Файл: Сканирующая зондовая микроскопия диссертация.pdf

Добавлен: 06.02.2019

Просмотров: 15947

Скачиваний: 9

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
background image

291 

4.2. Индивидуальные электроосажденные кластеры металлов 

Одним  из  важных  аспектов  поиска  путей  управления  структурой  и  целевыми 

свойствами  электролитических  осадков  платиновых  металлов  является  изучение  про-

цессов  электрокристаллизации  и  электрохимических  свойств  монодисперсных  мате-

риалов.  Один  из  методов  изготовления  электродов,  состоящих  из  кластеров  металла 

одинакового размера, путем иммобилизации коллоидных части был кратко рассмотрен 

в предыдущем разделе. Альтернативным методом электросинтеза таких электродов яв-

ляется  контролируемое  электроосаждение  изолированных  частиц  металла  определен-

ного  размера [791–793]. Если  проводить  электроосаждение  в  разбавленных  растворах 

на подложку с малым числом однотипных активных центров нуклеации при больших 

перенапряжениях, то в начальный момент времени на поверхности формируется огра-

ниченное число изолированных зародышей (мгновенная нуклеация), которые начинают 

расти  синхронно.  Если  осаждение  прервать  задолго  до  сближения  частиц,  то  на  по-

верхности можно обнаружить большое количество изолированных кластеров металла с 

узким  размерным  распределением.  В  случае  роста  зародышей  с  диффузионным  кон-

тролем,  после  того  как  диффузионные  зоны  вокруг  кристаллитов  начинают  перекры-

ваться, происходит «расщепление» — частицы начинают расти с разной скоростью, и 

размерное распределение начинает размываться [794, 795]. Для обеспечения трехмерно-

го роста зародыша необходима также, чтобы энергия взаимодействия атомов осаждаемо-

го металла с подложкой была меньше энергии взаимодействия между атомами металла, 

поэтому  в  качестве  подложки  в  этом  методе  обычно  используется  атомарно  гладкий 

HOPG. Возможность формирования наборов частиц одинакового размера была подтвер-

ждена экспериментально для широкого круга осаждаемых металлов [791, 796–799].  

Основным методом визуализации поверхности электрода и определения размеров 

электросажденных  кластеров,  конечно,  является  сканирующая  зондовая  микроскопия 

(как правило, АСМ). Использование метода СТМ для исследования таких образцов за-

труднено по нескольким причинам. Слабая энергия взаимодействия кластера с поверх-

ностью  подложки  приводит  к  тому,  что  он  становится  мобильным  и  легко  смещается 

вдоль поверхности или мигрирует на зонд микроскопа. Несмотря на то, что, формаль-

но,  метод  СТМ  является  бесконтактным,  некоторое  взаимодействие  между  зондом  и 

кластером все таки происходит — из-за наличия электрического поля в зазоре, мениска 

конденсата, снижения расстояния между зондом и образцом над частицей при делока-

лизации электронного переноса в слое конденсата (см. раздел 2.3) и просто из-за шумо-

вых осцилляций петли обратной связи. Это приводит к удалению кластеров с поверх-


background image

292 

ности, или их смещению [800]. Как правило, удается визуализировать либо очень круп-

ные  «тяжелые»  частицы,  обладающие  низкой  мобильностью,  либо  очень  маленькие, 

высота  которых  существенно  меньше  величины  среднего  расстояния  между  зондом  и 

образцом. Очевидно, что работа с такими объектами также предъявляет жесткие требо-

вания и к стабильности туннельного микроскопа в целом, и его петли обратной связи, в 

частности. Также существенным является и максимальный размер поля сканирования. 

При  использовании  для  осаждения HOPG, имеющего  очень  небольшое  число  поверх-

ностных дефектов, выступающих в качестве центров нуклеации, среднестатистическое 

расстояние между осажденными частицами может составлять единицы или даже десят-

ки микрон. В этом случае может сложиться ситуация, когда в поле сканирования при-

бора не попадет ни одна частица, и будет визуализирована чистая подложка.  

