Файл: Мой курсовой проект.docx

Министерство образования и науки Российской Федерации

ФГБОУ ВПО Кубанский государственный технологический университет

(КубГТУ)

Кафедра_____________________________________________________________________

Факультет ___________________________________________________________________

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту

по дисциплине________________________________________________________________

(наименования дисциплины)

на тему______________________________________________________________________

(тема курсового проекта)

Выполнил студент группы______________________________________________________

_____________________________________________________________________________

(фамилия, имя, отчество)

Допущен к защите

Руководитель (нормоконтролер) проекта (работы)__________________________________

(фамилия, дата, расшифровка подписи)

Защищен___________________ Оценка__________________________

Члены комиссии_______________________________________________________________

_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

(подпись, дата, расшифровка подписи)

Краснодар-2016

Министерство образования и науки Российской Федерации

ФГБОУ ВПО Кубанский государственный технологический университет

(КубГТУ)

Кафедра_______________________________________________________________

Факультет _____________________________________________________________

УТВЕРЖДАЮ

Зав. кафедрой ______________

___________________________

ЗАДАНИЕ

на курсовое проектирование

Студенту________________________________________ группы______________________

факультета___________________________________________________________________

специальности________________________________________________________________

_____________________________________________________________________________

(код и наименование специальности)

Тема проекта (работы)_______________________________________________________________

____________________________________________________________________________________

Содержание задания ___________________________________________________________

_____________________________________________________________________________

Объем работы:

а) пояснительная записка_________________________________стр.

б) графическая часть___________________________________листа формата А1

Рекомендуемая литература______________________________________________________

_____________________________________________________________________________

Срок выполнения: с «_____»___________________по «_____»_______________201__г.

Срок защиты: «_____»_______________201__г.

Дата выдачи задания: «_____»_______________201__г.

Дата сдачи проекта (работы) на кафедру: «_____»_______________201__г.

Руководитель проекта (работы)__________________________

(подпись)

Задание принял студент ________________________________

(подпись)

Краснодар-2016

Реферат

Курсовой проект содержит: 30-50 с.; 2 табл.; графическая часть – 1-2 листа формата А1.

Основные понятия: ИНВЕРТОР, СИЛОВАЯ ЧАСТЬ, СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ, ДИОД, ТРАНЗИСТОР, ТРАНСФОРМАТОР.

Объектом проектирования является инвертор.

Цель проектирования – получить необходимые навыки по расчету и конструированию инвертора.

В процессе проектирования проводились расчеты силовой части инвертора, и системы управления.

Основные конструктивные и технико-экспериментальные характеристики:

КЭЭМ. 13.03.02.094.ПЗ

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Изм.

Листов

Литера

Проектирование трехфазного автономного инвертора

Лист

30

3

КубГТУ ИНГиЭ

СОДЕРЖАНИЕ

РЕФЕРАТ…………………………………………………………………………1

СОДЕРЖАНИЕ…………………………………………………………………..3

ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………….............5

РАСЧЕТ ТРЕХФАЗНОГО ИНВЕРТОРА……………………………………...6

1 Расчет силовой части………………………………………………………….6

2 Расчет системы управления…………………………………………………..15

2.1 Расчет задающего генератора………………………………………………15

2.2 Расчет двухконтактного выходного усилителя мощности……………….15

3 Элементарная база…………………………………………………………….25

ЛИТЕРАТУРА…………………………………………………………………..30

ВВЕДЕНИЕ

Электротехническая промышленность в условиях современного периода остается одной из ведущих отраслей промышленности. Её продукция используется во всех промышленных, сельскохозяйственных, военных и бытовых установках. Это означает, что качество электротехнических изделий во многом определяет технический уровень оснащенности других отраслей.

Преобразовательная техника в общем объеме производства электротехнической промышленности занимает значимое место, поскольку необходимость регулирования частоты переменного тока сегодня особо актуальны. Поэтому технико-экономические показатели и эксплуатационные свойства этих устройств имеют важное значение для экономики нашей страны.

Инвертор – это устройство, по принципу действия обратное выпрямителю, т.е. инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное с возможностью изменения выходной частоты с помощью системы управления. Объект проектирования состоит из двух частей: силовой части устройства и схемы управления силовыми элементами. Данные блоки рассчитаны далее.

