ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.04.2020

Просмотров: 316

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Покрытие отражателей(рефлекторов) может быть:

а) хромовое – твёрдое, но отражающая способность 60%;

б) серебряное – мягкое, отражающая способность 90%, со временем темнеет;

Противотуманные фары.В тумане лучи ближнего и особенно дальнего света фар отражаются от мельчайших капелек тумана, рассеиваются и создают молочно-белую пелену перед автомобилем, которая практически делает невидимой дорогу и объекты на ней. Противотуманные фары отличаются узким

рассеянием светового пучка в вертикальной плоскости, более чёткой верхней светотеневой границей и широким рассеянием светового пучка в горизонтальной плоскости, что увеличивает видимость дороги и придорожной полосы. Такое светораспределение в горизонтальной плоскости обеспечивается вертикальными цилиндрическими линзами на внутренней поверхности рассеивателя и экраном перед лампой. Противотуманные фары устанавливаются ниже фар головного освещения.

Светотехнические нормы для фар европейского светораспределения регламентированы Правилами № 1 (с обычными лампами), № 20 (с галогенными лампами) ЕЭК ООН и ГОСТ 3544-75. Для проверки головных фар используют специальный контрольный экран, имитирующий перспективу дороги и устанавливаемый на расстоянии 25 от фар. Для контрольных точек и зон экрана установлены минимально и максимально допустимые освещённости. В практике для проверки фар используют специальные компактные приборы (реглоскопы) с установленными в них экранами светочувствительными элементами. Разметка экрана и расположение светочувствительных элементов соответствуют некоторым контрольным точкам Правил ЕЭК ООН.

В соответствии с требованиями ГОСТ Р 51709- 2001 суммарная сила света всех фар, расположенных на одной стороне АТС, в режиме «дальний свет» должна быть не менее 10000 кд, а суммарная сила света всех головных фар не должна быть более 225000 кд.

Предельные значения силы света в режиме «ближний свет» в 2-х точках на оси VV' или в вертикальной плоскости приведены в таблице 1:

Угол a,

в угловых минутах

Направление отсчета от левой светотеневой

границы

Сила света, кд

34

вверх

не более 750

52’

вниз

не менее 1600

Таблица 1 – Предельные значения силы света в режиме "ближний свет"

2 ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Целью дипломного проекта является модернизация системы автоматического регулирования освещением дороги автомобилем иномаркой.

Правилами дорожного движения во всех странах определены границы освещенной зоны при ближнем свете. Если по каким-либо причинам граница освещенной зоны приближается к автомобилю, то видимость дороги ухудшается. Если же граница освещенной зоны отдаляется, то ухудшаются условия видимости для водителей встречных автомобилей. Практика показала, что граница освещенной зоны при ближнем свете может значительно изменяться в зависимости от нагрузки автомобиля.


На рисунке 3 показана зависимость для автомобиля средних размеров с классической компоновкой (двигатель впереди, багажник сзади). Положения границы освещенной зоны, соответствующие различным нагрузкам, получены на экране, расположенном на расстоянии 10 м. Основная регулировка соответствует тому случаю, когда в автомобиле находится только водитель.

Варианты нагрузки: 1 - автомобиль без нагрузки; 2 - 6 - соответственно 1...5 человек; 7 - 5 человек и максимальная загрузка багажника; 8 - водитель и 100 кг багажа; 9 водитель и загрузка багажника до максимальной нагрузки на ось.

Рисунок 3 – Зависимость освещенной зоны от нагрузки автомобиля

Чтобы снизить влияние нагрузки автомобиля на границу освещенности, применяют систему регулирования, поддерживающую почти неизменной границу освещенности.

Внедрение такой системы значительно улучшит эксплуатационные свойства автомобиля и даст ощутимые преимущества с точки зрения повышения уровня активной безопасности и комфорта.

3 ОПИСАНИЕ CИСТЕМЫ

Необходимо разработать систему автоматического регулирования освещения дороги автомобилем.

Функциональная схема разрабатываемого стенда приведена на рисунке 4

Рисунок 4 - Функциональная схема САР освещения дороги

автомобилем

Ее основными элементами являются датчики давления переднего и заднего моста Д1 и Д2, микропроцессор МП, усилитель У, электродвигатель ЭД, рабочий орган РО и потенциометр П.

