магните может равняться наибольшей остаточной индукции Br лишь в том случае, если он представляет собой замкнутый магнитопровод.
Обычно же магнит служит для создания магнитного потока в воздушном зазоре, на- пример, между полюсами подковообразного магнита. Воздушный зазор уменьшает индукцию (и намагниченность) магнита; влияние зазора подобно действию некоторо- го внешнего размагничивающего поля Hd. Значение поля Hd, уменьшающего оста- точную индукцию Br до значения Bd, определяется конфигурацией магнита. Таким образом, при помощи магнита могут быть созданы магнитные поля, индукция кото- рых В ≤ Br.
Действие магнита наиболее эффективно в том случае, если состояние магнита соот- ветствует точке кривой размагничивания, где максимально значение (BH) max, то есть максимальна магнитная энергия единицы объѐма магнитного материала.
Важным условием для достижения наивысших магнитных характеристик магнита яв- ляется его предварительное намагничивание до состояния магнитного насыщения.
Другое важное требование – неизменность магнитных свойств со временем и при воздействии неблагоприятных условий внешней среды.
Магнитная индукция и напряженность магнитного поля
Магнитная индукция B – векторная величина, являющаяся силовой характеристикой магнитного поля (его действия на заряженные частицы) в данной точке пространства.
Определяет, с какой силой магнитное поле действует на заряд, движущийся в маг- нитном поел с определенной скоростью.
Единица измерения в системе СИ: Тесла.
Напряжѐнность магнитного поля Н — векторная физическая величина, равная разно- сти вектора магнитной индукции B и вектора намагниченности M.
Единица измерения в системе СИ: амперы на метр (А/м).


15
Намагниченность
Намагниченность – векторная физическая величина, характеризующая магнитное со- стояние макроскопического физического тела. Обозначается обычно М или J.
Определяется как магнитный момент единицы объѐма вещества.
Единица измерения в системе СИ: А/м-1.
Магнитная проницаемость
Для характеристики поведения магнитных материалов в поле с напряженностью Н пользуются понятиями абсолютной магнитной проницаемости μа и относительной магнитной проницаемости μr:
μа= В/Н
μа= μ0 · μr , где μ0 = 4·π · 107 - магнитная постоянная, Гн/м.
Относительную магнитную проницаемость материала μr получают по основной кри- вой намагничивания. Для простоты индекс и слово «относительная» не упоминается.
Наиболее часто используют понятия нормальной μ, начальной μн, максимальной
μмах, дифференциальной μдиф и импульсной μимп магнитной проницаемости.
Раздел 3 Радиокомпоненты, применяемые при производстве
радиоэлектронных приборов и устройств

Тема 3.1 Резисторы
1. Назначение резисторов. Классификация резисторов. Конструкции резисторов. Па- раметры резисторов. Система обозначений и маркировки резистров.
Резисторы классифицируются по следующим признакам.
В зависимости от характера изменения сопротивления резисторы подразделяются на:
- постоянные - сопротивление резистора фиксировано и не может быть изменено;
- переменные - сопротивление резистора может изменяться в любое время в опреде- ленных пределах многократно;
- подстроечные - сопротивление резистора может изменяться в любое время в опре- деленных пределах, но ограниченное число раз;
- фоторезисторы - сопротивление резистора меняется под воздействием света;
- терморезисторы - сопротивление резистора меняется под воздействием тепла;
- варисторы - сопротивление резистора зависит от приложенного напряжения;
- тензорезисторы - сопротивление резистора зависит от приложенных механических напряжений.
В зависимости от назначения резисторы подразделяются на:

