ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 06.05.2025

Просмотров: 97

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Практическая часть 2:

Рисунок 4 - Схема для исследования полевого транзистора

Таблица 3 - Данные для построения стоко-затворных характеристик

Напряжение затвор - исток Uзи

0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

Ток стока Iси, мА, при напряжении сток - исток Uси , В

2

16,79

14,67

12,54

10,4

8,427

6,086

10

32,15

25,96

20,42

15,54

11,32

7,76

Таблица 4 - Данные для построения стоковых характеристик

Напряжение сток -

1

2

3

5

8

9

10

исток

Uси, В

Ток стока Iс, мА, при

0

9,178

16,79

22,65

28,29

30,61

31,37

32,15

напряжении затвор -

0,6

7,946

14,24

18,7

21,82

23,61

24,8

24,8

исток Uзи, В

1,2

6,707

11,68

14,73

16,18

17,51

17,95

18,4


Cтоко-затворные и стоковые характеристики в координатных осях:

Рисунок 5 - Стоко-затворная характеристика полевого транзистора

Рисунок 6— Стоковая характеристика полевого транзистор.

Вывод 2: из рисунка 5 видно, что при уменьшении UЗИ по абсолютной величине сопротивление канала начинает уменьшаться, т.к. увеличивается его ширина из-за уменьшения ширины p-n-перехода. Из рисунка 6 видно, что При UЗИ = 0. Смещения p-n-перехода нет. Сечение проводящего канала минимально, протекает минимальный ток.