Файл: Обработка результатов 3 лабораторная.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.02.2024

Просмотров: 41

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Обработка результатов

3 лабораторная

CdS Rт=16,04 Мом

Деление

Rc,Мом

γс,мкСм

λ,мкм

yФ, мкСм

Эλ, ед

yф', мкСм

K,ед

600

1,5

0,667

0,476

0,604

0,141

4,286

0,035188

700

1,1

0,909

0,477

0,847

0,143

5,921

0,048614

800

0,801

1,248

0,478

1,186

0,145

8,180

0,067157

900

0,591

1,692

0,479

1,630

0,147

11,086

0,091019

1000

0,432

2,315

0,48

2,252

0,15

15,016

0,123285

1100

0,314

3,185

0,481

3,122

0,153

20,408

0,167546

1200

0,217

4,608

0,482

4,546

0,157

28,955

0,23772

1300

0,14

7,143

0,484

7,081

0,163

43,439

0,35663

1400

0,094

10,638

0,487

10,576

0,172

61,488

0,504815

1500

0,066

15,152

0,49

15,089

0,182

82,908

0,680668

1600

0,042

23,810

0,494

23,747

0,195

121,780

0,999813

1700

0,039

25,641

0,499

25,579

0,21

121,803

1

1800

0,04

25,000

0,505

24,938

0,228

109,376

0,89797

1900

0,039

25,641

0,512

25,579

0,248

103,140

0,846774

2000

0,043

23,256

0,52

23,193

0,27

85,902

0,70525

2100

0,057

17,544

0,528

17,482

0,295

59,259

0,486517

2200

0,096

10,417

0,536

10,354

0,323

32,057

0,263184

2300

0,187

5,348

0,545

5,285

0,353

14,972

0,122923

2400

0,401

2,494

0,555

2,431

0,385

6,315

0,051849

2500

1,075

0,930

0,566

0,868

0,42

2,066

0,016965

2600

4,72

0,212

0,579

0,150

0,46

0,325

0,002669

2700

10,744

0,093

0,594

0,031

0,505

0,061

0,0005

2800

12,495

0,080

0,611

0,018

0,56

0,032

0,000259

2900

13,109

0,076

0,629

0,014

0,63

0,022

0,000182

3000

13,3

0,075

0,649

0,013

0,71

0,018

0,000149

3100

12,85

0,078

0,672

0,015

0,83

0,019

0,000153

3200

12,25

0,082

0,697

0,019

0,99

0,019

0,00016

3300

12,35

0,081

0,725

0,019

1,17

0,016

0,000131

3400

12,434

0,080

0,758

0,018

1,37

0,013

0,000108

3500

12,644

0,079

0,8

0,017

1,6

0,010

8,59E-05


Пример расчёта:









