ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 04.02.2024
Просмотров: 41
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Обработка результатов
3 лабораторная
CdS Rт=16,04 Мом
Деление | Rc,Мом | γс,мкСм | λ,мкм | yФ, мкСм | Эλ, ед | yф', мкСм | K,ед |
600 | 1,5 | 0,667 | 0,476 | 0,604 | 0,141 | 4,286 | 0,035188 |
700 | 1,1 | 0,909 | 0,477 | 0,847 | 0,143 | 5,921 | 0,048614 |
800 | 0,801 | 1,248 | 0,478 | 1,186 | 0,145 | 8,180 | 0,067157 |
900 | 0,591 | 1,692 | 0,479 | 1,630 | 0,147 | 11,086 | 0,091019 |
1000 | 0,432 | 2,315 | 0,48 | 2,252 | 0,15 | 15,016 | 0,123285 |
1100 | 0,314 | 3,185 | 0,481 | 3,122 | 0,153 | 20,408 | 0,167546 |
1200 | 0,217 | 4,608 | 0,482 | 4,546 | 0,157 | 28,955 | 0,23772 |
1300 | 0,14 | 7,143 | 0,484 | 7,081 | 0,163 | 43,439 | 0,35663 |
1400 | 0,094 | 10,638 | 0,487 | 10,576 | 0,172 | 61,488 | 0,504815 |
1500 | 0,066 | 15,152 | 0,49 | 15,089 | 0,182 | 82,908 | 0,680668 |
1600 | 0,042 | 23,810 | 0,494 | 23,747 | 0,195 | 121,780 | 0,999813 |
1700 | 0,039 | 25,641 | 0,499 | 25,579 | 0,21 | 121,803 | 1 |
1800 | 0,04 | 25,000 | 0,505 | 24,938 | 0,228 | 109,376 | 0,89797 |
1900 | 0,039 | 25,641 | 0,512 | 25,579 | 0,248 | 103,140 | 0,846774 |
2000 | 0,043 | 23,256 | 0,52 | 23,193 | 0,27 | 85,902 | 0,70525 |
2100 | 0,057 | 17,544 | 0,528 | 17,482 | 0,295 | 59,259 | 0,486517 |
2200 | 0,096 | 10,417 | 0,536 | 10,354 | 0,323 | 32,057 | 0,263184 |
2300 | 0,187 | 5,348 | 0,545 | 5,285 | 0,353 | 14,972 | 0,122923 |
2400 | 0,401 | 2,494 | 0,555 | 2,431 | 0,385 | 6,315 | 0,051849 |
2500 | 1,075 | 0,930 | 0,566 | 0,868 | 0,42 | 2,066 | 0,016965 |
2600 | 4,72 | 0,212 | 0,579 | 0,150 | 0,46 | 0,325 | 0,002669 |
2700 | 10,744 | 0,093 | 0,594 | 0,031 | 0,505 | 0,061 | 0,0005 |
2800 | 12,495 | 0,080 | 0,611 | 0,018 | 0,56 | 0,032 | 0,000259 |
2900 | 13,109 | 0,076 | 0,629 | 0,014 | 0,63 | 0,022 | 0,000182 |
3000 | 13,3 | 0,075 | 0,649 | 0,013 | 0,71 | 0,018 | 0,000149 |
3100 | 12,85 | 0,078 | 0,672 | 0,015 | 0,83 | 0,019 | 0,000153 |
3200 | 12,25 | 0,082 | 0,697 | 0,019 | 0,99 | 0,019 | 0,00016 |
3300 | 12,35 | 0,081 | 0,725 | 0,019 | 1,17 | 0,016 | 0,000131 |
3400 | 12,434 | 0,080 | 0,758 | 0,018 | 1,37 | 0,013 | 0,000108 |
3500 | 12,644 | 0,079 | 0,8 | 0,017 | 1,6 | 0,010 | 8,59E-05 |
Пример расчёта:
CdSe Rт=15,68 Мом
Деление | Rc,Мом | γс,мкСм | λ,мкм | yФ, мкСм | Эλ, ед | yф', мкСм | К,ед |
600 | 12,35 | 0,081 | 0,476 | 0,017 | 0,141 | 0,122 | 0,000158 |
