Конденсатор:

C1, С2

К50 – 16 – 16В – 1мкФ  10% ОЖО.464.111 ТУ

2

Микросхема:

DA1, DA2

КР574УД3Б бКО.348.302-10 ТУ

2

Резисторы:

МЛТ ГОСТ 7113-77

СП5 – 2ВБ ОЖО.468.353 ТУ

R1

МЛТ– 0.125 – 1МОм  10%

1

R2

МЛТ – 0.125 – 10кОм  10%

1

R3

МЛТ – 0.125 – 90кОм  10%

1

R4

МЛТ– 0.125 – 4,7кОм  10%

1

R5,

СП5 – 2ВБ – 47кОм  10%

1

SB1

Кнопка П2К-Н-1-4

АГО.360.205ТУ11-85

1

VD1,VD2

Диод КД522Б ДРЗ.362.029 ТУ

2

XS1

Розетка ОМц-ВН-5-5-Р24 бРО.134.035 ТУ

УИТС.425115.008 ПЭЗ

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Семенов E.A

Устройство

усиления заряда

Перечень элементов

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Фомина

1

1

Г. контр.

БИТТУ, УИТ-51

Нач. отд.

И. контр.

УИТС.425115.008 ПЭЗ

Лист

2

Лист

N докум.

Подп.

Дата