Файл: М инистерство общего и профессионального образования российской федерации уральский государственный технический университет.doc
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 03.02.2024
Просмотров: 27
Скачиваний: 2
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Л.р. № стр.
Скачано с http://rtf.x2web.ru
М ИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
УРАЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра физики
по лабораторной работе № 33
Исследование полупроводникового
резистора.
Студент: Дёмин Алексей
Группа: Р-184
Дата:
г. Екатеринбург 1998
Ход работы
Задача I.
Снятие Вольт-амперной характеристики терморезистора.
Терморезистор — полупроводниковый резистор, сопративление которого изменяется с изменением температуры.
Статическая вольтамперная характеристика терморезистора — зависимость напряжения, действующего на терморезисторе, от силы протекающего по нему тока при условии теплового равновесия терморезистора с окружающей средой. Конкретный вид вольтамперной характеристики определяется веществом, из которого изготовлено сопративление, его конструктивным оформлением, массой и условиями теплообмена с окружающей средой. Для всех терморезисторов характерно существование нелинейного участка на вольтамперной характеристике.
При малом токе в терморезисторе выделяющейся в нём тепловой мощности недостаточно для существенного изменения его температуры, вследствие этого практически не меняется концентрация носителей тока и их подвижность, а следовательно, и сопротивление полупроводника, поэтому выполняется закон Ома.
Дальнейшее увеличение силы тока приводит к росту выделяемой в полупроводнике тепловой мощности и повышению его температуры. Вследствие этого сопротивление полупроводника резко уменьшается и зависимость между напряжением и силой тока становится нелинейной.
Для снятия вольтамперной характеристики терморезистора используется электрическая цепь, схема которой изображена на рисунке.
Задача II.
Исследование температурной зависимости электрического сопративления полупроводникового резистора и определение ширины запрещённой зоны в собственном полупроводнике.
В соответствии с формулой : в собственных полупроводниках температурная зависимость сопротивления имеет вид или после логарифмирования , где Eg - ширина запрещённой зоны.
Терморезистор из чистого германия пмещён внутри проволочного натревателя. Включив питание, нагревают образец до (70 - 80) 0С. Затем нагреватель отключают и измеряют сопротивление образца через 4 0С в интервале от (70 - 80) 0С до (25 - 30) 0С. Результаты измерений вносят в таблицу №2 отчёта. Затем строят график, откладывая по оси ординат логарифм сопротивления , а по оси абсцисс — обратную температуру.
График, построенный по экспериментальным точкам, аппроксимируют прямой линией (проводят прямую, ближайшую к теории графика) тогда ширина запрещённой зоны будет определяться тангенсом угла наклона этой прямой к оси абсцисс : , где k- постоянная Больцмана, lnR1, 1/T1 и lnR2, 1/T2 - координаты двух произвольных, но не слишком близких точек, лежащих на полученной прямой.
1. Рассчётная формула для измеряемой величины :
, где k =1,38 * 10-23 Дж/К - постоянная Больцмана, R1 и R2 - сопративления резисторов при температурах Т1 и Т2
2. Средства измерений и их характеристики :
Установка №3
Наименование средства измерения | Предел измерения | Цена деления шкалы | Класс точности |
Вольтметр | 10 В | 0,1 В | 1,5 |
Омметр | | 1 Ом | |
Амперметр | 20 мА | 5 мА | 1,5 |
3
. Задача I. Снятие Вольтамперной характеристики терморезистора.
3.1. Схема электрической цепи.
3.2. Результаты измерений
Данные к построению вольтамперной характеристики :
Таблица №1.
-
Напряжение U, В
0.5
1
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
Сила тока I, мА
1.2
2.5
3.8
5.0
7.5
10
12.8
16.2
20
4. Задача II. Исследование температурной зависимости электрического сопративления полупроводникового резистора и определение ширины запрещённой зоны в собственном полупроводнике.
Зависимость сопративления полупроводникового резистора от температуры :
Таблица №2.
t, C O | T, K | 1000/T, K-1 | R, Ом | LnR |
70 65 60 55 50 45 40 35 30 | 343 338 333 328 323 318 313 308 303 | 2.92 2.96 3.00 3.05 3.10 3.14 3.19 3.25 3.30 | 258 261 268 273 285 307 347 418 168 | 5,55 5,56 5,59 5,61 5,65 5,73 5,85 6,04 6,15 |
5. Расчёт ширины запрещённой зоны в исследуемом полупроводнике по графику lnR=f(1/T).
Eg=0,13эВ.
6. Оценка погрешностей
6.1. Среднее квадратическое отклонение : . . . . эВ.
6.2. Граница случайной погрешности : . . . . эВ.
7. Окончательный результат : Eg=
Выводы : В данной лабораторной работе я и