1. Расчёт силовой части

Расчёт инвертора с двухступенчатой пофазной коммутацией. Исходные данные: линейное напряжение на нагрузке ; активное сопротивление нагрузки ; индуктивность нагрузки ; выходная частота f=600 Гц; напряжение источника питания ; трансформатор инвертора выполнен по схеме ∆/Y

1. Действующее значение фазного напряжения на нагрузке

.

2. Действующее значение фазного напряжения на первичной обмотке трансформатора

3. Коэффициент трансформации инверторного трансформатора

4. Приведенное сопротивление фазы нагрузки (активное)

5. Приведенная индуктивность фазы нагрузки

6. Действующее значение тока в фазе первичной обмотки

Где

;

;.

7. Действующее значение тока в фазе вторичной обмотки трансформатора

А

8. Коэффициент мощности нагрузки

9. Среднее значение тока источника питания

10. Максимальный ток через транзисторы при λ>;

Где

11. Типовая мощность инверторного трансформатора

12. Среднее и действующее значения тока обратных диодов

13. Средний и действующий ток обратных диодов VD2…VD6:

14. Максимальное напряжение на коммутирующем конденсаторе в режиме холостого хода

Где и r – соответственно эквивалентные добротность контура коммутации и сопротивление потерь. На практике возможные напряжения (являющегося также начальным значением U(0) перед коммутацией рабочих тиристоров) лежат в пределах (1,5…2,5) . Выбираем .

15. Максимальное значение прямого и обратного напряжений на рабочих тиристорах VS1…VS6:

.

16. Максимальное значение прямого и обратного напряжений на коммутирующих тиристорах VS7…VS12:

.

17. Максимальное значение напряжения на обратных диодах VD1…VD6

18. Амплитуда перезарядного тока коммутирующего конденсатора для частот f > 100 Гц:

Принимаем

19. Определяем коэффициент ε для применяемого в схеме коммутирующего узла:

20. Критическое (предельное) значение коэффициента нагрузки характеризуется наименьшим значением угла запирания β:

.

21. Характеристическое (волновое) сопротивление

22. Угол запирания

23. Собственная угловая частота, контура коммутации

Где

24. Емкость коммутирующего конденсатора

25. Индуктивность коммутирующего дросселя

26. Среднее значение тока коммутирующих тиристоров VS7…VS12

Где – коэффициент затухания контура;

Q = 7,5 для

27. Амплитудное значение тока в фазе первичной обмотки трансформатора

28. Угол сдвига фаз между первыми гармониками тока и напряжения

29. Действующее значение тока коммутирующего дросселя

По среднему току и максимальному прямому и обратному напряжению, где – коэффициент запаса по току; – коэффициент запаса по напряжению, выбираем рабочие тиристоры VS1…VS6 типа КУ712А-1 с естественным охлаждением ( А; В). Аналогично выбираем коммутирующие тиристоры VS7…VS12 и обратные диоды VD1…VD6 типов КУ218Г; ( А; В) и КУ211Д ( А; В).

В качестве коммутирующих конденсаторов выбираем конденсаторы типа К73-11А-250-0,15 на номинальное рабочее напряжение 250 В и номинальной ёмкостью 0,15 мкФ.

Трансформатор, коммутирующий дроссель и источник питания, рассчитываем по известным методикам.

При применении в схеме инвертора цепей сброса избыточной энергии от конденсатора расчёт производится аналогично.

Однако при этом необходимо учитывать следующее: U(0) = ; или ; Rc = (3…5) Zс мощность, теряемая в резисторе при отводе избыточной энергии от конденсатора, определяется из соотношения

,

Где – частота следования коммутационных процессов.

В таблице 4.1 приведены выражения β = f(X) и значения коэффициентов для этих схем. Для расчёта коммутирующих элементов исходными данными служат напряжение источника питания (или диапазон его изменения), а также ток , протекающий через тиристор и нагрузку к моменту начала коммутации. Расчёт элементов LC начинают с определения или выбора начального напряжения на конденсаторе перед коммутацией U(0). Величину U(0) выбирают с учётом обеспечения возможно меньших напряжений на остальных элементах схемы инвертора, а в частности, на рабочих и коммутирующих тиристорах, так как напряжения на этих элементах зависят от U(0).