16
- резисторы общего назначения: диапазон сопротивления от 10 Ом до 10 Мом, мощ- ность рассеивания от 65 мВт до 100 Вт, допустимое отклонение сопротивления от номинального от ±1% до ±20%;
- прецизионные – это резисторы, которые обладают значительной стабильностью па- раметров и значительной точностью (от ±0,0005% до ±0,5%);
- высокочастотные – это резисторы, имеющие малую индуктивность и емкость и предназначенные для применения в высокочастотных цепях;
- высоковольтные – это резисторы с рабочим напряжением от 1 кВ до 50 кВ;
- высокоомные: диапазон номинального сопротивления от 10 МОм до 5 Том;
- низкоомные: диапазон номинального сопротивления от 0,01 Ом до 10 Ом.
В зависимости от способа защиты от внешних факторов резисторы подразделяются на:
- неизолированные – резисторы, корпус которых не допускает соприкосновения с корпусом РЭА;
- изолированные – резисторы, корпус которых допускает соприкосновение с корпу- сом РЭА;
- герметизированные – резисторы, имеющие герметичную конструкцию корпуса;
- вакуумные– резисторы, которые имеют резистивный элемент в стеклянной вакуум- ной колбе.
По материалу резистивного элемента резисторы разделяются на:
- проволочные - материалом резистивного элемента служит проволока с высоким удельным сопротивлением: манганин, константан, нихром, никелин;
- непроволочные - материалом резистивного элемента являются тонкие металличе- ские или металлооксидные пленки, или объемная композиция с высоким удельным сопротивлением. Материалом для непроволочных резисторов является металлоди- электрик, окислы металлов, тонкие металлические пленки, пленки углерода и боро- углерода, керметы.
- металлофольговые - материалом резистивного элемента является металлическая фольга.
Тема 3.2 Конденсаторы
1. Назначение конденсаторов. Классификация и конструкции конденсаторов. Пара- метры конденсаторов. Разновидности конденсаторов. Система обозначений и марки- ровки конденсаторов.
Принцип действия конденсаторов основан на способности накапливать на обкладках электрические заряды при приложении между ними напряжения. Количественной мерой способности накапливать электрические заряды является емкость конденсато- ра. В простейшем случае конденсатор представляет собой две металлические пласти- ны, разделенные слоем диэлектрика. Емкость такого конденсатора, пФ

17
(2) где e - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика ( e >1 ),
S - площадь обкладок конденсатора (см
2
),
d - расстояние между обкладками (см).
Конденсаторы широко используются в РЭА для самых различных целей. На их долю приходится примерно 25% всех элементов принципиальной схемы.
По назначению конденсаторы делятся на конденсаторы общего назначения и специ- ального назначения. Конденсаторы общего назначения делятся на низкочастотные и высокочастотные. К конденсаторам специального назначения относятся высоко- вольтные, помехоподавляющие, импульсные, дозиметрические, конденсаторы с элек- трически управляемой емкостью (варикапы, вариконды) и др.
По назначению конденсаторы подразделяются на контурные, разделительные, блоки- ровочные, фильтровые и т.д., а по характеру изменения емкости на постоянные, пе- ременные и полупеременные (подстроечные).
По материалу диэлектрика различают три вида конденсаторов: с твердым, газообраз- ным и жидким диэлектриком. Конденсаторы с твердым диэлектриком делятся на ке- рамические, стеклянные, стеклокерамические, стеклоэмалевые, слюдяные, бумаж- ные, электролитические, полистирольные, фторопластовые и др.
По способу крепления различают конденсаторы для навесного и печатного монтажа, для микромодулей и микросхем.
Пакетная конструкция (Рис. 2). Она применяется в слюдяных, стеклоэмалевых, стеклокерамических и некоторых типах керамических конденсаторов и представляет собой пакет диэлектрических пластин (слюды) I толщиной около 0,04 мм, на которые напылены металлизированные обкладки 2, соединяемые в общий контакт полосками фольги 3.
Рис. 2 Пакетная конструкция
Рис. 3. Трубчатая конструкция
Трубчатая конструкция. Она характерна для высокочастотных трубчатых конденса- торов и представляет собой керамическую трубку I (Рис. 3) с толщиной стенок около
0,25 мм, на внутреннюю и внешнюю поверхность которой методом вжигания нанесе- ны серебряные обкладки 2 и 3. Для присоединения гибких проволочных выводов 4 внутреннюю обкладку выводят на внешнюю поверхность трубки и создают между ней и внешней обкладкой изолирующий поясок 5, снаружи на трубку наносится за- щитная пленка из изоляционного вещества.

