ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.04.2025
Просмотров: 222
Скачиваний: 0
В последнее время при четырехзначном номере серии первую цифру порядкового номера серии устанавливают в зависимости от функционального назначения микросхем, входящих в серию. Например, цифра 0 определяет, что данная серия микросхем предназначена для работы в составе бытовой радиоэлектронной аппаратуры. Цифра 1 ставится на аналоговых микросхемах, цифра 4 - микросхемам ОУ, цифра 5 - цифровым микросхемам, цифра 6 - серии микросхем памяти, цифра 8 - сериям МП.
Если в конце условного обозначения стоит буква, то она определяет технологический разброс электрических параметров данного типономинала.
На микросхемах, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения ставится буква К, например: К1533ИР22.
Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии могут быть добавлены следующие буквы: Р - пластмассовый корпус типа ДИП; М - металлокерамический корпус типа ДИП и т.д.
Система обозначений ИС.
Б Ц ЦЦЦ Б Б Ц Б
К – для широкого применения
Э – на экспорт (шаг выводов 2.54 и 1.27 мм)
Р – пластмассовый корпус 2-го типа
М – керамический, металло-
или стеклокерамический корпус 2-го типа
Е – металлополимерный 2-го типа
А – пластмассовый корпус 4-го типа
И – стеклокерамический корпус 4-го типа
Н – кристаллоноситель
Б
– бескорпусный
Группа (по конструктивно-технологическому
исполнению):
1,5,6,7 – полупроводниковые
2,4,8 – гибридные
3 – прочие (пленочные, керамические,
в
акуумные
и т.д.)
п
орядковый
номер данной серии
п
одгруппа
в
ид
(по функциональному назначению)
условный номер разработки микросхемы в данной серии по
ф
ункциональному
признаку
д
опуски,
разброс параметров и т.п.
Функциональная подгруппа и вид микросхемыТаблица 10.2
|
Подгруппа, вид ИС |
Обозн. |
Подгруппа, вид ИС |
Обозн |
|
Генераторы сигналов: |
|
Коммутаторы и ключи: |
|
|
синусоидальных |
ГС |
тока |
КТ |
|
специальной формы |
ГФ |
напряжения |
КН |
|
прямоугольных |
ГГ |
прочие |
КП |
|
линейно-изменяющихся |
ГЛ |
Усилители: |
|
|
шума |
ГМ |
постоянного тока |
УТ |
|
прочие |
ГП |
импульсные |
УИ |
|
Преобразователи сигналов: |
|
повторители |
УЕ |
|
частоты |
ПС |
высокой частоты |
УВ |
|
напряжения (тока) |
ПН |
промежуточной частоты |
УР |
|
длительности |
ПД |
низкой частоты |
УН |
|
мощности |
ПМ |
широкополосные |
УК |
|
уровня (согласователи) |
ПУ |
считывания и воспроизведения |
УЛ |
|
синтезаторы частоты |
ПЛ |
индикации |
УМ |
|
делители частоты аналоговые |
ПК |
операционные |
УД |
|
делители частоты цифровые |
ПЦ |
дифференциальные |
УС |
|
умножители частоты аналоговые |
ПЕ |
прочие |
УП |
|
цифро-аналоговые |
ПА |
Модуляторы: |
|
|
аналого-цифровые |
ПВ |
амплитудные |
МА |
|
код-код |
ПР |
частотные |
МС |
|
Детекторы: амплитудные частотные фазовые импульсные прочие |
ДА ДС ДФ ДИ ДП |
фазовые импульсные прочие Фильтры: верхних частот нижних частот |
МФ МИ МП
ФВ ФН |
|
Устройства сравнения: |
|
полосовые |
ФЕ |
|
амплитудные (уровня сигналов) |
СА |
режекторные |
ФР |
|
временные |
СВ |
прочие |
ФП |
|
частотные |
СС |
Триггеры: |
|
|
прочие |
СП |
Шмитта |
ТЛ |
|
компараторы напряжения |
СК |
динамические |
ТД |
|
Формирователи: |
|
Т-триггер |
ТТ |
|
импульсов прямоугольной |
АГ |
RS -триггер |
ТР |
|
формы |
|
D-триггер |
ТМ |
|
импульсов специальной формы |
АФ |
JK-триггер |
ТВ |
|
адресных токов разрядных токов |
АА АР |
комбинированные(RST, DRS, JKRS и др. ) |
ТК |
|
прочие |
АП |
прочие |
ТП |
|
Многофункциональные устройства: |
|
Наборы элементов: |
|
|
аналоговые |
ХА |
диодов |
НД |
|
цифровые |
ХЛ |
транзисторов |
НТ |
|
комбинированные |
ХК |
резисторов |
НР |
|
цифровые матрицы |
ХМ |
конденсаторов |
НЕ |
|
аналоговые матрицы |
ХИ |
комбинированные |
НК |
|
комбинированные матрицы |
ХТ |
функциональные |
НФ |
|
прочие |
ХП |
прочие |
НП |
Продолжение таблицы
|
Подгруппа, вид микросхемы |
Обозна-чение |
Подгруппа, вид микросхемы |
Обозна-чение |
|
Устройства задержки: пассивные |
БМ