700 | 11,39 | 0,088 | 0,477 | 0,024 | 0,143 | 0,168 | 0,000217 |
800 | 9,99 | 0,100 | 0,478 | 0,036 | 0,145 | 0,251 | 0,000324 |
900 | 8,212 | 0,122 | 0,479 | 0,058 | 0,147 | 0,395 | 0,00051 |
1000 | 6,533 | 0,153 | 0,48 | 0,089 | 0,15 | 0,595 | 0,000769 |
1100 | 4,96 | 0,202 | 0,481 | 0,138 | 0,153 | 0,901 | 0,001164 |
1200 | 3,182 | 0,314 | 0,482 | 0,250 | 0,157 | 1,595 | 0,002062 |
1300 | 2,03 | 0,493 | 0,484 | 0,429 | 0,163 | 2,631 | 0,0034 |
1400 | 1,139 | 0,878 | 0,487 | 0,814 | 0,172 | 4,734 | 0,006117 |
1500 | 0,572 | 1,748 | 0,49 | 1,684 | 0,182 | 9,255 | 0,011961 |
1600 | 0,24 | 4,167 | 0,494 | 4,103 | 0,195 | 21,040 | 0,027191 |
1700 | 0,123 | 8,130 | 0,499 | 8,066 | 0,21 | 38,411 | 0,04964 |
1800 | 0,069 | 14,493 | 0,505 | 14,429 | 0,228 | 63,285 | 0,081785 |
1900 | 0,041 | 24,390 | 0,512 | 24,326 | 0,248 | 98,091 | 0,126765 |
2000 | 0,023 | 43,478 | 0,52 | 43,414 | 0,27 | 160,794 | 0,207799 |
2100 | 0,006 | 166,667 | 0,528 | 166,603 | 0,295 | 564,756 | 0,72985 |
2200 | 0,004 | 250,000 | 0,536 | 249,936 | 0,323 | 773,796 | 1 |
2300 | 0,007 | 142,857 | 0,545 | 142,793 | 0,353 | 404,514 | 0,522765 |
2400 | 0,027 | 37,037 | 0,555 | 36,973 | 0,385 | 96,034 | 0,124108 |
2500 | 0,218 | 4,587 | 0,566 | 4,523 | 0,42 | 10,770 | 0,013918 |
2600 | 2,382 | 0,420 | 0,579 | 0,356 | 0,46 | 0,774 | 0,001 |
2700 | 11,563 | 0,086 | 0,594 | 0,023 | 0,505 | 0,045 | 5,81E-05 |
2800 | 13,656 | 0,073 | 0,611 | 0,009 | 0,56 | 0,017 | 2,18E-05 |
2900 | 13,885 | 0,072 | 0,629 | 0,008 | 0,63 | 0,013 | 1,69E-05 |
3000 | 14,154 | 0,071 | 0,649 | 0,007 | 0,71 | 0,010 | 1,25E-05 |
3100 | 14,322 | 0,070 | 0,672 | 0,006 | 0,83 | 0,007 | 9,42E-06 |
3200 | 14,515 | 0,069 | 0,697 | 0,005 | 0,99 | 0,005 | 6,68E-06 |
3300 | 14,752 | 0,068 | 0,725 | 0,004 | 1,17 | 0,003 | 4,43E-06 |
3400 | 14,753 | 0,068 | 0,758 | 0,004 | 1,37 | 0,003 | 3,78E-06 |
3500 | 14,65 | 0,068 | 0,8 | 0,004 | 1,6 | 0,003 | 3,62E-06 |
Пример расчёта:
Рис.2
Рис.3
Рис.4
Получаем:
CdS
d,мм | Rc,Мом | y,мкСм | Yf,мкСм | lg (yf),мкСм | d/dmax | lg(d/dmax) |
0,01 | 13,724 | 0,073 | 0,011 | -1,978 | 0,0025 | -2,602 |
0,02 | 8,39 | 0,119 | 0,057 | -1,245 | 0,005 | -2,301 |
0,03 | 5,984 | 0,167 | 0,105 | -0,980 | 0,0075 | -2,125 |
0,05 | 3,51 | 0,285 | 0,223 | -0,653 | 0,0125 | -1,903 |
0,1 | 1,91 | 0,524 | 0,461 | -0,336 | 0,025 | -1,602 |
0,2 | 0,942 | 1,062 | 0,999 | 0,000 | 0,05 | -1,301 |
0,3 | 0,651 | 1,536 | 1,474 | 0,168 | 0,075 | -1,125 |