Для поддержания выбранного напряжения U(0) используются дополнительные цепи заряда конденсатора или цепи отвода от коммутирующего узла избыточной энергии. По выбранной величине U(0) рассчитывают коэффициент ε = (U(0) + Eк) / U(0), используемого коммутационного узла.

Элементы коммутационного узла рассчитывают на предельный (критический) режим работы, характеризующийся наименьшим значением угла β. Этому режиму обычно соответствует наибольший ток и наименьшее напряжение источника питания . Параметры критического режима учитывают коэффициентом Хкр, который выбирают исходя из амплитуды тока , для этого режима (Х = Zc/.

Для узлов параллельной коммутации

;

.

Для узлов последовательной коммутации

;

.

Выбор больших значений , для узлов принудительной коммутации нецелесообразен из-за рода потерь мощности в коммутирующем тиристоре, конденсаторе, активных сопротивлениях коммутирующего дросселя и соединительных проводах. Поэтому отношение для критического режима принимают равным 1,1…3. При этом следует отметить, что с ростом отношения уменьшается время перезаряда конденсатора в коммутационном узле.

В инверторах с невысокой частотой следования выходных импульсов (f = 50…100 Гц) длительность интервала коммутации занимает незначительную часть периода следования выходных импульсов. Поэтому в таких инверторах целесообразно применить = 1,1…1,3.

При повышенной частоте следования выходных импульсов (f > 100 Гц) становится актуальной задачей сокращения времени перезаряда конденсатора в коммутирующем узле. В этом случае можно принять = 2…3. По выбранному для критического режима значению рассчитывают коэффициент Хкр, а затем и характеристическое сопротивление контура коммутации:

Далее по значению и выражению для угла запирания β (табл. 4.1) соответствующего коммутационного узла находят угол критического режима, а по известному времени используемых тиристоров с учётом необходимого запаса – угловую частоту:

, где =1,3…1,5 – коэффициент запаса.

По значениям и определяют параметры коммутирующего узла:

;

Для иллюстрации методики проведём расчёт элементов узлов коммутации со следующими данными: :

1. Определяем коэффициент ε

2. Принимаем

3. Коэффициент нагрузки

4. Волновое сопротивление коммутирующего контура

5. Угол запирания

6. Собственная угловая частота контура коммутации

рад/с

7. Ёмкость коммутирующего конденсатора

8. Индуктивность коммутирующего дросселя

.

Рисунок 1.1 – Принципиальная схема инвертора

2. Расчёт системы управления

2.1 Расчёт задающего генератора. Исходные данные для расчёта: 1) частота следования выходных импульсов f₃₂=6f=6∙50=300 Гц; 2) напряжение источника питания микросхем U_п2=5В. В качестве микросхемы DD1 применена микросхема 133ЛАЗ.

1.С целью унификации элементов используем симметричный мультивибратор, т.е. C1=C2; R1=R2. Определяем сопротивление резисторов R1=R2 из условия

,

где - входное сопротивление закрытой микросхемы; - входной ток закрытой микросхемы; - пороговое величина напряжения, при котором отпирается логический элемент. Типовые значения указанных параметров для ТТЛ-схем характеризуются следующими величинами [2;6]: ; ; . Принимаем ; ; .

В соответствии с рекомендациями по применению микросхем серии К155, приведенными в [8] сопротивление резистора R4 выбираем условия

Принимаем . Ёмкость конденсатора С3 подбираем экспериментально; принимаем С3=0,047 мкФ. Для разряда конденсатора С3 включаем резистор R3 с сопротивлением 10 кОм.

2.2 Расчёт двухтактного выходного усилителя мощности.

Исходные данные для расчета; напряжение питания выходных усилите­лей U_п1=20 В; частота следования выходных импульсов f = 500 Гц; амплитуда входного управляющего импульса, соответствующая уровню логической «1» на выходе элементов ДД1...ДД2, ; максимальный ток коллектора силового транзистора инвертора (определяется при расчете силовой части). Выходные обмотки усили­теля нагружены на эмиттерные переходы силовых транзисторов ти­па КТ908А.

1. Для снижения динамических потерь, обусловленных инерцион­ностью выключения силовых транзисторов инвертора. Определяем требуемую амплитуду управляющего тока, необходимую для насыщения силового транзистора инвертора:

,

где - минимальный статический коэффициент передачи тока базы транзистора КТ908А; b - коэффициент насыщения транзистора, значение которого выбирается равным b= 1,3...2. Принимаем b= 1,5.

