ВУЗ: Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского
Категория: Решение задач
Дисциплина: Материаловедение
Добавлен: 18.02.2019
Просмотров: 636
Скачиваний: 3
Практическая работа №2
Электронная и кристаллическая структура тугоплавких металлов
Содержание
1. Электронное строение тугоплавких металлов…………………………………..
2. Общие особенности структуры и свойств тугоплавких металлов с ОЦК решеткой……………………………………………………………………………….
3. Системы скольжения в ОЦК металлах…………………………………………..
1. Электронное строение тугоплавких металлов
Характерные физические, химические и механические свойства, которые отличают тугоплавкие металлы (ТМ) от других элементов Периодической системы, определяются:
- электронной структурой их атомов;
- природой межатомной связи;
- типом кристаллической решетки.
Каждому элементу периодической таблицы приписывают определенный атомный номер, соответствующий положительному заряду ядра Z (Cr24, Mo42, W74). Этот заряд несут Z протонов (+), ядра содержат также нейтральные частицы – нейтроны.
Атом можно представить в виде положительно заряженного ядра, окруженного облаком отрицательно заряженных Z электронов (-).
Закон квантовой механики ограничивает число электронов в данном состоянии изолированного атома. Он не позволяет всем электронам занять энергетические состояния с минимальной энергией около ядра атома.
Распределение электронов по орбиталям подчиняется принципу Паули.
Согласно принципу Паули в атоме не могут быть более двух электронов в одинаковых энергетических состояниях с четырьмя одинаковыми квантовыми числами. На каждой орбите может находиться не более двух электронов, различающихся спинами (спаренные электроны).
Поэтому в изолированном атоме Z электронов распределяются по разрешенным орбитам таким образом, чтобы общая энергия атома была минимальной.
Максимальное количество электронов в подоболочках s, p, d, f равно соответственно 2, 6, 10 и 14.
Так, что емкость каждого энергетического уровня составляет (рис.1):
1s22s22p63s23p6,3d10,4s2,4p6,4d10,4f14,5s2,5p6,5d105f14,6s2…
* Тугоплавкие металлы относятся к переходным d-элементам с недостроенными nd и (n+1)s энергетическими уровнями
Рис. 1 – Схематическое изображение энергетического спектра изолированного атома
|
Рис. 2 – Схема размытия электронных 3d и 4s энергетических уровней при образовании кристаллов хрома
Переходные металлы ‒ элементы побочных подгрупп Периодической системы элементов, в атомах которых появляются электроны на d- и f-орбиталях.
Тугоплавкие металлы относятся к переходным d-элементам с недостроенными nd и (n+1)S энергетическими уровнями, где n- натуральное целое число. У них начинает заполняться электронами более «высокий» (n+1)S-уровень, когда еще полностью не заполнен электронами более «низкий» nd – энергетический уровень:
V, Cr находятся в I большом периоде с недостроенными 3d-4s уровнями;
Zr, Nb, Mo находятся во II большом периоде с недостроенными 4d-5s уровнями;
Та, W, Re находятся в III большом периоде с недостроенными 5d-6s уровнями.
В изолированных свободных атомах ТМ электронные орбитали имеют дискретные значения энергии Е. При сближении атомов энергии орбиталей не остаются дискретными, а размываются в энергетические области, которые называются энергетическими зонами.
В кристаллах энергетические nd и (n+1)S – уровни перекрываются – происходит гибридизация орбит, как показано на рис.2 для хрома – переходного металла I большого периода. Энергия электронов 4s1 уровня у этого металла выше, чем 3d5-уровня. Поэтому сначала заполняется 4s1 уровень, но только одним, а не двумя электронами.
При образовании связей в кристаллах происходит размытие в полосу уровней не только валентных электронов, но и внутренних, незаполненных полностью энергетических d-уровней.
Поэтому в образовании связей в кристаллах ПМ участвуют электроны (d+s) - энергетических уровней. У металлов VI и VA групп равное количество электронов на d+s уровне, соответственно 5 и 6 электронов.
Наличие на внешних nd и (n+1)S оболочках большого количества электронов с близкими энергиями и их участие в связи определяет высокую прочность межатомной связи в кристаллах тугоплавких металлов.
Высокие силы связи между атомами в кристаллах ТМ легко обнаруживаются по экстремальным значениям физических свойств, которые определяют прочность межатомной связи.
Из элементов трех больших периодов именно ТМ имеют наиболее высокие Тпл, Е, Qсуб, Sпл и минимальные значения коэффициентов сжимаемости (æ) и ТКЛР. Это следует из рассмотрения рис.3.1, рис.3.2 и рис.3.3. Причем максимальные значения Тпл и минимальный коэффициент сжимаемости имеют металлы VIA группы – Сr, Mo, W.
Переходные ТМ имеют неспаренные d-электроны с параллельными спинами (спин – это 4-е магнитное квантовое число, имеет только два значения +1/2 и -1/2, определяет магнитный момент вращение электрона вокруг своей оси).