0,5 | 0,42 | 2,381 | 2,319 | 0,365 | 0,125 | -0,903 |
1 | 0,228 | 4,386 | 4,324 | 0,636 | 0,25 | -0,602 |
2 | 0,141 | 7,092 | 7,030 | 0,847 | 0,5 | -0,301 |
4 | 0,039 | 25,641 | 25,579 | 1,408 | 1 | 0,000 |
CdSe
d,мм | Rc,Мом | y,мкСм | Yf,мкСм | lg (yf),мкСм | d/dmax | lg(d/dmax) |
0,01 | 8,2 | 0,122 | 0,058 | -1,235 | 0,0025 | -2,602 |
0,02 | 1,72 | 0,581 | 0,518 | -0,286 | 0,005 | -2,301 |
0,03 | 0,367 | 2,725 | 2,661 | 0,425 | 0,0075 | -2,125 |
0,05 | 0,139 | 7,194 | 7,130 | 0,853 | 0,0125 | -1,903 |
0,1 | 0,049 | 20,408 | 20,344 | 1,308 | 0,025 | -1,602 |
0,2 | 0,021 | 47,619 | 47,555 | 1,677 | 0,05 | -1,301 |
0,3 | 0,014 | 71,429 | 71,365 | 1,853 | 0,075 | -1,125 |
0,5 | 0,009 | 111,111 | 111,047 | 2,046 | 0,125 | -0,903 |
1 | 0,0049 | 204,082 | 204,018 | 2,310 | 0,25 | -0,602 |
2 | 0,0031 | 322,581 | 322,517 | 2,509 | 0,5 | -0,301 |
4 | 0,003 | 333,333 | 333,270 | 2,523 | 1 | 0,000 |
Рис.5
Основные теоретические положения
Для возникновения ФРЭ полупроводник необходимо облучать потоком фотонов с энергиями, достаточными для ионизации собственных или примесных атомов. При этом происходит увеличение концентрации свободных носителей заряда и возрастает удельная проводимость полупроводника. Добавочную проводимость, возникающую при фотоактивном поглощении, называют фотопроводимостью γф. Фотопроводимость равна разности проводимостей полупроводника на свету γс и в темноте γт
Пороговое значение длины волны λпор, соответствующее Э, называют красной границей фотоэффекта. При уменьшении длины волны излучения от λпор интенсивность оптических переходов возрастает, что приводит к увеличению концентрации неравновесных носителей заряда и соответствующему росту фотопроводимости.
Рис.1
Основной принцип повышения фоточувствительности материала заключается в увеличении времени жизни неравновесных носителей заряда. Для этого в материал вводятся примеси, создающие в запрещенной зоне уровни, называемые «ловушками захвата». В отличие от рекомбинационных уровней, на них могут захватываться носители заряда только одного знака, а вероятность захвата носителей другого знака крайне мала
Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения называется световой характеристикой.
В области слабых световых потоков характеристика обычно имеет линейный характер. Однако с повышением интенсивности света линейность нарушается
Материалы:
Полупроводник | | | |
CdS | 2,53 | 0,034 | 0,011 |
CdSe | 1,85 | 0,072 | 0,0075 |