2.Определяем среднее значение тока через диод VD1:

.

В качестве диода VD, создающего задержку отпирающего импульса тока, используем низкочастотный кремниевый диод КД202Б с парамет­рами: допустимый средний ток I_aдоп = 1 А; допустимое обратное напряжение

U_обрдоп = 50 В .

3.Определяем амплитуду управляющего напряжения U_y на выходных обмотках усилителя.

Задаёмся величиной падения напряжения на токоограничительном резисторе R1 из условия , где – падение напряжения на эмиттерном переходе открытого силового транзистора.

По входной характеристике транзистора KT908A, снятой при, для тока базы находим . Принимаем

.

По статической вольт-амперной характеристике диода КД202Б при токе определяем прямое падение напряжения на дио­де VD1

U_VD1=0,82 B. Амплитуда управляющего напряжения на выходных обмотках усилителя .

Амплитуде U_y не должна превышать максимально допустимого обрат­ного напряжения между эмиттером и базой для выбранного типа тран­зистора.

Для транзистора КТ908А ; для уменьшения времени

рассасывания избыточных носителей на базе силовых транзисторов в качестве диода VD2 используем высокочастотный диод типа КД212А с параметрами: допустимый выпрямленный ток ; допусти­мое обратное напряжение ; импульсный ток (при длительности импульса до 10 мс); допустимая рабочая частота 100кГц.

4.Сопротивление токоограничивающего резистора в цепи базы транзистора инвертора

Принимаем R₁=4,4 Ом

Мощность, наделяемая в резисторе R₁

Выбираем безындуктивный резистор типа CF-25(C1-4)-0,25 Вт-4,3 Ом.

5.Определяем максимальный ток коллектора открытого транзис­тора усилителя в режиме насыщения:

где - КПД усилителя) - паде­ние напряжения на открытом транзисторе в режиме насыщения; прини­маем ;

- прямое падение напряжения на открытом диоде. Принимаем

.

6.Максимальное напряжение между эмиттером и коллектором ваяритого трагадатора VT1:

По полученным значениям , выбираем транзистор типа КТ630Г с параметрами; допустимый тек коллектора ; статический коэффициент передачи тока базы В_ст=40…120; граничная частота усиления в схеме в общим эмиттером f_B =50 мГц; максимально допустимая мощность рассеяния Р_к.доп = 0,8 Вт; U_кэ.доп = 100 В.

7. Прямой ток через диод VD4:

Выбираем диод КД 212А

8.Определяем ток базы, необходимый для насыщения транзистора усилителя:

Где b₁ = 2 – коэффициент насыщения.

9.По входной характеристике транзистора КГ630Г для тока определяем напряжение между эмиттером и базой насыщенного транзистора .

Сопротивление нагрузки логического элемента ДД1.1

Принимаем R₂ = 1750 Ом.

.

10.Определяем выходной ток микросхемы ДД1.1 при логическом нуле на её выходе:

где - напряжение питания логических элементов; - напряжение выходного сигнала «0» микросхемы 1331А8; - допустимый выходной ток микросхемы. Если неравенство не выполняется, то для согласования выводов логических элементов с входом усилителя необходимо применить еще один каскад промежуточного усиления. С целью сохранения требуемых фазовых соотношений в качестве такого каскада целесообразно использовать эмиттерный повторитель в дискретном иди интегральном исполнении (например, микросхему 149 КТ1Б).

11.Потери мощности на транзисторе в режиме переключения

,

Где постоянная времени транзистора; -

коэффициент, зависящий от схемы усилителя и коэффициента насыщения транзисторов b₁

Для двухтактного усилителя с нулевой точкой значения в зависимости от величины b₁ определяются из табл. 5.1. При b₁ = 2 . Так как граничная частота усиления транзисто­рf , мощностью потерь на переключение можно пренебречь.

Таблица 2.1– Зависимость

b1	1	1,5	2	2,5	3	3,5	4
	0,685	0,71	0,754	0,82	0,89	0,98	1,13

12.Суммарные потери в транзисторе (мощностью потерь в режиме отсечки пренебрегаем) .

Убеждаемся, что

.

Выбираем конденсатор с ёмкостью 0,1 мкФ.