Обозначения: - скомпенсированный спин
или - нескомписированный спин
Наличие у ТМ d-электронов с некомпенсированными спинами приводит к определенной направленности межатомной связи, которую рассматривают как ковалентную составляющую.
Поэтому у ТМ наряду с сильно выраженной металлической связью проявляется также ковалентная связь, которая обеспечивает сильное взаимодействие между атомами в кристалле. Отсюда высокая прочность и модуль упругости, но ковалентная составляющая приводит к понижению пластичности (δ, ψ), вязкости (КС), способствующей хрупкому разрушению.
Порядок заполнения внешних энергетических уровней такой (правило Хунда), что ковалентная составляющая межатомной связи является максимальной у ПМ VIA группы у металлов трех больших периодов, где число d-электронов с неспаренными спинами максимально: 5 – у Cr и 4 – у Mo и W.
Рис. 3.1 – Изменение температуры плавления металлов трех больших периодов в зависимости от номера группы (по совокупности справочных данных)
Рис. 3.2 – Изменение модуля упругости металлов трех больших периодов в зависимости от номера группы (по совокупности справочных данных)
Рис. 3.3 – Изменение сжимаемости металлов трех больших периодов в зависимости от номера группы (по совокупности справочных данных)
Существование определенной доли ковалентной связи у ТМ и усиление ее при переходе от элементов VA к элементам VIA группы объясняет многие закономерности изменения физических, химических и механических свойств ТМ.
2. Общие особенности структуры и свойств тугоплавких металлов с ОЦК решеткой
Тугоплавкие металлы VA и VIA групп имеют близкое строение внешних nd+(n+1)S электронных орбиталей, и поэтому они имеют не только одинаковые кристаллические решетки, но и близкие параметры.
Все они изоморфны и имеют ОЦК решетки.
Структура ОЦК является менее плотноупакованной, чем кубическая ГЦК. В ОЦК решетке нет плотноупакованных плоскостей, аналогичных плоскостям октаэдра {111} в решетке ГЦК. Наиболее плотноупакованными являются 12 плоскостей ромбического додекаэдра {110}. В таких плоскостях имеются два плотноупакованных направления {111}, вдоль которых жесткие шары (атомы) будут соприкасаться.
Дефекты кристаллической решетки ОЦК металлов (точечные, линейные) имеют свои специфические особенности, которые в большой степени определяют поведение ТМ в процессе пластической деформации и сказываются на их свойствах.
а |
б |
Рис. 4 – Октаэдрические и тетраэдрические пустоты в тугоплавких металлах с ОЦК-решеткой
а – октаэдрические пустоты
б – тетраэдрические пустоты
В структуре ОЦК решетки имеется два типа междоузлий (рис.4):
октаэдрические и тетраэдрические поры (пустоты)
а) Более мелкие октаэдрические пустоты образуют шесть атомов (4+2): 4 – в вершинах куба; 2 – в центре соседних ячеек.
В ОЦК решетке на 1 атом приходится 3 октапоры: .
б) Более крупные тетраэдрические пустоты расположены на гранях ячейки (по 4 поры на каждой грани). Они окружены 4-мя атомами: 2- в вершинах куба и 2- в центре объема соседних ячеек .
Особенности металлов с ОЦК решеткой.
1. Тетраэдрические и октаэдрические поры в ОЦК решетке неравноосны, они не имеют шаровой симметрии.
2. Несмотря на меньшую компактность ОЦК решетки, т.е. больший суммарный объем пустот по сравнению с плотноупакованной ГЦК решеткой, размер отдельных пор в ней меньше:
октаэдрическая пора в ГЦК решетке (Rокт=0,412ат) значительно больше по размерам наиболее крупной тетраэдрической поры (Rтетра=0,291ат) в ОЦК решетке.
Это является главной причиной малой предельной растворимости примесей внедрения в металлах с ОЦК решеткой.
3. Другой принципиальный вопрос – в каких порах располагаются элементы внедрения (H, N, O, C, B) в структуре ТМ, в более крупных тетрапорах (0,291Rат) или в более мелких октапорах (0,154Rат)? Несмотря на кажущуюся очевидность однозначного ответа на этот вопрос нет.
Дело в том, что внедренные атомы с радиусом, превышающим размеры этих пор, вызывают неодинаковые искажения кристаллической решетки:
- в более крупных тетрапорах атомы примеси вызывают смещение всех четырех атомов в направлении плотнейшей упаковки <111>, что, естественно, вызывает сильные внутренние напряжения;
- в более мелких октапорах атомы примеси приводят к сдвигу в направлении ребра куба <010>, где атомы уложены не так плотно и внутренние напряжения могу легко релаксироваться путем расширения решетки только в этом направлении.
4. Атомы внедрения, расположенные в окта- и тетрапорах в ОЦК решетке ТМ, вызывают несимметричные искажения кристаллической решетки, т.е. возникающие вокруг этих атомов поля упругих напряжений не имеют шаровой симметрии.