CdSe Rт=15,68 Мом

Деление

Rc,Мом

γс,мкСм

λ,мкм

yФ, мкСм

Эλ, ед

yф', мкСм

К,ед

600

12,35

0,081

0,476

0,017

0,141

0,122

0,000158

700

11,39

0,088

0,477

0,024

0,143

0,168

0,000217

800

9,99

0,100

0,478

0,036

0,145

0,251

0,000324

900

8,212

0,122

0,479

0,058

0,147

0,395

0,00051

1000

6,533

0,153

0,48

0,089

0,15

0,595

0,000769

1100

4,96

0,202

0,481

0,138

0,153

0,901

0,001164

1200

3,182

0,314

0,482

0,250

0,157

1,595

0,002062

1300

2,03

0,493

0,484

0,429

0,163

2,631

0,0034

1400

1,139

0,878

0,487

0,814

0,172

4,734

0,006117

1500

0,572

1,748

0,49

1,684

0,182

9,255

0,011961

1600

0,24

4,167

0,494

4,103

0,195

21,040

0,027191

1700

0,123

8,130

0,499

8,066

0,21

38,411

0,04964

1800

0,069

14,493

0,505

14,429

0,228

63,285

0,081785

1900

0,041

24,390

0,512

24,326

0,248

98,091

0,126765

2000

0,023

43,478

0,52

43,414

0,27

160,794

0,207799

2100

0,006

166,667

0,528

166,603

0,295

564,756

0,72985

2200

0,004

250,000

0,536

249,936

0,323

773,796

1

2300

0,007

142,857

0,545

142,793

0,353

404,514

0,522765

2400

0,027

37,037

0,555

36,973

0,385

96,034

0,124108

2500

0,218

4,587

0,566

4,523

0,42

10,770

0,013918

2600

2,382

0,420

0,579

0,356

0,46

0,774

0,001

2700

11,563

0,086

0,594

0,023

0,505

0,045

5,81E-05

2800

13,656

0,073

0,611

0,009

0,56

0,017

2,18E-05

2900

13,885

0,072

0,629

0,008

0,63

0,013

1,69E-05

3000

14,154

0,071

0,649

0,007

0,71

0,010

1,25E-05

3100

14,322

0,070

0,672

0,006

0,83

0,007

9,42E-06

3200

14,515

0,069

0,697

0,005

0,99

0,005

6,68E-06

3300

14,752

0,068

0,725

0,004

1,17

0,003

4,43E-06

3400

14,753

0,068

0,758

0,004

1,37

0,003

3,78E-06

3500

14,65

0,068

0,8

0,004

1,6

0,003

3,62E-06


Пример расчёта:











Рис.2



Рис.3



Рис.4

Получаем:











CdS

d,мм

Rc,Мом

y,мкСм

Yf,мкСм

lg (yf),мкСм

d/dmax

lg(d/dmax)

0,01

13,724

0,073

0,011

-1,978

0,0025

-2,602

0,02

8,39

0,119

0,057

-1,245

0,005

-2,301

0,03

5,984

0,167

0,105

-0,980

0,0075

-2,125

0,05

3,51

0,285

0,223

-0,653

0,0125

-1,903

0,1

1,91

0,524

0,461

-0,336

0,025

-1,602

0,2

0,942

1,062

0,999

0,000

0,05

-1,301

0,3

0,651

1,536

1,474

0,168

0,075

-1,125

0,5

0,42

2,381

2,319

0,365

0,125

-0,903

1

0,228

4,386

4,324

0,636

0,25

-0,602

2

0,141

7,092

7,030

0,847

0,5

-0,301

4

0,039

25,641

25,579

1,408

1

0,000


CdSe

d,мм

Rc,Мом

y,мкСм

Yf,мкСм

lg (yf),мкСм

d/dmax

lg(d/dmax)

0,01

8,2

0,122

0,058

-1,235

0,0025

-2,602

0,02

1,72

0,581

0,518

-0,286

0,005

-2,301

0,03

0,367

2,725

2,661

0,425

0,0075

-2,125

0,05

0,139

7,194

7,130

0,853

0,0125

-1,903

0,1

0,049

20,408

20,344

1,308

0,025

-1,602

0,2

0,021

47,619

47,555

1,677

0,05

-1,301

0,3

0,014

71,429

71,365

1,853

0,075

-1,125

0,5

0,009

111,111

111,047

2,046

0,125

-0,903

1

0,0049

204,082

204,018

2,310

0,25

-0,602

2

0,0031

322,581

322,517

2,509

0,5

-0,301

4

0,003

333,333

333,270

2,523

1

0,000




Рис.5

Основные теоретические положения

Для возникновения ФРЭ полупроводник необходимо облучать потоком фотонов с энергиями, достаточными для ионизации собственных или примесных атомов. При этом происходит увеличение концентрации свободных носителей заряда и возрастает удельная проводимость полупроводника. Добавочную проводимость, возникающую при фотоактивном поглощении, называют фотопроводимостью γф. Фотопроводимость равна разности проводимостей полупроводника на свету γс и в темноте γт

Пороговое значение длины волны λпор, соответствующее Э, называют красной границей фотоэффекта. При уменьшении длины волны излучения от λпор интенсивность оптических переходов возрастает, что приводит к увеличению концентрации неравновесных носителей заряда и соответствующему росту фотопроводимости.



Рис.1

Основной принцип повышения фоточувствительности материала заключается в увеличении времени жизни неравновесных носителей заряда. Для этого в материал вводятся примеси, создающие в запрещенной зоне уровни, называемые «ловушками захвата». В отличие от рекомбинационных уровней, на них могут захватываться носители заряда только одного знака, а вероятность захвата носителей другого знака крайне мала

Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения называется световой характеристикой.

В области слабых световых потоков характеристика обычно имеет линейный характер. Однако с повышением интенсивности света линейность нарушается

Материалы:

Полупроводник







CdS

2,53

0,034

0,011

CdSe

1,85

0,072

0,0075