13.Максимальное обратное напряжение и максимальный ток обратных диодов VD3, VD6:

Выбираем диоды Д223А с параметрами: ; .

16. Выходной трансформатор TV1 рассчитываем по методике, приведённой в [1]. В качестве материала сердечника трансформатора выбираем сталь Э350 толщиной 0,08 мм.

Габаритная мощность трансформатора

В соответствии с рекомендациями [1] для , частоты 500 Гц и выбранной марки стали принимаем максимальное значение индукции в сердечнике B_т = 1,2 Тл; плотность тока в обмот­ках δ = 6 А/мм²; КПД трансформатора ; коэффициент за­полнения окна медью k_м = 0,1; коэффициент заполнения сердечника k_c = 0,86.

18. Определяем произведение площади сечения магнитопровода

Из справочника выбираем торроидальный магнитопроиод ОЛ/26-12,5, для которого ;

19.Число витков первичной обмотки трансформатора

20.Число витков управляющей обмотки

21. Действующее значение тока в первичной и вторичной обмотках:

22. Диаметр провода первичной и вторичной обмоток:

.

Выбираем провод ПЭЛШО диаметром 0,18 мм и 0,38 мм.

Система управления трёхфазным автономным инвертором напряжения с пофазной коммутацией.

Функциональная схема системы управления (рис. 2) включает задающий генератор ЗГ, логическое устройство ЛУ, состоящее из делителя Д, распределителя импульсов Р и дешифратора ДШ, и выходные формирователи ВФ.

Последовательность импульсов, формируемых ЗГ, делителем и распределителей импульсов распределяются по 13 каналам. ДШ преоб­разует сигналы делителя и распределяются в импульсы управления выходными формирователями, которые формируют импульсы необходимой мощности для управления рабочими и коммутирующими тиристорами инвертора.

ЗГ и ВФ могут быть выполнены по схемам, Рассмотрим принцип построения логического устройства системы управления. В инверторе с пофазной коммутацией рабочие тиристоры отпираются длинными импульсами (при индуктивной нагрузке). ЛУ должно сформировать импульсы необходимой длительности и распределить их по шести каналам (по количеству работах тирис­торов), сдвинутых друг относительно друга на 60°.

Рисунок 2.1 – Схема управления

Из принципа работы инвертора с двухступенчатой пофазной коммутацией следует, что для запирания рабочего тиристора необходимо открыть соответствующий коммутирующий тиристор. Причем, при отпирании второго рабочего тиристора той же фазы необходимо повторно открыть тот же коммутирующий тиристор для дозаряда коммутирующего конденсатора.

Таким образом, на коммутирующие тиристоры необходимо подавать спаренные короткие импульсы. Вместо двух короткий импульсов на ком­мутирующие тиристоры можно подавать один импульс, длительность ко­торого должна быть такой, чтобы он в момент включения второго ра­бочего тиристора фазы еще удерживал коммутирующий тиристор в от­крытом состоянии.

Сложность логической части системы управления определяется алгоритмом работы рабочих и коммутирующих тиристоров. Поскольку время, предоставляемое рабочим тиристором для их выключения, должно быть равно не менее 45 мкс (см. расчет силовой части), то временной интервал между началами импульсов, поступающих на коммутирующие тиристоры, должен быть равен или больше 45 мкс. Если этот интервал принять за минимальный период повторе­ния импульсов с выхода 12 делителя на DD1, то частоту их можно определить из выражения

. С целью выделения двух спаренных импульсов в каждом канале управления комму­тирующими тиристорами эти импульсы делятся на восемь в делителе и на шесть в регистре. Общий коэффициент деления составляет 48. От­сюда частота ЗГ будет:

.

Распределитель импульсов РИ, выполненный на D-триггерах (DD2, DD3), представляет собой счетчик Джонсона. РИ распределяет импульсы по шести каналам. Частота входных импульсов РИ . Импульсы с такой частотой поступают на вход РИ с DD1(11).

Дешифратор ДШ, выделяющий импульсы длительностью 2π/3 для управления рабочими тиристорами и по два спаренных коротких импульса длительностью 26 мкс для управления коммутирующими тиристорами, выполнен на микросхемах (DD4…DD20) и описывается логическими уравнениями:

;

;

;

;

;

;

;

;

;

;

;

;

Здесь y₁…y₆ - длительность импульсов, сформированных для соответствующих рабочих тиристоров; у₇…y₁₂ – импульсы, сформированные для коммутирующих тиристоров.