Наибольший  интерес  в  рамках  настоящей  работы,  конечно,  представляло  изуче-

ние  возможности  осаждения  и  исследования  свойств  индивидуальных  кластеров  пла-

тины.  Однако  известно,  что  электровосстановление  платины  из  хлоридных  растворов 

осуществляется с кинетическим контролем из-за ингибирующего влияния хлорид-иона 

на восстановления Pt(II) (промежуточного продукта реакции) [801, 802]. Сложный ме-

ханизм  восстановления  приводит  к  тому,  что  выход  по  току  реакции  восстановления 

платины может существенно отличаться от 100%, а для корректного анализа электро-

химических откликов осадка необходима точная информация о количестве осажденно-

го металла. Для данных объектов она может быть получена исключительно кулономет-

рически. При использовании углеродных материалов в качестве подложек для платины 

становится  возможным  и  бестоковое  осаждение [803]. Поэтому  отработка  методики 

осаждения  таких  кластеров  производилась  на  примере  серебра,  для  которого  можно 

реализовать  осаждение  с  диффузионным  контролем,  не  осложненное  параллельными 

реакциями. 

4.2.1. Электроосаждение кластеров серебра 

Возможность  осаждения  ансамблей  кластеров  серебра  на HOPG была  впервые 

продемонстрирована в [796]. В этой работе осаждение производилось из раствора 1 мМ 

AgNO

3

 + 0.1M KNO

3

 в течение 10–50 мс при различных перенапряжениях. Были полу-

чены наночастицы серебра размером 1,5–5,0 нм и с плотностью заполнения до 10

10

 см

-2

Обращает  на  себя  внимание  очень  большая  величина  числа  активных  центров  для 

HOPG, полученная в работе [796]. Другие авторы, изучавшие осаждение серебра и дру-

гих металлов на углеродные материалы, обычно достигали плотности заполнения 10

6

-

10

7

  см

-2

 [804]. Причина  таких  различий  не  ясна.  Можно  предположить,  что  использо-

вавшийся в работе [796] HOPG обладал высокой дефектностью, либо количество цен-


background image

293 

тров  увеличивалось  из-за  каких-то  неконтролируемых  воздействий  на  поверхность 

электрода, либо, возможно, при переключении потенциала из-за дефекта электрохими-

ческого оборудования наблюдалась переполяризация (короткий импульс высокого по-

тенциала). 

Наши эксперименты проводились в прижимной тефлоновой ячейке с витоновым 

уплотнительным  кольцом  (рабочая  площадь  электрода 0.25 см

2

,  дэаэрирование  арго-

ном) и хлорсеребрянным электродом сравнения. Все потенциалы в настоящем разделе 

приведены в шкале этого электрода. В качестве подложки выступал HOPG марки ZYH, 

который  перед  экспериментом  скалывался  с  использованием  липкой  ленты.  Раствор 

1 мМ AgNO

3

 + 0.1M KNO

3

 (состав, использовавшийся в [796]) после приготовления не-

значительно  мутнел,  то  есть  происходил  частичный  гидролиз.  На  снижение  реальной 

концентрации ионов серебра в растворе также указывало незначительное смещение по-

тенциала  редокс-процесса Ag/Ag

+

  по  данным  циклической  вольтамперометрии  и  сни-

жение  предельных  диффузионных  токов.  Поэтому  все  эксперименты  проводились  в 

слабо  подкисленном  растворе 1 мМ AgNO

3

 + 0.1M KNO

3

+1мМ HNO

3

.  Анализ  потен-

циостатических транзиентов осаждения производился в рамках модели [689] для мгно-

венной и прогрессирующей нуклеации с последующим диффузионным контролем рос-

та зародышей. Согласно модели [689], форма транзиента в случае мгновенной нуклеа-

ции определяется соотношениями: 

2

2

1

m

m

m

1.9542

1 exp

1.2564

I

t

t

I

t

t

=

, (67) 

1.2564

m

t

N kD

π

=

, (68) 

1/ 2

0.6382

(

)

m

I

zFDc kN

=

, (69) 

2

2

0.1629 (

)

m m

I t

zFc D

=

, (70) 

1/ 2

cM

k

π

ρ

= ⎜

, (71) 

а в случае прогрессирующей нуклеации, соотношениями: 

2

2

1

2

m

m

m

1.2254

1 exp

2.3367

I

t

t

I

t

t

=

, (72) 


background image

294 

1/ 2

4.6733

m

t

AN

k D

π

= ⎜

, (73) 

3/ 4

1/ 4

0.4615

(

)

m

I

zFD c k AN

=

, (74) 

2

2

0.2598(

)

m m

I t

zFc D

=

, (75) 

1/ 2

4 8
3

cM

k

π

ρ

′ = ⎜

, (76) 

где t

m

 и I

m

 — время [с] и плотность тока в максимуме транзиента [А/см

2

], N — число ак-

тивных центров поверхности, A — стационарная константа скорости нуклеации в расчете 

на один активный центр, N

 — общее число активных центров поверхности, D — коэф-

фициент  диффузии  [см

2

/с],  с — концентрация  разряжающихся  частиц  [моль/см

3

],  z — 

число переносимых электронов, F — число Фарадея [Кл/моль], M — молекулярная масса 

осаждающегося вещества [г/моль], 

ρ — плотность вещества [г/см

3

]. 

