Если провести на характеристиках линию нагрузки R_н и если U_Б=0 (I_Б=0), то в коллекторе протекает начальный ток I_кэ0 и рабочая точка находится в точке А. Из-за малой величины I_кэ0 можно считать, что коллектор находится под полным напряжением Е_К. Такое состояние ключа называется разомкнутым.

Если увеличить U_Б (I_Б), то рабочая точка перемещается от А по линии R_н в направлении точки К. При некотором значении I_Б рабочая точка совпадает с точкой М. Тогда ток коллектора будет определяться величинами Е_К. и R_н, так как падением напряжения на транзисторе можно пренебречь:. На коллекторе транзистора остается небольшое напряжение, называемое напряжением насыщения. О таком состоянии ключа принято говорить, что транзистор открыт и насыщен, а ключ замкнут.

Схема простейшего усилительного каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. 6.28.

Рис. 6.28. Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ

Переменное напряжение е_Г воздействует на сквозной поток электронов, движущихся из эмиттера в коллектор. В результате этого воздействия коллекторный ток приобретает переменную составляющую i_К, которая благодаря очень высокой эффективности управления может быть значительной даже при очень маленькой величине е_Г. При протекании тока коллектора через нагрузочный резистор на нем выделяется напряжение, также имеющее переменную составляющую u_вых=i_КR_н. Это выходное переменное напряжение при достаточно большом сопротивлении R_н может значительно превосходить величину входного переменного напряжения u_вх: , где - эквивалентное сопротивление, определяемое параллельным включением выходного сопротивления транзистора и R_К.

---

Смотрите также файлы

• ЛЕКЦИЯ 13 по ИЭУ.docx

• ЛЕКЦИЯ 12 по ИЭ.docx

• Лекция 12 микроэлектроника.doc

• Лекция 11 микроэлектроника.doc

• Лекция 10 микроэлектроника.doc