18
Дисковая конструкция. Эта конструкция (Рис. 4) характерна для высокочастотных керамических конденсаторов: на керамический диск I с двух сторон вжигаются се- ребряные обкладки 2 и 3, к которым присоединяются гибкие выводы 4.
Рис. 4.Дисковая конструкция
Рис. 5 Литая конструкция
Литая секционированная конструкция. Эта конструкция характерна для монолитных многослойных керамических конденсаторов (Рис. 5), получивших в последние годы широкое распространение, в том числе в аппаратуре с ИМС.
Такие конденсаторы изготовляют путем литья горячей керамики, в результате кото- рого получают керамическую заготовку I с толщиной стенок около 100 мкм и проре- зями (пазами) 2 между ними, толщина которых порядка 130-150 мкм. Затем эта заго- товка окунается в серебряную пасту, которая заполняет пазы, после чего осуществ- ляют вжигание серебра в керамику.
В результате образуются две группы серебряных пластин, расположенных в пазах ке- рамической заготовки, к которым припаиваются гибкие выводы
Рулонная конструкция. Эта конструкция (Рис. 6.) характерна для бумажных пленоч- ных низкочастотных конденсаторов, обладающих большой емкостью. Бумажный конденсатор образуется путем свертывания в рулон бумажной ленты 1 толщиной около 5-6 мкм и ленты из металлической фольги 2 толщиной около 10-20 мкм. В ме- таллобумажных конденсаторах вместо фольги применяется тонкая металлическая пленка толщиной менее 1 мкм, нанесенная на бумажную ленту.
Рулон из чередующихся слоев металла и бумаги не обладает механической жестко- стью и прочностью, поэтому он размещается в металлическом корпусе, являющемся механической основой конструкции.
Рис. 7 Рулонный конденсатор

19
Тема 3.3 Катушки индуктивности
1.Назначение катушек индуктивности. Конструкции катушек индуктивности. Разновид- ности катушек индуктивности
Как магнитное, так и электрическое поля создаются тем или иным элементом цепи. В случае статических полей, магнитное и электрическое поля могут существовать неза- висимо друг от друга. Переменное же электрическое поле всегда неразрывно связано с беременным магнитным полем. Однако, несмотря на эту связь, можно выделить де- тали, назначение которых состоит в создании или в преимущественном использова- нии одного из этих полей. Применительно к электрическому полю такими деталями являются конденсаторы, а применительно к магнитному - детали, называемые катуш- ками индуктивности.
Любой проводник с током создает в окружающем его пространстве магнитное поле.
Для концентрации поля в заданном локальном объеме проводник с током свертыва- ется в цилиндрическую спираль, называемую в электротехнике соленоидом.
В радиоэлектронике вместо термина "соленоид" используется наименование «ка-
тушка индуктивности»(лат.inductio- наведение). Используя различное число вит- ков, изменяя их форму или помещая внутрь катушки сердечник с повышенным зна- чением , можно при одной и той же величине тока, протекающего через катушку, создавать магнитное поле различной интенсивности.
Классификация катушек индуктивности
Катушки индуктивности можно классифицировать по ряду признаков.
По конструкции они подразделяются на: однослойные и многослойные, на каркасах и бескаркасные, с сердечниками и без сердечников, на экранированные и неэкранированные, высокочастотные (обладающие индуктивным характером полного сопротивле- ния в диапазоне частот от 100 кГцдо400 МГц) и низкочастотные и т.д.
По назначению катушки индуктивности подразделяются на: контурные, катушки связи, дроссели высокой и низкой частоты и т.п.
Основные характеристики и параметры катушек индуктивности
Основными характеристиками катушек являются индуктивность, собственная ем- кость, активное сопротивление и добротность, температурная стабильность индук- тивности. Рассмотрим эти параметры.
Индуктивность катушки L- основной параметр, определяющий реактивное сопро- тивление, которым обладает катушка в электрической цепи. При расчете индуктив- ности катушек различной конструкции пользуются полуэмпирическими формулами и вспомогательными графиками, приводимыми в справочной литературе. В отличие от

