Файл: Сканирующая зондовая микроскопия диссертация.pdf

Добавлен: 06.02.2019

Просмотров: 15923

Скачиваний: 9

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
background image

346 

Следует  отметить,  что  для  всех  систем  с  очень  низкой  электронной  проводимо-

стью  стационарный  ток  в  зазоре  (а,  следовательно,  и  стационарное  положение  зонда) 

устанавливается крайне медленно. Поэтому топографические измерения для таких об-

разцов могут проводиться лишь с очень низкой скоростью. Наиболее существенны эти 

ограничения для материалов с высоким содержанием гетерополикислот. В отличие от 

образцов гидратированного диоксида олова, более медленные редокс-превращения, по-

зволяющие надежно зафиксировать положение зонда, наблюдаются для чистых гетеро-

поликислот при отрицательных напряжениях в зазоре (рис. 73). Как правило, измерения 

становятся возможны после частичного восстановления этих соединений в парах гид-

разина  (частичное  восстановление  обеспечивает  удовлетворительную  объемную  про-

водимость).  

Результаты спектроскопических исследований хорошо согласуются с резистомет-

рическими  данными.  Годографы  импеданса,  полученные  для  композиционных  мате-

риалов,  имеют  типичную  форму  (рис. 309), которая  в  первом  приближении  отвечает 

следующей эквивалентной схеме: последовательно соединенные объемное сопротивле-

ние  образца  и  импеданс  границы  электрод/электролит  шунтированы  геометрической 

емкостью (врезка на рис. 309). Так как низкочастотная отсечка окружности соответст-

вует объемному сопротивлению материала (она линейно зависит от толщины образца), 

то подробный анализ эквивалентной схемы не проводился.  

0

1000

2000

3000

4000

0

750

1500

2250

1/(

ω

C),

 (

Ом

*см

)

-1

R, Ом

 1
 2
 3

 

Рис. 309. Типичные годографы импеданса, измеренные при 22

о

С и относительной 

влажности воздуха 32%, для композиционных материалов SnO

2

*1.49H

2

O — 

(NH

4

)

3

PW

12

O

40

*nH

2

O, содержащих 10% (1), 20% (2) и 40% (3) SnO

2

*1.49H

2

O. На врезке 

эквивалентная схема ячейки: C

g

 — геометрическая емкость, R

SE

 — объемное сопро-

тивление твердого электролита, Z

e

 — импеданс границы электрод/электролит. 


background image

347 

Температурная зависимость проводимости для большинства материалов близка к 

Аррениусовской. Кроме того, композиционные материалы, в отличие от индивидуаль-

ных  компонентов,  демонстрируют  отсутствие  существенной  зависимости  величины 

проводимости от относительной влажности (в интервале 15–75%). 

При добавлении уже небольших количеств диоксида олова к (NH

4

)

3

PW

12

O

40

*nH

2

происходит резкое снижение проводимости материала (рис. 310), а при введении 20% 

SnO

2

*1.49H

2

O проводимость практически совпадает с проводимость чистого диоксида 

олова. При близких объемных долях компонентов на зависимости проводимости от со-

става 

наблюдается 

слабовыраженный 

максимум. 

При 

использовании 

(NH

4

)

2

HPW

12

O

40

*nH

2

O проводимость смеси монотонно убывает с ростом концентрации 

диоксида  олова  (линейно  на  начальном  участке,  отсечка  около 41%) (рис. 311). Для 

H

3

PW

12

O

40

*nH

2

O при высоких содержаниях кислоты на зависимости наблюдается пла-

то, а затем проводимость монотонно снижается (рис. 312). 

0

20

40

60

80

100

0,000

0,004

0,008

0,012

0,016

0,020

0,20

0,22

0,24

0,26

0,28

0,30

0,32

0,34

0,36

σ, (

Ом

*см

)

-1

% об., SnO

2

*1.49H

2

O

2

1

E

ак

т

, эВ

 

а 

0

20

40

60

80

100

0,000

0,001

0,002

0,003

0,004

 1
 2
 3

σ, (

Ом

*см

)

-1

% об., SnO

2

*1.49H

2

O

 

 

 б

 

Рис. 310. Зависимость проводимости (1) и энергии активации проводимости (2) 

композитных материалов SnO

2

*1.49H

2

O — (NH

4

)

3

PW

12

O

40

*nH

2

O от состава при темпе-

ратуре 22 

o

C и относительной влажности вохдуха 32% (а). Зависимость проводимости 

от состава, полученная при температурах 17 (1), 28.5 (2), 37 (3) 

o

C (б). 

0

20

40

60

80

100

0.000

0.006

0.012

0.018

0.024

0.030

0.036

σ

 , 

(Ом

*см

)

-1

% об., SnO

2

*1.49H

2

O

 

Рис. 311. Зависимость проводимости композитных материалов SnO

2

*1.49H

2

O — 

(NH

4

)

2

HPW

12

O

40

*nH

2

O от состава при температуре 22 

o

C и относительной влажности 

вохдуха 32%.  


background image

348 

0

20

40

60

80

100

0.000

0.001

0.002

0.003

0.004

σ

, (

Ом

*см

)

-1

% об., SnO

2

*1.49H

2

O

 

Рис. 312. Зависимость проводимости композитных материалов SnO

2

*1.49H

2

O — 

H

3

PW

12

O

40

*nH

2

O от состава при температуре 22 

o

C и относительной влажности 

вохдуха 32%.  