|
Вычислительные устройства: микро-ЭВМ |
ВЕ |
|
активные |
БР |
микропроцессоры |
ВМ |
|
прочие Источники вторичного питания: |
БП |
микропроцессорные секции устройства микропрограммного |
ВС ВУ |
|
преобразователи выпрямители стабилизаторы напряжения |
ЕМ ЕВ ЕН |
управления функциональные расширители устройства синхронизации |
ВР ВБ |
|
непрерывные стабилизаторы тока |
ЕТ |
устройства управления прерыванием |
ВН
|
|
стабилизаторы напряжения импульсные устройства управления импульсными стабилизаторами - |
ЕК
ЕУ |
устройства управления вводом-выводом устройства управления памятью функциональные преоб- |
ВВ
ВТ ВФ |
|
напряжения источники вторичного |
ЕС |
разователи информации устройства сопряжения с |
ВА |
|
питания |
|
магистралью |
|
|
прочие Логические элементы: И |
ЕП
ЛИ |
времязадающие устройства микрокалькуляторы контроллеры |
ВИ ВХ ВГ |
|
ИЛИ |
ЛЛ |
комбинированные устройства |
ВК |
|
НЕ |
ЛН |
специализированные |
ВЖ |
|
И-ИЛИ И-НЕ |
ЛС ЛА |
устройства прочие |
ВП |
|
ИЛИ-НЕ И-ИЛИ-НЕ |
ЛЕ ЛР |
Запоминающие устройства: матрицы ОЗУ |
РМ |
|
И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ) ИЛИ-НЕ (ИЛИ) |
ЛК ЛМ |
ОЗУ матрицы ПЗУ |
РУ РВ |
|
И-НЕ/ИЛИ-НЕ расширители |
ЛБ ЛД |
ПЗУ (масочные) ПЗУ с возможностью од- |
РЕ РТ |
|
прочие |
ЛП |
нократного программирования |
|
|
Цифровые устройства: |
|
ПЗУ с возможностью |
РР |
|
регистры |
ИР |
многократного электрического |
|
|
сумматоры |
ИМ |
перепрограммирования |
|
|
полусумматоры |
ИЛ |
ПЗУ с ультрафиолетовым |
РФ |
|
счетчики |
ИЕ |
стиранием и электрической |
|
|
дешифраторы |
ИД |
записью информации |
|
|
комбинированные |
ИК |
ассоциативные запоминающие |
РА |
|
шифраторы |
ИВ |
устройства |
|
|
арифметико-логические |
ИА |
запоминающие устройства |
РЦ |
|
устройства |
|
на ЦМД |
|
|
прочие |
ИП |
прочие |
РП |
|
Фоточувствительные устройства |
|
|
|
|
с зарядовой связью: |
|
|
|
|
матричные |
ЦМ |
|
|
|
линейные |
ЦЛ |
|
|
|
прочие |
ЦП |
|
|
10.3 Элементы микросхем
Элементы полупроводниковых ИС.
Биполярные транзисторы – базовый элемент биполярной ИС. Как правило, n-p-n. Могут иметь несколько эмиттеров (многоэмиттерные).
Изоляция от остальных элементов:
p-n переходом;
диэлектрической изоляцией (изопланарные транзисторы).
Д
ля
повышения быстродействия транзисторов
шунтируют коллекторный переход диодом
Шотки, в котором используется переход
металл-полупроводник (у ДШ на 30% ниже
ΔUпр).
2. Полупроводниковые диоды – используются эмиттерные или коллекторные переходы транзисторной структуры (обычно Э, а Б и К соединяют).
3. Полупроводниковые конденсаторы – на базе pn–переходов. Работают при закрывающем напряжении. С < = 100 пФ).
4. Резисторы – используются резистивные свойства областей Э (30-70 кОм), Б (10-100 кОм), К (2-100 Ом).
5. Элементы с инжекционным питанием. Ток возникает при вводе в базу (инжекции) избыточных носителей заряда. Для этого имеется специальный электрод – инжектор (генератор тока).
2 режима работы:
1) насыщение (инжекция, транзистор открыт);
2) отсечка (закрыт).
Достоинства:
1) большая плотность размещения элементов (инжектор используется на 10…20 элементов)
2) самые экономичные (потребляемая мощность 0,01…0,1 мВт)
3) работа переключения мала (1 пДж) (tзадержки×Рпотреб. мощность)
6. МДП – транзисторы применяют с индуцированным и со встроенным каналом (канал n-типа).
Достоинства: 1) более технологичны (в 1,5 раза меньше операций по изготовлению);
2) меньшая площадь.
7. МДП – резисторы – используется сопротивление канала транзистора (> 200 кОм = f(Uзатвора)).
8. МДП – конденсаторы образуются металлическим затвором, подзатворным диэлектриком и сильно легированной областью n+ (С < = 1000 пФ)
9. Комплементарные МДП – транзисторы. Последовательное включение двух МДП – транзисторов с каналами разного типа проводимости.
10. МНОП – транзисторы (+ Н – нитрид кремния)
10.4 Технология изготовления микросхем
Все элементы ИС и их соединения выполнены в едином технологическом цикле на общей подложке.