Файл: Вводый курс цифровой электроники (К.Фрике, 2003).pdf

136 Дополнение

Д.5.2. Интегральная инжекционная логика

В разделе 5.4 приведены электрическая схема и разрез физической структуры одного из возможных вариантов И^Л. В настоящее вре­ мя известно множество схемотехнических и структурно-топологи­ ческих видов вентилей данного класса, обладающих важными ^\ля СБИС энергетическими особенностями.

Вых

Вх

ИЗ

En ПЭ

Рис . д . 5 . 5 . Обобщенная структурная схема токового ключа с инжекционным питанием.

На рис. Д.5.6 приведена морфологическая таблица известных схем вентилей с инжекционным питанием.

В позиции 1.1 таблицы расположена электрическая схема класси­ ческого варианта И^Л инвертора. Эта электрическая схема может быть воплощена в интегральную структуру, отличающуюся высо­ кой плотностью компоновки (в 3-4 раза превышающую плотность компоновки КМОП вентиля), низкой энергией переключения и срав­ нительно простой технологией изготовления. Остановимся более по­ дробно на особенностях конструкции инжекционнои логики, чтобы вскрыть заложенное в физической структуре основное противоре­ чие, не позволяющее повысить энергию переключения и быстродей­ ствие, и уменьшение потребляемой мощности без ухудшения осталь­ ных параметров, главным из которых является технологичность.

Сравнительно низкое быстродействие классической инжекцион­ нои логики является ее принципиальным недостатком, неизбежно вытекающим из физической структуры. Дело в том, что исполь­ зование инверсного включения переключательного транзистора с вертикальной структурой обуславливает значительное накопление неосновных носителей заряда в эмиттернои области, в отличие от

138 Дополнение

Таким образом, основное техническое противоречие классиче­ ской инжекционнои структуры заложено в конструкции переключа­ тельного элемента — инверсно включенного биполярного транзи­ стора. С одной стороны, ^\ля увеличения быстродействия желатель­ но ограничить ток через эмиттерный переход и связанное с ним накопление неосновных носителей заряда, но при этом ухудшают­ ся нагрузочные свойства переключательного элемента, и в конеч­ ном счете нарушается его работоспособность, так как необходимым условием работы инжекционного ключа является условие насып];е- ния переключательного транзистора.

Устранение рассмотренного выше противоречия является необ­ ходимым условием решения задачи о повышении быстродействия, уменьшения энергии переключения инжекционнои логики без услож­ нения технологии изготовления, увеличения рассеиваемой мош;ности и уменьшения плотности упаковки.

Одним из возможных путей устранения основного противоре­ чия является отказ от биполярной транзисторной структуры пере­ ключательного элемента и использования в этой роли другого полу­ проводникового прибора, технологически совместимого с биполяр­ ным транзистором цепи питания.

Однако этот путь повышения быстродействия предполагает от­ каз от одного из наиболее значительных достижений инжекционнои логики-простоты технологии.

Вторым серьезным недостатком классического варианта инжек­ ционнои логики является многоколлекторная организация выхода логических элементов. Для исключения эффекта разброса входных характеристик нагрузочных транзисторов выход инжекционного логического элемента выполняется в виде нескольких коллекторов, количество которых определяется количеством входов нагрузки. При этом каждый коллектор соединяется металлизированным проводни­ ком только с одним входом. Такая организация связей между логи­ ческими элементами значительно усложняет металлизацию внутри­ схемных соединений и затрудняет выполнение интегральной схемы с однослойной металлизацией. В данном случае имеется противоре­ чие между плотностью упаковки и нагрузочной способностью логи­ ческого элемента. Повысить плотность компановки инжекционного логического вентиля можно за счет сокращения количества коллек­ торов, но при этом уменьшается нагрузочная способность логиче­ ского элемента. Данное противоречие обусловлено особенностями работы переключательного элемента, а именно свойствами входной характеристики биполярного транзистора.

д.5. Схемотехника логических вентилей на токовых ключах

Как известно, физическая структура инжекционной логики до­ статочно проста, но требует использования сравнительно высокоомной эпитаксиальной пленки. Это требование диктуется инверс­ ным включением биполярного транзистора. Поэтому дальнейшее упрощение структуры, в частности использование безэпитаксиальной монокристаллической подложки, не представляется возможным. В данном случае имеет место противоречие между технологично­ стью и усилительными свойствами переключательного элемента.

Подводя итог сказанному вьппе, можно констатировать, что основ­ ные противоречия, не позволяющие совершенствовать классическую инжекционную логику в части уменьшения энергии переключения, повышения плотности компоновки и степени интеграции, тесно свя­ занной с технологичностью структуры, содержатся в принципе дей­ ствия и конструкции переключательного элемента — инверсно вклю­ ченного биполярного транзистора.

Отсюда следует вывод: радикального улучшения параметров клас­ сического варианта инжекционной логики можно добиться только отказавшись от биполярной транзисторной структуры, использую­ щейся в качестве переключательного элемента.

В позициях 2.1 морфологической таблицы (рис. Д.5.6) размещена электрическая схема инжекционно-полевой логики (ИПЛ), в которой в качестве переключательного элемента использован транзистор с управляющим переходом (ПТУП).

Структура ИПЛ элемента представлена на рис. Д.5.7. Базовый элемент содержит нормально закрытый ПТУП, затвор которого является входом, а сток — выходом инвертора. В структуре, по­ казанной на рис. Д.5.7 генератор тока выполнен в виде биполярного транзистора.