20 конденсаторов и резисторов, номинальные значения индуктивности катушек (исклю-
чение составляют унифицированные ВЧ и НЧ дроссели) ГОСТами не нормируют- ся, а определяются исходя из стандартов предприятий или технических условий на конкретную аппаратуру. В РЭА применяются катушки с индуктивностью от долей микрогенри (контурные высокочастотные) до десятков генри (дроссели фильтров выпрямителей). Контурные катушки по величине индуктивности изготовляются с точностью0,2...0,5%,а для других катушек индуктивности допустима точ- ность10...15%.
Собственная емкость катушки C
L
обусловлена существованием электрического поля между ее отдельными витками, а также между отдельными витками и корпусом (и экраном, если он имеется)прибора. Обычно считают(кадр 1),что собственная емкость катушки состоит из внутренней межвитковой емкости C
ВН
= C
ВН
i и монтаж-
ной емкости C
М
= C
М
i,т. е. C
L
= C
ВН
+ C
М
С увеличением диаметра намотки и уменьшением ее шага емкость C
ВН
возрастает.
Существенное увеличение емкости C
ВН
происходит при использовании каркасов ка- тушек из материалов с повышенным значением .
Монтажная емкость C
М
зависит от расположения катушки по отношению к шасси устройства, другим деталям, от размеров и формы экрана, если катушка экранирова- на. Из-за сложной конфигурации электрических полей точный расчет емкости C
L
практически невозможен и ее величину обычно определяют экспериментально. У применяемых в РЭА катушек индуктивности величина C
L
обычно составляет от еди- ниц до десятков и (при многослойной намотке) пикофарад.
Сопротивление потерь. Добротность катушки индуктивности. На низких часто- тах активное сопротивление катушки индуктивности можно считать равным сопро- тивлению провода ее обмотки на постоянном токе. С переходом на более высокие частоты начинает проявляться поверхностный эффект и активное сопротивление катушки возрастает. Кроме того, при сворачивании провода в спираль, т.е. при его намотке на катушку, магнитное поле проводника искажается вследствие появления магнитной связи между отдельными витками, и оно оказывается несимметричным относительно сечения провода. Это, в свою очередь, приводит к неравномерному распределению тока по периметру сечения проводника: внутри витка плотность тока будет выше. Смещение тока высокой частоты к оси обмотки катушки носит название
эффекта близости. Его влияние также увеличивает активное сопротивление катуш- ки.
Таким образом, можно считать, что активное сопротивление провода обмотки на пе- ременном токе R

= R
ПЭ
+R
Б
, где R
ПЭ
- составляющая сопротивления, зависящая от поверхностного эффекта, R
Б
.- составляющая, показывающая дополнительное возрас- тание сопротивления провода обмотки вследствие эффекта близости.

21
Рис.8
При фиксированном значении частоты переменного тока величина R
ПЭ
будет тем меньше, чем больше диаметр провода d.
Эффект близости, наоборот, проявляется более заметно с возрастанием диаметра провода d, т.е. с увеличением диаметра величинаR
Б
возрастает. Нарис.2.3.2показаны кривые этих зависимостей и зависимость полного сопротивления провода обмот- ки R

= R
ПЭ
+R
Б
= f(d)
от его диаметра. Для каждого значения частоты переменного тока существует оптимальный диаметр проводаd
ОПТ
, при котором активное сопро- тивление катушкиR

