Файл: Министерство образования и науки российской федерации федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования калмыцкий государственный университет им. Б. Б. Городовикова Кафедра экспериментальной и общей физики.doc
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 12.01.2024
Просмотров: 66
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
О
Рис. 15. Модель формирования собственной (1) и «примесной» фотопроводимости (2) в кристаллах CdSe
бъяснить сверхлинейный рост фоточувствительности в собственной области поглощения, наряду с «примесной» фоточувствительностью, можно в
случае, если предположить существование спектрального перекрытия соседних областей – собственной и близкраевой «примесной». При определенных условиях, а также при определенном соотношении эффективных масс носителей заряда, такое в полупроводниках вполне возможно.
Выводы
-
Показано, что интегральная фоточувствительность в ряде кристаллов CdSe, определяется, в основном, «примесным» так называемым дополнительным максимумом фототока ДМ1. -
Рост напряженности тянущего электрического поля вызывает сверхлинейное повышение фототока как и в близкраевой «примесной», так и в собственной области спектра, что связано,на наш взгляд, с наложением «примесных» переходов на область межзонных переходов. -
Формирование максимума фототока ДМ1 в спектре краевой фотопроводимости CdSe связано с фототермическими межзонными электронными переходами через мелкий донор, в качестве которого может выступать междоузельный ион кадмия Cdi+. -
Высокая фоточувствительность кристаллов CdSe в краевой области спектра связана с наличием в полупроводнике центров фоточувствительности – r-центров (центров медленной рекомбинации).
Список литературы
1. А.А.Загрубский, Н.М.Цыганенко, А.П.Чернова. Пособие “Основы оптических измерений”, СПб., 2007. 57 с.
2. А.А.Загрубский, А.П.Чернова. Пособие “Структура и электронные свойства твердых тел”, СПб., 2007. 119 с.
3. А.А.Загрубский, Н.М.Цыганенко, А.П.Чернова. Пособие “Спектральные приборы”, СПб., 2007. 76 с.
4. https://helpiks.org/2-68814.html
5. https://studopedia.ru/10_213963_vozdeystvie-sveta-na-elektroprovodnost-poluprovodnikov.html
6. К.В.Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.
7. Агекян В.Ф. Основы фотоники полупроводниковых кристаллов и наноструктур. СПб.: КМЦ ФФ. 133 с.
8. Дякин В.В., Е.А. Сальков, В.А. Хвостов. ФТП, 1975, т. 9, №9, с. 1812 – 1815.
9. Новиков Б.В., Е.А. Убушиев, А.Е. Чередниченко. ФТП, 1985, т.19, в.4, с. 753 – 756.
10. Ахоян А.П., Б.Е. Ембергенов, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Е.П. Шульга. УФЖ, 1987, т.32, №10, с. 1559 – 1562.
11. А.С. Батырев, Б.В. Новиков, Н.В. Карасенко, Е.В. Сумьянова. Вестник СПбГУ. Сер. 4, 1992, в. 4 №25, с. 26- 29.
12. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, 1994, в. 1 №4, с. 28 – 33.
13. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. СПб., Изд-во СПбГУ, 2003, 224 с.
14. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, И.В. Кормильцев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Тр. IX междун. конф. «Опто - наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск, УлГУ, 2007, с. 57.
15. М.К. Шейнкман, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, №11, с. 2290 - 2297.
16. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977, 562 с.
17. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с.
18. А.С. Батырев, Э.Д. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков, В.С. Анбушинов. ФТТ, 1999, т.41, в.7, с.1181 - 1184.
19. А.В. Ильинский, Б.В. Новиков, С.И. Сутулова. ФТТ, 1974, т.16, в.10, с.3029 - 3033.
20. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, М.О. Тагиров. Вестник Калмыцкого университета. №4 (16). 2012, с. 157.