вых

о

ч^ N +

N -

Рис. д.5.7. Структура ИПЛ-элемента.

Важной особенностью физической структуры элемента ИПЛ явля­ ется возможность формирования рабочих областей в монокристал­ лической подложке без эпитаксиального слоя. Такая конструктив-

140 Дополнение

пая особенность обеспечивает ряд преимуществ этого элемента по сравнению с известными биполярными функционально — интегри­ рованными элементами — технологичность, высокий процент выхо­ да годных. Наличие диэлектрического маскирующего участка, под которым формируется канал полевого транзистора с управляющим р-п-переходом приводит к возможности создания переключатель­ ного транзистора, работающего на полевом эффекте. Выходы эле­ мента ИНЛ могут быть выполнены в виде нескольких независимых стоковых областей аналогично И^Л вентилю.

С точки зрения простоты технологии изготовления, оптималь­ ной является структура переключательного элемента в виде кон­ струкции с вертикальным каналом, а генератора тока в виде гори­ зонтального биполярного транзистора. Такая конструкция обеспе­ чивает функциональную интеграцию и технологическую совмести­ мость биполярного и полевого транзисторов.

Элемент ИНЛ работает следующим образом. Переключение базы и эмиттера р-п-р-транзистора соответственно к «земле» и «плюсу» цепи питания и подачи на последний напряжения, равного напря­ жению открывания эмиттерного р-п-перехода (О, 3 ib О, 6) В, обеспе­ чивает протекание тока питания между эмиттером и коллектором

р-п-р-транзистора. Р-п-р-транзистор включен по схеме с общей ба­ зой и является генератором постоянного тока, величина которого практически не зависти от напряжения на коллекторе. Ток пита­ ния представляет собой ток неосновных носителей заряда, переме­ щающихся под действием дрейфа и диффузии в базовой области

р-п-р-транзистора, являющейся одновременно областью истока по­ левого транзистора. Неосновные носители заряда коллектируются р-п-переходом затвор-исток. В зависимости от потенциала, прило­ женного к входному электроду, возможны две ситуации. При подаче

на затвор потенциала логического нуля U^ (О -^ 0,1) В, ток пита­ ния через цепь источника сигнала замыкается на «землю». В дан­ ном режиме канал НЗПТУП перекрыт областью пространственного заряда (ОПЗ) р-гг-перехода затвор-исток. При этом между входом элемента и «землей» имеет место высокое сопротивление, препят­ ствующее протеканию тока нагрузки. Отсутствие гальванической связи между входом и «землей» приводит к накоплению неосновных носителей заряда в области затвора, которые наводят потенциал, примерно равный напряжению источника питания (0,3 -^ О, 6) В, со­ ответствующий напряжению логической единицы С/^. Когда р-п- переход затвор-исток смещается в прямом направлении, сопроти-

д.5. Схемотехника логических вентилей на токовых ключах

вление канала резко уменьшается вследствие уменьшения слоя объ­ емного заряда в канале. Переключательный НЗПТУП открывается. Как можно видеть из качественного рассмотрения основных режи­ мов работы, НЗПТУП в элементе ИПЛ работает в режиме, не ха­ рактерном ^\ля работы полевых транзисторов в традиционных схе­ мах. Напряжение между затвором и истоком, при котором проис­ ходит перекрывание канала ОПЗ, обычно имеет отрицательную по­ лярность и составляет несколько вольт. Для элементов ИПЛ это на­ пряжение имеет положительную полярность и составляет несколько долей вольта.

Дальнейшее увеличение плотности компоновки ИПЛ элементов достигается следующим образом.

Расщепление затвора, изменение пропорций канала и совмеще­ ние затворов дают семейство модификации инжекционно-полевого элемента, иллюстрируемого рис. Д.5.8. Далее каждая из конструк­ ций рассматривается подробно.

Целью модификаций исходной структуры рис. Д.5.8 а) являлось повышение плотности упаковки интегральных логических элемен­ тов. Эта цель достигнута посредством выполнения ПЭ в виде ПТ с несколькими затворами, совмещенными с коллекторными областями БТ, и подключенными к входным электродам, и стоковой областью, расположенной между затворными областями и подключенной к вы­ ходному электроду. Схематическое изображение структуры логиче­ ского элемента приведено на рис. Д.5.8б). Принцип действия ФИЭ второго уровня интеграции поясняется рис. Д.5.9.

При выборе удельного сопротивления подложки I и расстояния между областями 4' и 4 таким образом, чтобы толщина ОПЗ пере­ хода затвора при подаче на вход логического «О» была бы больше расстояния между областями 4' и 4, логический элемент будет вы­ полнять логическую функцию И-НЕ. То есть предложенное техни­ ческое решение позволяет значительно расширить функциональные возможности ИПЛ. На одном полупроводниковом кристалле мож­ но реализовать как вентиль ИЛИ-НЕ, так и вентиль И-НЕ только путем изменения расстояния между затворными элементами.

Рассмотренная выше конструкция может быть реализована в БИС простейшей архитектуры на безэпитаксиальной подложке. Од­ нако, этим не исчерпывается все многообразие возможностей ис­ пользования функционально-интегрированных элементов (ФИЭ) рас­ сматриваемого типа. Например, архитектура СБИС с полной ди­ электрической изоляцией, использующая диэлектрическую подлож-