Статическая ВАХ полупроводникового диодаЛекция 1.4. Полупроводниковые диоды1.1. Формулировка цели и задачЦель работы: снять инструментарием Tina-Ti ВАХ полупроводникового диода.Задачи

1. 
   Установить из базы элементов заданный диод.
   
2. 
   Провести изменение параметров источника напряжения для последовательного снятия ВАХ.
   
3. 
   Провести последовательные измерения в схеме для определения зависимости ВАХ.
   
4. 
   Построить и представить в отчет искомую ВАХ.
   

Таблица 1.1Варианты диодов для построения ВАХ

Выбор варианта по первым буквам фамилии студента	Название диода
А – В	1N1200

Таблица 1.2Напряжение источника E и соответствующая ему пара ток I – напряжение U на выводах диода (ВАХ)

E, В	0	0,1	0,2	0,4	0,8	1,6	3,2	6,4
U, мВ (Va)	0	99,96	199,56	371,49	472,52	521,85	558,96	591,64
I, мА (AM)	0	0	0	0	3,27	10,78	26,41	58,08

Схема установки и параметры диода изображены на рис. 1.1рис. 1.1Рис. 1.2 ВАХ диода (прямое смещение)Лабораторная работа № 2Семейство статических ВАХ биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером (ОЭ)Лекция 1.5. Биполярные транзисторы2.1. Формулировка цели и задачЦель работы: снять инструментарием Tina-Ti ВАХ полупроводникового биполярного транзистора. Задачи

1. 
   Найти в базе элементов заданный биполярный транзистор.
   
2. 
   Провести последовательное изменение параметров источника тока во входной базовой цепи для снятия очередной выходной ВАХ транзистора.
   
3. 
   Провести последовательные изменения напряжения выходного напряжения для определения выходной ВАХ.
   
4. 
   Построить и представить для отчета семейство ВАХ, состоящих из нескольких выходных ВАХ.
   

---

Таблица 2.1Варианты транзисторов для построения ВАХ

Выбор варианта по первым буквам фамилии студента	Название диода
А – В	2N5830

Таблица 2.2Токи коллектора транзистора Ik при различных I_б и Uke (семейства ВАХ)I_k.max=1А

E, В (Vke)	Iб1=0 A	Iб1=Ik.max*0,001=0,001А	Iб2=Ik.max*0,002=0,002А	Iб3=Ik.max*0,003=0,003А	Iб4=Ik.max*0,004=0,004А
0	0	0	0	0	0
0,1	0	0,03	0,03	0,03	0,03
0,2	0	0,06	0,06	0,06	0,06
0,5	0	0,07	0,07	0,07	0,07
1	0	0,07	0,07	0,07	0,07
2	0	0,07	0,07	0,07	0,07
4	0	0,07	0,07	0,07	0,07
8	0	0,08	0,08	0,08	0,08

---

Рис. 2.1.Схема установки и параметры транзистора изображены на рис. 2.1.Рис.2.2.Рис. 2.2. Семейство выходных характеристик ВАХ транзистора 2N5830

---

Смотрите также файлы

• Технология проблемного обучения.doc

• Практическая работа 2 Характеристика коллектива 9 класса.docx

• Сынып 3 атысушылар саны.docx

• Швайгерт Р. С. Ээ22удот 10 апта айырымдылы туралы схбаттасыыз.docx

• Задания для практических занятий по курсу Договорное право.docx