Несимметричные искажения кристаллической решетки приводит к тому, что атомы примесей внедрения активно взаимодействуют с дислокациями всех видов в тугоплавких ОЦК металлах (включая и винтовые), образуя атмосферы на дислокациях (типа атмосфер Коттрелла). В плотноупакованных решетках ГЦК и ГП примеси внедрения почти не взаимодействуют с винтовыми дислокациями и не блокируют их.
В результате в ОЦК металлах возможна эффективная блокировка всех дислокаций примесями внедрения.
Отсюда резкое влияние примесей внедрения на механические свойства, которое проявляется:
- в резком упрочнении металла (повышаются: НВ, σв, σ0,2);
- сильной температурный зависимости предела текучести от температуры (σ0,2(t)), вплоть до t≤0.2Тпл, К.
- в снижении характеристик пластичности (δ, ψ) и вязкости (КС);
- в повышении склонности к хрупкому разрушению, в повышению температуры Тхр.
3. Системы скольжения в ОЦК металлах
В ОЦК металлах систем скольжения значительно больше, чем в плотноупакованных решетках: их 48; у металлов с ГЦК решеткой – 12 систем скольжения. Дислокации скользят по плоскостям: {101}, {112} и возможно {123}:
{101}<11 > - 12 систем скольжения (6 пл х 2 напр)
{112}<11
>
- 12 систем скольжения (12 пл х 1 напр)
{123}<11
>
- 24 системы скольжения (24 пл х 1 напр)
Полные дислокации в решетке ОЦК имеют вектора Бюргенса – в̄1= а/2 <111>, в̄2=а<101>, в̄3=а<110> (рис. 5). Минимальную энергию имеют дислокации с вектором Бюргенса в1=а/2<111>. Они наиболее устойчивы, и поэтому встречаются в плоскостях скольжения чаще других.
Рис.5 – Вектора Бюргерса единичных дислокаций в ОЦК-решетке
Энергия дефекта упаковки γуп у ТМ с ОЦК решеткой очень велика. У металлов VIA группы она превышает 300 МДЖ/м2 (против 70 МДЖ/м2 у меди). В ТМ с ОЦК решеткой легко осуществляется поперечное скольжение винтовых дислокаций. Этому способствует большое число систем скольжения, а также малая склонность к расщеплению дислокации из-за высокой энергии дефекта упаковки.
Поэтому при пластической деформации у ТМ легко формируется дислокационная ячеистая или полигонизованная структура.
В тугоплавких металлах с ОЦК решеткой скользящие дислокации при встрече могут вступать в различные реакции, результатом которых является торможение дислокаций и, как следствие, деформационное упрочнение.
Наиболее важной дислокационной реакцией является взаимодействие двух полных дислокаций с векторами а/2<111>, скользящих в двух пересекающихся плоскостях (110). В результате такого взаимодействия возникает неподвижная дислокация а[100] (рис 6):
а/2[111](110) + a/2[111](110)=a[100](010)
Поэтому неподвижная дислокация а[00] является эффективным препятствием для движения других дислокаций. С практической точки зрения важно, что такое взаимодействие дислокаций может привести к образованию трещины.
По модели, предложенной Коттреллом (рис. 7), многократное повторение данного взаимодействия между дислокациями приводит к слиянию дислокаций а[ 00] в плоскости (010). В результате дислокации а[00] оказываются настолько сильно прижатыми друг к другу, что их экстраплоскости сливаются, и под ними образуется трещина. Рассмотренный механизм не требует наличия барьеров в виде частиц избыточных фаз, границ зерен и субзерен и т.п.
Рис.6 – Вектора Бюргерса дислокационной реакции
Рис.7 – Схема зарождения трещины при взаимодействии дислокаций а/2<111> (Коттрелл)
1. Какие особенности строения ТМ отличают характерные физические, химические и механические свойства от других элементов ПС?
2. Какие законы физики определяют распределение электронов на орбиталях в изолированных атомах ТМ? В чем сущность принципа Паули при распределении электронов на орбиталях в изолированных атомах?
3. Какие отклонения от принципа Паули наблюдаются у ТМ VA и VIA группы?
4. Какое максимальное количество электронов находится на подоболочках s, p, d, f в изолированных атомах? Продемонстрируйте запись емкости энергетического уровня в изолированных атомах.
5. Какие металлы называются переходными?
6. Какие изменения претерпевают энергетические уровни электронов ТМ VA и VIA групп изолированных атомов при образовании кристаллов? Какие это уровни, сколько электронов находится на этих уровнях?
7. Чем различается электронное строение металлов VA и VIA групп? Как это сказывается на ТМ, важных для их практического использования?
8. Каковы важнейшие особенности ОЦК?
9. Какие системы скольжения имеют ТМ с ОЦК-решеткой, сколько их? Покажите вектора Бюргерса полных дислокаций в ТМ с ОЦК-решеткой?
10. К каким последствиям может привести дислокационные реакции при взаимодействии двух полных дислокаций с векторами a/2 [111], скользящих в двух пересекающихся плоскостях {110}? Как это сказывается на свойствах ТМ с ОЦК-решеткой?