Микропроцессор – вычисляет разницу между заранее заданным (запрограммированным) значением напряженности магнитного поля и измеренным датчиком и выдает электрический сигнал рассогласования U.

Усилитель – усиливает мощность электрического сигнала с МП для использования его в качестве управляющего сигнала U.

Электродвигатель преобразует входной электрический управляющий сигнал U, в выходную механическую величину перемещения – угол поворота вала электродвигателя дв.

Датчик давления – измеряет давление на мост и преобразует это отклонение в электрический сигнал напряжения.

Рабочий орган – фары, меняют свое положение в зависимости от поступившего сигнала

Потенциометр – определяет действительное положение моста автомобиля

Работает система следующим образом. Датчики давления Д1 и Д2 воспринимают перемещение переднего и заднего мостов относительно кузова. На микропроцессор поступают сигналы U1 и U2 датчиков давления и с потенциометра, который определяет действительное положение моста относительно кузова, анализируя эти сигналы МП вырабатывает управляющий сигнал U. Управляющий сигнал усиливается и поступает на электродвигаетель,с помощью которого поворачивается корпус фары вокруг нижней точки крепления. Система регулирования обеспечивает неизменное положение фар под воздействием колебаний ходовой части и кузова, возникающих из-за неровностей дороги.


Структурная схема САР будет иметь следующий вид:

Wу – передаточная функция усилителя мощности;

Wдв - передаточная функция двигателя;

Wд1 –передаточная функция датчика давления установленного на

переднем мосту автомобиля;

Wд2 –передаточная функция датчика давления установленного на

заднем мосту автомобиля;

Wпт - передаточная функция потенциометра;

WРО - передаточная регулирующего органа

Wмп - передаточная микропроцессора

Рисунок 5 – Структурная схема САР освещения дороги автомобилем

Обозначим :

4 ВЫБОР ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМЫ

4.1 Выбор микропроцессора

Произведя анализ автомобильных процессоров, выбираем процессор фирмы Siemens SAB 80C509A , совместимый с микроконтроллерами Intel 80C51/80C52, в котором имеется дополнительное арифметическое устройство.

Технические характеристики:

- разрядность 8

- тактовая частота 16 МГц

- число каналов 15

- Разрядность АЦП 10

- Минимальное время преобразования аналогового входа в цифру 7 мкс.

- Дополнительное АЛУ

- 29-канальное устройство фиксации и сравнения, а также

- Устройство генерации сигналов переменной длительности (PWM).

Дополнительное АЛУ может выполнять деление 32-разрядных целых чисел за 2,25 мкс, а умножение 16-разрядных чисел — за 1,5 мкс.

4.2 Выбор усилителя

Усиление и преобразование электрических сигналов в системах автоматического управления производится в основном при помощи электронных, магнитных и электромашинных устройств. Электрон­ные методы усиления и преобразования являются наиболее универ­сальными и гибкими.

Использование полупроводниковых приборов (в первую очередь транзисторов и тиристоров), обеспечивающих высокий КПД при низких напряжениях питания и больших токах, имеющих малые габаритные размеры и большой срок службы, позволяет существенно расширить область применимости электронных методов в устройст­вах автоматического управления.

В современной автоматике явно выражена тенденция к расшире­нию области применения электронных методов усиления и преобра­зования при использовании в основном транзисторов и тиристоров в сочетании их с другими бесконтактными элементами, и в первую очередь интегральными микросхемами.

В качестве электронного усилителя выбран усилитель напряжения ЭУ3-П, обеспечивающий необходимую мощность двигателя.

4.3 Выбор рабочего органа

Ксеноновая газоразрядная лампа типа D2S(R) производства фирмы PHILIPS специально разработана как источник света повышенной яркости применительно к автомобильным фарам. В ней световой поток высокой интенсивности получается за счет свечения газа, инициированного дуговым разрядом между двумя электродами. Электроды лампы находятся в колбе, заполненной ксеноном под большим давлением (около 30 атм. в нерабочем состоянии и около 120 атм. в режиме горения) и солями металлов.