Схема, изображенная на рис. 2, позволяет реализовать эти уравнения на микросхемах 155-й серии.

DD1 – К155ИЕ5; DD2, DD3 – К155ТМ2; DD4, DD5, DD20 – К155ЛА3; DD6, DD7 – К155ЛН1; DD8…DD19 – К155ЛА2.

3 Элементная база

Диоды: КУ211Д; транзисторы: КТ908А, КТ630Г; тиристоры: КУ712А-1, КУ-218Г; микросхемы: К155ИЕ5, К155ТМ2, К155ЛА3, К155ЛН1, К1555ЛА2; конденсатор 0,15 мкФ × 250В; резистор CF-25(C1-4)-0,25 Вт-4,3 Ом ; магнитопровод ОЛ/26-12,5.

КУ211Д

Рисунок 3.1 – Диод КУ211Д

Таблица 3.1 – Справочные данные КУ211Д

Iпр(ср)max, А	Iпр(и)max, А	Iобр, мА	Uпр, В (при Iпр=1А)	Uобр(и)max, В
20	200	2	≤3	600

КТ908А

Рисунок 3.2 – Транзистор КТ908

Таблица 3.2 – Справочные данные КТ908А

Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iк.max(и), А	Pк.max(т), Вт	h21э	Iкбо, мА	fгр, МГц	Uкэн, В
n-p-n	100	60	10	50	8-60	≤25	≥30	˂2,3

КТ630Г

Рисунок 3.3 – Транзистор КТ630

Таблица 3.3 – Справочные данные КТ630

Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iк.max(и), А	Pк.max(т), Вт	h21э	Iкбо, мА	fгр, МГц	Uкэн, В
n-p-n	100	60	1	0,8	40-120	1	50	0,3

Рисунок 3.4 – ВАХ транзистора КТ630Г

КУ712А-1

Рисунок 3.5 – Внешний вид тиристора КУ712А-1

КУ-218Г

Рисунок 3.6 – Внешний вид тиристора КУ-218Г

К155ИЕ5

Микросхемы представляет собой двоичный счетчик. Каждая ИС состоит из четырех JK-триггеров, образуя счетчик делитель на 2 и 8.

Рисунок 3.7 – УГО и функциональная схема К155ИЕ5

К155ТМ2

Микросхема представляет собой два независимых D-триггера, срабатывающих по положительному фронту тактового сигнала.

Рисунок 3.8 – Микросхема К155ТМ2

К155ЛА3

Микросхема представляет собой четыре логических элемента 2И-НЕ.

Рисунок 3.9 – Микросхема К155ЛА3

К155ЛН1

Микросхема представляет собой шесть логических элементов НЕ.

Рисунок 3.10 – Микросхема К155ЛН1

К155ЛА2

Микросхема представляет собой логический элемент 8И-НЕ.

Рисунок 3.11 – Микросхема К155ЛА2

ЛИТЕРАТУРА

1. Беспольские И.И. и др. Расчёт трансформаторов и дросселей малой мощности. – М.: Энергия, 1973-400с.

2. Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства. – М.: Связь, 1973, - 496 с.

3. Забродин Ю.С. Узлы принудительной конденсаторной коммутации тиристоров. – М.: Энрегия, 1974, - 128 с.

4. Забродин Ю.С. промышленная электротехника: Учебник для вузов. – М: Высш. Шк., 1082. – 496 с.

5. Калашников Б.Е., Кривицкий С.О., Энштейн И.И. Системы управления автономными инверторами. – М.: Энергия, 1974, - 104 с.

6. Проектирование радиоэлектронных устройств на интегральных микросхемах / Под ред. С.Я. Шаца, - М.: Сов. Радио, 1976, - 251 с.

7. Система управления тиристорами преобразователями частоты / Сост. В.А. Бизиков, В.Н. Миронов, С.Г. Обухов, Р.Н. Шамгунов, - М.: Энергоиздат, 1981, - 144 с.

8. Справочник по интегральным микросхемам / Под ред. Б.А. Тарабрина. – М.: Энергия, 1980, - 480 с.

9. Руденко В.С., Сенько В.И., Чиженко И.И. Преобразовательная техника. – 2-е изд. – Киев: Высш. школа,1983. – 431 с.