= R
MIN
, т.е. оно минимально.
Сопротивление провода R

на частотах до 1МГцможно уменьшить на30...40%,если вместо провода круглого сечения для намотки катушки применитьлитцендрат - многожильный провод, состоящий из отдельных перевитых друг с другом проводни- ков малого сечения, изолированных друг от друга. Это объясняется тем, что поверх- ность литцендрата оказывается намного больше поверхности монолитного провода, имеющего ту же площадь поперечного сечения.
Величину R

как параметр катушки для сравнения между собой различных катушек обычно не используют. Ею пользуются лишь для теплового расчета катушек индук- тивности в выходных каскадах мощных радиопередатчиков.
Для сравнения между собой отдельных катушек удобнее использовать параметр, оп- ределяющий активные потери как относительную величину, определяемую сравне- нием энергии W
R
, которая затрачивается в сопротивленииR

за период гармониче- ского колебания, с максимальной энергиейW
L
,запасаемой в магнитном поле катуш- ки. Отношение
W
L
, / W
R
= L / 2 R
(3)
и характеризует качество катушки. Однако для упрощения расчетов параметром ка- тушки принято считать величину в 2 раз большуюW
L
, / W
R
:
Q = L / R

(4)
Эта величина называется добротностью катушки индуктивности.
Чем выше добротность, тем меньше величина потерь в катушке и выше ее качество.
Значение Qопределяется выбором типа обмотки, материала каркаса, конструкцией

22 катушки и влиянием окружающих катушку других деталей при ее монтаже в аппара- туре.
В зависимости от влияния перечисленных факторов добротность применяемых в РЭА катушек обычно лежит в пределах 50...600, а при наличии сердечников может быть и выше.
Температурный коэффициент индуктивности.
Изменение температуры окружающей среды приводит к тому, что меняются длина и диаметр провода обмотки, размеры каркаса катушки, диэлектрическая проницае- мость материала каркаса и изоляции и т.д. Это приводит к изменению индуктивности катушки и ее добротности. Мерой зависимости индуктивности катушки от темпера- туры является температурный коэффициент индуктивности(ТКИ),определяемый аналогично другим температурным коэффициентам. Для катушек с многослойной обмоткой ТКИ = (50...500)10
- 6
К, для катушек с однослойной обмоткой ТКИ суще- ственно ниже.
Для повышения температурной стабильности катушек применяют пропитку их кар- касов и изоляции, используют керамические каркасы с обмоткой, выполненной мето- дом вжигания серебра, и герметизацию катушек. можно считать, что добротность ка- тушек снижается в среднем на 1 %на каждые3°сприращения температуры по отно- шению к их добротности при20°с. воздействие влаги может привести к существенно- му изменению (до30 %) собственной емкости и добротности катушек. Обычно это изменение носит обратимый характер, и после сушки величины q и c
l
принимают практически прежние значения.
Тема 3.4 Трансформаторы
1.Назначение трансформаторов. Принцип действия трансформатора. Основные ха- рактеристики.
Трансформатором называют статическое электромагнитное устройство, имеющее две или большее число индуктивно связанных обмоток и предназначенное для пре- образования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока.
Трансформаторы широко используют для следующих целей.
1. Для передачи и распределения электрической энергии. Обычно на электростан- циях генераторы переменного тока вырабатывают электрическую энергию при на- пряжении 6—24 кВ.
2. Для питания различных цепей радио- и телевизионной аппаратуры; устройств связи, автоматики в телемеханики, электробытовых приборов; для разделения элек- трических цепей различных элементов этих устройств; для согласования напряжений
3. Для включения электроизмерительных приборов и некоторых аппаратов, напри- мер реле, в электрические цепи высокого напряжения или в цепи, по которым прохо- дят большие токи, с целью расширения пределов измерения и обеспечения электро- безопасности. Трансформаторы, применяемые для этой цели, называют измеритель-