Ксеноновая лампа имеет цветовую температуру около 4300 градусов по Кельвину (именно Филипс, Осрам лампы D2S) по сравнению с 2800 град. К.,  у галогеновой лампы. Цветовая температура является единицей яркости источника света. Чем выше цветовая температура, тем ближе спектр источника излучения к солнечному свету. Это объясняет тот факт, что свет ксеноновых газоразрядных ламп имеет голубой оттенок, а обычных галогеновых - желтоватый.

Краткое описание HID-лампы типа D2S (R):

- Высота 75 мм.

- Диаметр стеклянной колбы 8.7 мм.

- Тип цоколя PX32d.

- Цветовая температура излучаемого света  до 7000К

Производители HID-ламп: Philips, Osram, GE, а также ряд азиатских производителей. Такая лампа потребляет всего 35 ватт энергии, что в два раза меньше, чем обычная галогеннная лампа, но ее светоотдача в два раза выше и

соответствует примерно 200 ваттам мощности галогеннной лампы. Таким образом, КПД HID-лампы самый высокий среди ламп, используемых в осветительных приборах автомобилей, что делает такую лампу лучшей в мире по совокупности технических характеристик.

HID(High Intensity Discharge)-технология стала прорывом в истории автомобильной светотехники. HID-лампы стали применяться в автомобильных осветительных приборах с 1992 года. Такие лампы не только обеспечивают лучшее освещение дороги в поле зрения водителя, но также повышают безопасность движения.

Сегодня практически все крупные автопроизводители мира начинают устанавливать HID-лампы, как стандартное оборудование своих автомобилей.

Технические характеристики лампы:

- Потребляемая мощность, Вт 35

- Светоотдача, Лм 3200

- Цветовая температура, К 4500

- Срок службы, час. 2000

- КПД, Лм/Вт 91,4

4.4 Выбор электродвигателя

В результате проведения сравнительного анализа насосов различных типов и конфигураций был выбран электродвигатель типа IG22C. Область применения: средства автоматизации и системы управления, устройства регулирования, автоматические и автоматизированные системы управления, следящие мини-приводы, средства обработки и представления информации, специальные инструменты, медицинская техника.

Технические характеристики электродвигателя:

- Напряжение питания, В 12

- Крутящий момент, кгс*см 6

- Скорость вращения, об/мин 1580

- Мощность, Вт 2

- Передаточное отношение 3050

4.5 Выбор потенциометра

Выбираем потенциометр марки ПТП-5. Его технические характеристики:

- Номинальная мощность рассеяния, Вт 5

- Номинальная величина сопротивления RH,кОм 4

- Доп. отклон. сопротивления,% ±5

- Рабочая температура при номинальной мощности рассеяния, °С 100

- Минимальная наработка, ч 3000

4.6 Выбор датчика положения

Произведя анализ датчиков положения был выбран индуктивный датчик положения ДИ-1, который предназначен для дискретного контроля положения подвижных элементов исполнительных устройств, наличия объекта, регистрации прохождения металлических деталей на конвейере.
Датчик ДИ-1 представлен на рисунке 6.


Рисунок 6 – Датчик положения ДИ-1

     

Применяется в робото-технологических комплексах, автоматизированных транспортно-складских системах, системах автоматики, конвейерах.
         Принцип действия датчика заключается в том, что он реагирует на металлические предметы, находящиеся в зоне его чувствительности, и выполняет функцию замыкающего контакта, т.е. при приближении к датчику металлического предмета он срабатывает и на его выходе происходит скачкообразное изменение напряжение от 0 до напряжения питания. Этот сигнал подается на индуктивную нагрузку (обмотку реле типа РПУ, РП-21) для управления исполнительным устройством. Датчик положения состоит из пассивной части, навесных активных элементов и чувствительного элемента. Пассивная часть датчика представляет собой плату с пленочными резисторами, изготовленную по тонкопленочной технологии с использованием методов вакуумного напыления и прецизионной фотолитографии.
         В качестве навесных активных элементов используются безкорпусные транзисторы, микросхемы, конденсаторы. Конструктивно датчик оформлен в плоский пластмассовый корпус.

Технические характеристики:

- Расстояние срабатывания, мм 8 ± 1,5

- Напряжение питания, В 12

- Выходной ток, мА 100

- Гистерезис в % 5

- Диапазон рабочих температур, oС -30…+50

- Габаритные размеры, мм 43 х 40 х 9

- Масса, г. не более 15