Электрохимические  измерения  в  нейтральном  растворе  показали,  что  в  ходе  по-

следовательного  осаждения/растворения  серебра  на  подложке  происходит  увеличение 

количества активных центров нуклеации: наблюдается смещение максимума на хроно-

амперограмме  в  сторону  меньших  времен,  а  также  сокращение  продолжительности 

нуклеационной  задержки  на  вольтамперограмме.  Выход  по  току  процесса  осаждения, 

согласно  кулонометрическим  оценкам,  также  не  превышал 60–80%, а  на  поверхности 

электрода после извлечения из ячейки визуально детектировался белесый налет. Пере-

ход к подкисленному раствору позволил решить проблему осаждения на поверхности 

посторонних нерастворимых фаз. Выход по току при этом увеличился до 91–95%, так-

же  удалось  добиться  более  стабильного  поведения  в  ходе  последовательного  осажде-

ния/растворения.  Несмотря  на  это,  во  всех  экспериментах  по  осаждению  для  после-

дующей  электрохимической  характеристики  поверхности  использовался  свежесколо-

тый HOPG. 

Транзиенты  осаждения  серебра  имеют  типичную  форму  кривых  с  максимумом, 

характерную  для  процессов  нуклеации  новой  фазы  (рис. 247). При  смещении  потен-

циала в сторону более отрицательных значений наблюдается закономерный сдвиг по-

ложения максимума в сторону меньших времен. Токи на больших временах слабо зави-

сят  от  потенциала,  а  спад  тока  хорошо  согласуется  с  зависимостью,  предсказываемой 

уравнением Коттрела для процесса диффузии к плоскому электроду (рис. 248а): 


background image

295 

D

i

zFc

t

=

π

. (77) 

Анализ  транзиентов  в  безразмерных  координатах,  предложенных  в [689] (рис. 

248б), указывает на мгновенную нуклеацию при этих потенциалах. Количество актив-

ных центров, оцененное из положения максимума по уравнениям (67)–(71) при потен-

циалах 0 и –0,1 В не превышает 6•10

6

 см

-2

, в хорошем согласии с результатами [804]. 

Такое  число  активных  центров  отвечает  среднему  расстоянию  между  частицами 4–5 

мкм,  что  делает  практически  невозможным  их  визуализацию  с  использованием  тун-

нельного микроскопа с доступным полем сканирования 5.3 мкм. Дальнейшее увеличе-

ние перенапряжения осаждения, которое могло бы помочь увеличить число частиц, так-

же невозможно, так как из рис. 247 хорошо видно, что при еще более отрицательных по-

тенциалах  на  электроде  начинаются  дополнительные  электрохимические  процессы  (на-

блюдается рост тока), что делает невозможным кулонометрический контроль процесса. 

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.00

-0.02

-0.04

-0.06

-0.08

-0.10

-0.12

-0.14

-0.16

-0.18

-0.20

I

мА

t, c

 0.25 В
 0.20 В
 0.15 В
 0.10 В
 0.05 В
 0 В
 -0.05 В
 -0.10 В
 -0.15 В
 -0.20 В

 

Рис. 247. Потенциостатические транзиенты осаждения серебра на HOPG, измеренные 

при различных потенциалах. 

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.00

-0.05

-0.10

-0.15

-0.20

-0.25

-0.30

I

мА

t, c

 0 В
 -0.1 В
 -0.2 В

0

1

2

3

4

5

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

(I

/I

m

)

2

t/t

m

 мгновенная нуклеация
 прогрессирующая нуклеация
 0 В
 -0.1 В

 

Рис. 248. Потенциостатические транзиенты осаждения серебра на свежесколатую по-

верхность HOPG, измеренные при различных потенциалах, в обычных (а) и безраз-

мерных координатах (б). Пунктиром показан спад диффузионного тока, рассчитанный 

по уравнению (77) (а), и модельные транзиенты для мгновенной и прогрессирующей 

нуклеации, рассчитанные по уравнениям (67) и (72) (б).