23
ными. Они имеют сравнительно небольшую мощность, определяемую мощностью, потребляемой электроизмерительными приборами, реле и др.
Принцип действия трансформатора
Электромагнитная схема однофазного двухобмоточного трансформатора состоит из двух обмоток (рис. 9), размещенных на замкнутом магнитопроводе, который выпол- нен из ферромагнитного материала. Применение ферромагнитного магнитопровода позволяет усилить электромагнитную связь между обмотками, т. е. уменьшить маг- нитное сопротивление контура, по которому проходит магнитный поток машины.
Первичную обмотку 1 подключают к источнику переменного тока — электрической сети с напряжением u
1
. Ко вторичной обмотке 2 присоединяют сопротивление на- грузки Z
H
Обмотку более высокого напряжения называют обмоткой высшего напряже-
ния (ВН), а низкого напряжения — обмоткой низшего напряжения (НН). Начала и концы обмотки ВН обозначают буквами А и X; обмотки НН — буквами а и х.
При подключении к сети в первичной обмотке возникает переменный ток i
1
, который создает переменный магнитный поток Ф, замыкающийся по магнитопроводу. Поток
Ф индуцирует в обеих обмотках переменные ЭДС — е
1
и е
2
, пропорциональные, со- гласно закону Максвелла, числам витков w
1
и w
2
соответствующей обмотки и скоро- сти изменения потока dФ/dt.
Рис. 9. Электромагнитная система однофаз- ного трансформатора:
1, 2первичная и вторичная обмотки; 3
магнитопровод
Таким образом, мгновенные значения ЭДС, индуцированные в каждой обмотке,
е
1
= - w
1
dФ/dt; е2= -w
2
dФ/dt.
Следовательно, отношение мгновенных и действующих ЭДС в обмотках определяет- ся выражением
Если пренебречь падениями напряжения в обмотках трансформатора, которые обыч- но не превышают 3 — 5% от номинальных значений напряжений U
1
и U
2
, и счи- тать E
1
≈U l
и Е
2
U
2
, то получим
Следовательно, подбирая соответствующим образом числа витков обмоток, при
заданном напряжении U
1
можно получить желаемое напряжение U
2
. Если необхо- димо повысить вторичное напряжение, то число витков w
2
берут больше числа w
1
; такой трансформатор называют повышающим. Если требуется уменьшить напряже- ние U
2
, то число витков w
2
берут меньшим w
1
; такой трансформатор называ- ют понижающим,

24
Отношение ЭДС Е
ВН
обмотки высшего напряжения к ЭДС Е
НН
обмотки низшего на- пряжения (или отношение их чисел витков) называют коэффициентом трансформа-
ции
Коэффициент k всегда больше единицы.
В системах передачи и распределения энергии в ряде случаев применяют трехобмо- точные трансформаторы, а в устройствах радиоэлектроники и автоматики — много- обмоточные трансформаторы. В таких трансформаторах на магнитопроводе разме- щают три или большее число изолированных друг от друга обмоток, что дает воз- можность при питании одной из обмоток получать два или большее число различных напряжений (U
2
, U
3
, U
4
и т.д.) для электроснабжения двух или большего числа групп потребителей. В трехобмоточных силовых трансформаторах различают обмотки высшего, низшего и среднего (СН) напряжений.
В трансформаторе преобразуются только напряжения и токи. Мощность же остается приблизительно постоянной (она несколько уменьшается из-за внутренних потерь энергии в трансформаторе). Следовательно,
При увеличении вторичного напряжения трансформатора в k раз по сравнению с пер- вичным, ток i
2
во вторичной обмотке соответственно уменьшается в k раз.
Трансформатор может работать только в цепях переменного тока. Если первич- ную обмотку трансформатора подключить к источнику постоянного тока, то в его магнито-проводе образуется магнитный поток, постоянный во времени по величине и направлению. Поэтому в первичной и вторичной обмотках в установившемся режиме не индуцируются ЭДС, а следовательно, не передается электрическая энергия из пер- вичной цепи во вторичную. Такой режим опасен для трансформатора, так как из-за отсутствия ЭДС E
1
первичной обмотке ток I
1
=U
1
R
1
весьма большой.
Важным свойством трансформатора, используемым в устройствах автоматики и ра- диоэлектроники, является способность его преобразовывать нагрузочное сопротив- ление. Если к источнику переменного тока подключить сопротивление R через трансформатор с коэффициентом трансформации к, то для цепи источника где Р
1
— мощность, потребляемая трансформатором от источника переменного тока,
Вт; Р
2
= I
2 2
RP
1
— мощность, потребляемая сопротивлением R от трансформатора.
Таким образом, трансформатор изменяет значение сопротивления R в k
2
раз. Это свойство широко используют при разработке различных электрических схем для со- гласования сопротивлений нагрузки с внутренним сопротивлением источников элек- трической энергии.
1   2   3


