ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 06.05.2025

Просмотров: 2856

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

Основы проектирования электронных средств

6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб

Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств

Походы к обеспечению эмс

Эмс и нарушения функциональной безопасности

Уровень напряженности поля

Информационная безопасность

Электромагнитное оружие

Система технического регулирования в области эмс в рф

Лекция 3. Верификация в проектировании модулей

Концепция "сдвига влево"

Целостность сигнала

Результатами выполнения этих задач являются:

Лекция 4. Топологическое проектирование

Способы задания графов

Классификация графов

Части графа

Структурные свойства связных графов

Матрица соединений

Матрица инциденций

Задача разбиения

Задача размещения

Трассировка

Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач

Коммутационное поле

Позиция

Характеристика позиций

Параллельный алгоритм одновременного размещения

Волновой алгоритм

Контрольные вопросы

Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат

Спектр сигнала определяется соотношением

Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях

Расчет емкости в односторонних платах

Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета

Анализ линии в частотной области

Анализ линии во временной области

Лекция 8. Помехи в одиночных линиях

Характер переходного процесса в длинной линии

Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи

Лекция 10. Помехи в шинах питания

10.2. Устранение помех по шинам питания

10.3. Размещение и подключение конденсаторов

10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления

Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:

Лекция 12. Концепция экранирования

Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона

Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия

Металлические листы

Сеточные материалы

Скин-слой

Пермаллой

Особенности технологии пермаллоя

Лекция 15. Экранирование в ближней зоне

Лекция 16. Электродинамическое экранирование

, Ом.

, Ом

Это важнейший параметр скоростных печатных плат!

Удельное время задержкираспространения сигнала в линии передачи, нс/м.

Эффективная диэлектрическая проницаемость eff усредненное значение для диэлектрической проницаемости кусочно-однородных сред (см. раздел 2.3.8 [1])

Примеры кусочно-однородных сред: наружный слой МПП (рис. 7.1).

В полосковой линии передачи среда однородна.

Рис. 7.1. Пример кусочно однородной среды в конструкции печатной платы

Методы расчета параметров линий передачи

  • Строгие аналитическиеограниченный круг задач, имеющих малую практическую ценность.

  • Аналитическиена основе метода конформных преобразованийудобны в инженерной практике, но имеются принципиальные ограничения.

  • Численные методы:

    • метод граничных элементов,

    • метод конечных элементов (ELCUT).


    1. . Расчет емкости  базового параметра Базовый параметр линий передачи  электрическая емкость

,

где: 8,85 пФ/м диэлектрическая постоянная,r эф– эффективная диэлектрическая проницаемость изоляционных материалов;сl– безразмерная величина, определяющая емкость на единицу длины рассчитываемой плоскопараллельной системы проводников;l– длина системы проводников, м.

Расчет емкости в односторонних платах

Сечение

сl

m = k2, m1 = k12

r эф

1.

m = ab/[(a + d)(b + d)]

ti – см. следующую таблицу

2.

m = a/(a + d)

3.

m = [d/(d + 2a)]

4.

m1 = (1 + q1 + q2)/[(1 + q1)( 1 + q2)]

5.

m = [1/(1 + 2d/b)]2

m1= 1/(1 +q2)


Параметры могут быть определены через модули эллиптических интегралов: m=k2;m'=(k')2и по графикам.

При вычислении параметра m' по выражениям, приведенным в таблице, необходимо вычислить ряд вспомогательных коэффициентовt1,t2,t3,q1,q2по следующим выражениям:

ti = (exp i – 1)/ (exp i + 1), i = 1, 2, 3;

1 = (2b + d)/2h;

2 = d/2h;

3 = (2a + d)/2h;

Значения можно определить по графику (рис. 7.2), а значенияtiпо вычисленнымi– можно определить из графика, приведенного на рис. 7.3.

Рис. 7.2. Отношение K'/K как функция параметра m (0,00129 m 0,99954).

Рис. 7.3. Зависимость ti(i).

Полосковые и микрополосковые линии (рис. 7.4)

Рис. 7.4. Микрополосковая и полосковая линия передачи

Для них можно воспользоваться формулами, рекомендованными стандартом IPC. Погонная емкостьмикрополосковойлинии дается как

, пФ/см,

где rотносительная диэлектрическая проницаемость основания платы,hтолщина диэлектрика, см,w ширина проводника, см,t– толщина проводника, см.

Важно отметить что, хотя толщина трассы присутствует в параметрах, при повышенной точности расчетов эти формулы использовать нельзя. Здесь применимы численные методы расчета. Для инженерной оценки полезно помнить, что при ширине w=2h, и при диэлектрической проницаемости равной 4, погонная емкость составляет около 1 пФ/см.


Погонная емкость полосковойлинии передачи приблизительно равна:

, пФ/см

где bтолщина диэлектрика, см,w ширина линии, см,t– толщина проводника, см.

Например, если толщина диэлектрика = 2w, то погонная емкость будет примерно 1,4 пФ/см приr= 4.

Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета

В качестве примера рассмотрим одностороннюю печатную плату с проводниками разной ширины (см. рис. 7.5).

Рис. 7.5. Расчетное сечение линии передачи

Односторонняя печатная плата с проводниками разной ширины

Расчет первичных и вторичных параметров печатного монтажа может быть проведен на основе справочных формул, полученных методом конформных преобразований. При этом расчетная система проводников заменяется плоскопараллельной системой бесконечно тонких пластин.

Зададим геометрические параметры линии и значения относительных диэлектрических проницаемостей основания и окружающей среды: a = 1 мм; d = 1 мм; b = 3 мм; h = 2 мм; r1 = 1; r2 = 6; l = 1 м. Методика расчета электрической емкости линии связи в печатном монтаже при помощи справочных формул, полученных методом конформных преобразований, сводится к следующим операциям:

1. Определяем параметр m:

m = ab/[(a + d)(b + d)] = 13/[(1 + 1)(1 + 3)] = 0,375.

2. По графику K’/K(m) (рис. 7.2) получаем K’/K = 1,12323 для m = 0,375 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов) и рассчитываем сl= 2K/K’ = 1,78058.

3. Рассчитываем вспомогательные коэффициенты:

1 = 5,49779; 2 = 0,785398; 3 = 2,35619.

По графику ti(i) (рис. 7.3) определяем t1 = 0,991842; t2 = 0,373685; t3 = 0,826851 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов).

4. Находи параметр m1 = 0,170876.

5. По графику K’/K(m) (рис. 7.2) получаем K1’/K1 = 1,41563 для m1 = 0,170876 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов).


6. Эффективная диэлектрическая проницаемость

.

7. Погонная емкость для заданной системы проводников рассчитываем по формуле:

C = 8,85rэф сl  l = 8,85  2,98362  1,78058  1= 4,702-11 = 47,02 пФ/м.

Если рассчитывается линия связи, сформированная сигнальным и экранным проводниками, то индуктивность и волновое сопротивление линии определяются по следующим формулам.

Предположим, что в нашем случае, проводник b = 3 мм заземлен. Определим L, Z, t`d. для такой линии передачи.

8. Емкость в воздушной среде:

C0 = 8,85  сl  l = 8,85  1,78058  1 = 1,576-11 = 15,76 пФ;

9. Индуктивность:

;

10. Волновое сопротивление:

;

11. Удельное время задержки распространения сигнала:

.