Файл: Конспект лекций по дисциплине оп. 06 Материаловедение, электрорадиомате риалы и радиокомпоненты для студентов специальности 11. 02. 16 сост. Фролов А. Л.pdf

34 работа n-р-n-прибора обеспечивается путем подачи на коллектор положительного на- пряжения. За счет этого, осуществляется открытие базового перехода. При появлении базового тока, возникает коллекторный ток. Если в базе возникает отрицательное на- пряжение, то в этом случае происходит закрытие транзистора. Оптимальная работа р- n-р-устройств зависит от наличия на коллекторе отрицательного напряжения. С его помощью, базовый переход становится открытым. Закрытие транзистора производит- ся при наличии положительного напряжения. Путем плавных изменений значений тока и напряжения, можно получить все необходимые выходные коллекторные ха- рактеристики. В схемах усилителей могут присутствовать режимы общей базы или общего эмиттера. Свойства полевых транзисторов К полевым транзисторам относят- ся устройства, в которых управление всеми процессами осуществляется действую- щим электрическим полем, направленным перпендикулярно току. Они еще носят на- звание униполярных транзисторов. В своей конструкции эти приборы имеют три контакта, называемые истоком, стоком и затвором. Кроме этого, существует прово- дящий слой, называемый каналом, по которому происходит течение тока. Устройства данного типа могут быть «р» или «n» канальными. Расположение и конфигурация каналов бывает вертикальное или горизонтальное, объемное или приповерхностное.
Среди приповерхностных каналов также происходит разделение. Они существуют в качестве инверсионных слоев или могут быть обогащенными и обедненными носите- лями. Все виды каналов формируются под влиянием внешнего электрического поля.
В обедненных каналах присутствуют участки с однородными полупроводниками, ко- торые отделяются от поверхности с помощью обедненного слоя. Приборы, имеющие приповерхностные каналы, структурно состоят из металла-диэлектрика- полупроводника. Они получили наименование МДП-транзисторов.