Тема 3.5 Полупроводниковые диоды
1.Устройство полупроводниковых диодов. Разновидности полупроводниковых дио- дов и их применение. Система обозначений, цветовая маркировка полупроводнико- вых диодов.
Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный прибор с одним или несколькими электрическими переходами и двумя выводами для подключения к

25 внешней цепи. Принцип действия большинства диодов основан на использовании физических явлений в электрических переходах.
Диоды классифицируются: по материалу (селеновые, германиевые, кремниевые, ар- сенид-галлиевые); структуре перехода (точечные, плоскостные); назначению (выпря- мительные, импульсные, стабилитроны и т.д.); диапазону частот (низкочастотные, высокочастотные, сверхвысокочастотные диоды (СВЧ-диоды)); виду вольт-амперной характеристики и т.д.
Система обозначений полупроводниковых диодов. Для маркировки полупровод- никовых диодов используется буквенно-цифровая система условных обозначений со- гласно ОСТ 11.336.919-81.
Первый элемент – буква или цифра, характеризует используемый материал: Г(1) – германий (Ge); К(2) – кремний (Si); А(3) – галлий (Ga) и его соединения; И(4) – ин- дий In и его соединения. Второй элемент – буква, характеризует функциональное на- значение диода: Д – выпрямительный; В – варикап; И – туннельный и обращенный;
С – стабилитрон и стабистор; Л – излучающий светодиод. Третий элемент – цифра, характеризует назначение диода и содержит информацию о специальных параметрах диода. Например, для диодов группы Д: 1 – выпрямительные маломощные (ток до
300 мА); 2 – выпрямительные средней мощности (ток до 10 А); 3 – диоды большой мощности (ток свыше 10 А); 4–9 – диоды импульсные с различным временем восста- новления. Четвертый элемент (2–3 цифры) – порядковый номер разработки (для ста- билитрона – напряжение стабилизации в десятых долях вольта). Пятый элемент – бу- ква, характеризует группу диодов с различными параметрами.
Вольт-амперная характеристика, пробой и общие параметры диодов.
Зависимость тока, протекающего через диод, от величины и полярности приложенно- го к его выводам внешнего напряжения называется ВАХ диода:
, (8) где
– тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К;
обратный
ток насыщения, сильно зависящий от температуры. Уравнение (8) называ- ют теоретической, или идеализированной, ВАХ диода. В нем не учте- но последовательное сопротивление потерь диода, т.е. суммарное эквивалентное ак- тивное сопротивление кристалла, омических контактов и выводов диода
С учетом этого сопротивления реальная ВАХ диода имеет вид
. (9)
Различают два основных вида пробоя: электрический пробой и тепловой. В свою очередь электрический пробой делится на лавинный и туннельный. Лавинный про-
бой характерен для диодов с широкими переходами, образованными областями с не- высокой концентрацией легирующей примеси (
). Если длина свободно- го пробега носителей заряда меньше ширины перехода, то при больших значениях