Наблюдаемые тенденции можно связать с различным количеством носителей за-

ряда (протонов) в гетерополисоединениях с различной степенью замещения. Для сред-

ней соли (NH

4

)

3

PW

12

O

40

*nH

2

O, проводимость обеспечивается в основном примесными 

протонами, и она не велика (гипотеза о частичной диссоциации гидратной воды была 

опровергнута  ИК-спектроскопическими  исследованиями [880, 881]). При  снижении 

степени  замещения  концентрация  подвижных  протонов  растет,  однако,  в  гетерополи-

кислоте H

3

PW

12

O

40

*nH

2

O в протонном транспорте участвуют не все кислотные прото-

ны, и может начать проявляться эффект снижения их подвижности (связанные протоны 

тормозят  диффузию  подвижных [882]). Гидратированный  диоксид  олова  является  ам-

фотерным соединением, способным как генерировать, так и связывать протоны. Добав-

ление небольших количеств диоксида к средней соли приводит к практически полному 

связыванию примесных протонов, что сопровождается резким снижением проводимо-

сти композита. В случае гетерополикислоты, наоборот, связывание некоторого количе-

ства  протонов  диоксидом  компенсируется  вовлечением  в  транспорт  заряда  ранее  не-

подвижных протонов. 

Изучавшиеся  композиционные  материалы,  также  как  и  индивидуальные  гетеро-

поликислоты и их соли, представляют значительный интерес с точки зрения разработки 

низкотемпературных  водородных  сенсоров.  Одним  из  вариантов  такого  сенсора  явля-

ется электрохимическая ячейка PbO

2

|протонпроводящий твердый электролит (H

+

-SE)|Pt 

(рис. 313). В этой цепи PbO

2

 выступает в качестве электрода сравнения (PbO

2

+4H

+

+2e

-

 = 

Pb

2+

+2H

2

O). Потенциал этого электрода не зависит от присутствия газообразных водо-

рода  и  кислорода,  однако  он  зависит  от  природы  используемого  протонпроводящего 

материала,  так  как  при  этом  изменяется  активность  H

+

.  В  отсутствие  кислорода  ЭДС 

такого сенсора (рис. 313) демонстрирует нернстовское поведение (для фосфорвольфра-

мовой кислоты E=(1.545±0.002) – (0.028±0.002)log [H

2

]). Нелинейная зависимость ЭДС 


background image

349 

от  концентрации  водорода  в  присутствии  кислорода  указывает  на  существование  не-

скольких потенциал-определяющих реакций (помимо ионизации водорода может про-

текать  реакции  восстановления  кислорода)  и  на  компромиссную  природу  устанавли-

вающегося стационарного потенциала.  

Релаксационные измерения продемонстрировали достаточно высокое быстродей-

ствие сенсора, особенно при использовании фосфорвольфрамовой кислоты (рис. 314). 

Присутствие кислорода в газовой фазе приводит к существенному снижению скорости 

релаксации  потенциала  (рис. 315), однако  даже  в  этом  случае  в  широком  диапазоне 

концентраций 90% отклика достигается за времена менее 90 сек.  

а

 б

 

Рис. 313. Дизайн электрохимической ячейки, испытывавшейся в качестве сенсора (а), и 

зависимость ЭДС сенсора от концентрации водорода в инертной и кислород-содержащей 

атмосфере, полученная при относительной влажности 52% и температуре 25

о

С (б).  

а

 б

 

Рис. 314. Релаксация потенциала при импульсном изменении концентрации водорода 

от 0 до 0.1 об.% в стандартных (а) и относительных (б) координатах (25

о

С, относи-

тельная влажность воздуха 52%) . 

Транспортные  свойства  солей  гетерополикислот  значительно  слабее  зависят  от 

влажности  воздуха,  чем  аналогичные  свойства  кислот,  что  делает  их  перспективным 

материалом для использования в подобных сенсорах. Все испытывавшиеся соли (рис. 


background image

350 

316) демонстрируют близкую зависимость ЭДС ячейки от содержания водорода, одна-

ко скорость релаксации потенциала сенсора существенно зависит от природы катиона 

(снижаясь при переходе от лития к цезию). Сравнительные исследования показали, что 

оптимальным  компонентом  сенсора  является  аммониевая  соль  фосфорвольфрамовой 

кислоты, так как, несмотря на не очень высокую скорость релаксации, она демонстри-

рует наилучшую стабильность при колебании температуры и влажности окружающей 

среды.  Частичное  восстановление  фосфорвольфрамата,  возможное  при  длительной 

экспозиции в атмосфере с высоким содержанием водорода, неизбежно приводит к по-

явлению  электронной  проводимости  материала,  что  сопровождается  выходом  сенсора 

из строя из-за закорачивания электродов. Чтобы этого избежать, оптимальным является 

использование  двух  слоев  протонного  проводника — слоя (NH

4

)

3

PW

12

O

40

*nH

2

O,  кон-

тактирующего с платиновым электродом и обеспечивающего аналитические показате-

ли сенсора, и слоя кремневольфрамовой кислоты (или ее соли), не восстанавливающей-

ся водородом и тем самым препятствующей короткому замыканию между электродами. 

 

Рис. 315. Релаксация потенциала при импульсном изменении концентрации водорода 

для сенсора на основе H

3

PW

12

O

40

*nH

2

O в различной атмосфере (25

о

С, относительная 

влажность воздуха 52%). 

а

 б

 

Рис. 316. Зависимость ЭДС от концентрации водорода (а) и релаксация потенциала при 

импульсном изменении концентрации водорода (скачок 0 – 1%) (б) для сенсоров, постро-

енных на основе солей гетерополикислот (25

о

С, относительная влажность воздуха 52%).