Файл: ТЭМ_экзамен_билеты.doc

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Распределение концентрации носителей в pn-переходе при нулевом, прямом и обратном смещении.

2. Чувствительность фотоприемников. Спектральные характеристики собственных фоторезисторов.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Энергетические диаграммы pn-перехода при нулевом, при прямом и обратном смещении.

2. Примесные фоторезисторы. Спектральные характеристики примесных фоторезисторов и их зависимости от температуры.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. ВАХ pn-перехода. Явление инжекции и экстракции.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 19

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Генерационно-рекомбинационные процессы в ОПЗ. Понятие эффективной времени жизни носителей.

2. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОБ. Коэффициент передачи по току, коэффициент инжекции, коэффициент переноса.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора для различных режимов (нормальный усилительный, инверсный, насыщение и отсечки).

2. Характеристическое сопротивление диода.

3. Зависимость ВАХ диода от температуры.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 21

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Барьерная и диффузионная емкость pn-перехода.

2. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.

3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора.

2. Лавинный, туннельный и тепловой пробой pn-перехода.

3. Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Температурная зависимость параметров биполярного транзистора.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

3. Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Эквивалентные схемы транзисторов. Формулы Эберса-Молла.

2. Тиристор. Энергетические диаграммы. Коэффициенты усиления тиристора.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 25

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. r-параметры транзистора как четырехполюсника.

2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.

3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 26

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. g-параметры транзистора как четырехполюсника.

2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 27

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. h-параметры транзистора как четырехполюсника.

2. Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип работы.

3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 28

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой

Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

1. Барьер металл-полупроводник. Явления на границе раздела. Область пространственного заряда.

2. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.

3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.