26 обратного напряжения
(от 7 до 400 В) носители заряда приобретают кинетиче- скую энергию, достаточную для развития лавинообразного процесса ионизации ато- мов полупроводника, что и вызывает резкий рост обратного тока при почти неизмен- ном
Туннельный пробой развивается в диодах с очень узкими переходами, образованными областями с высокой концентрацией легирующей примеси (
). Туннель- ный пробой p-n-перехода обусловлен квантово-механическим туннельным эффектом, когда из-за малой толщины энергетического потенциального барьера имеется высокая вероятность прохождения зарядов сквозь него без изменения энергии. При определен- ном обратном напряжении происходит туннельное проникновение электронов валент- ной зоны p-области на свободные энергетические уровни зоны проводимости n- области.
В планарных диодах электрический пробой происходит на участке перехода, выхо- дящем на поверхность полупроводниковой структуры, так называемый поверхност-
ный пробой. Это обусловлено наличием на поверхности n-базы диода положительно- го объемного заряда, который приводит к уменьшению толщины перехода вблизи поверхности и соответствующему уменьшению напряжения пробоя.
Тепловой пробой возникает вследствие перегрева электрического перехода проте- кающим через него обратным током при недостаточном теплоотводе. За счет термо- генерации носителей в переходе возрастает обратный ток диода, и рост подводимой к диоду мощности приводит к еще большему разогреву перехода.
Диоды характеризуются рядом параметров, которые являются общими для всех ти- пов диодов. К ним относятся: рабочий диапазон температур перехода
; максимально допустимый прямой ток
, при котором температура перехода достигает максимального значения
; максимально допустимое обратное напряжение
, при котором не происходит пробояp-n-перехода, обычно
; прямая и обратная максимально допустимая мощность, рассеиваемая на диоде:
; (10)
, (11) где
– температура окружающей среды;
– тепловое сопротивление перехода, характеризующее условия теплоотвода; прямое и обратное статическое сопротивление диода (сопротивление постоянному току):
;
; (12) прямое и обратное дифференциальное сопротивление (сопротивление переменному току):

27
;
. (13)
Дифференциальное сопротивление диода значительно меньше статического.
Величину называют коэффициентом выпрямления (характери- зует односторонний характер проводимости диода, т.к.
Способность диода накапливать электрические заряды отражается его емкостными параметрами. Существует два механизма накопления зарядов, которые описываются двумя емкостными параметрами.
Барьерная емкость отражает наличие объемного электрического заряда ионизиро- ванных атомов примеси в p-n-переходе, который можно рассматривать как плоский конденсатор. Расстояние между обкладками этого конденсатора определяется шири- ной p-n-перехода . Выражение для зависимости барьерной емкости от напряжения на переходе имеет вид
,(14) где – площадь поперечного сечения перехода;
– величина барь- ерной емкости при нулевом напряжении на переходе
;
– параметр, значение которого определяется профилем легирования перехода;
– обратное на- пряжение на переходе. Величина барьерной емкости составляет десятки – сотни пи- кофарад, поэтому ее действие проявляется практически только при обратном вклю- чении, когда переход закрыт и протекают малые обратные токи.
Диффузионная емкость отражает накопление электрического заряда неосновных не- равновесных носителей в p- и n-областях при прямом включении перехода. Величина диффузионной емкости пропорциональна прямому току перехода:
,(15) где
– эффективное время жизни неосновных неравновесных носителей. При пря- мом токе перехода 10 мА величина диффузионной емкости составляет десятки –
сотни нанофарад. В случае несимметричного перехода накопление неравновесных носителей происходит преимущественно в базе диода.
Кроме общих параметров диоды характеризуются специальными параметрами, при- сущими только данному типу диодов.
Выпрямительные диоды 1,2 В у кремниевых). 0,6 В при протекании прямого тока
(по сравнению с 0,8 предназначены для преобразования переменного тока с часто- той от 50 до 20 000 Гц в пульсирующий ток одного направления и широко использу- ются в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. В качестве полупроводникового материала для таких диодов ранее использовали гер- маний, в настоящее время – кремний и арсенид галлия. Принцип работы выпрями-