Файл: Основи схемотехніки КП.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.12.2021

Просмотров: 410

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

ЗМІСТ

ВСТУП

1. РОЗРАХУНОК СТРУКТУРНОЇ СХЕМИ АЕП

1.1. Визначення опору навантаження

1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення

1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується

транзистором ККП

Для однотактного трансформаторного каскаду

Таблиця 1

1.4. Вибір типу транзисторів ККП

1.5. Визначення загального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності Кр

1.6. Визначення кількості каскадів підсилення

1.7. Розрахунок відношення сигнал / шум

1.8. Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадах

1.9. Розробка структури пристрою на ІМС

2. ОСОБЛИВОСТІ РОЗРАХУНКУ СТРУКТУРНОЇ СХЕМИ В1ДЕОПІДСИЛЮВАЧІВ

2.1. Вибір навантаження, визначення вихідної напруги або потужності

2.2. Вибір типу транзисторів ККП

2.3. Визначення загального коефіцієнта підсилення

потужності або напруги

2.4. Визначення кількості і типу транзисторів каскадів

попереднього підсилення

3. ОСОБЛИВОСТІ РОЗРАХУНОК СТРУКТУРНОЇ

СХЕМИ ІМПУЛЬСНОГО ПІДСИЛЮВАЧА

3.1. Вибір типу ККП та його активного елемента

3.2. Визначення загального коефіцієнта підсилення

і кількості каскадів імпульсного підсилювача

3.3. Вибір типу транзисторів каскадів

попереднього підсилення

3.4 Розподіл тривалості фонду імпульсу і відносного спаду верщин імпульсу по каскадах

3.5. Перевірка правильності вибору транзисторів

ВИСНОВКИ

Література

Опір звукових котушок гучномовців повинен бути таким, щоб при вибраному з'єднані (послідовне, паралельне та змішане) забезпечувався необхідний розподіл потужності сигналу між ними. ВЧ гучномовці вмикаються через розділовий конденсатор, а НЧ гучно­мовці - через дросель, рис. 3.




1.1.3. В підсилювачах запису магнітофона, при виборі опору на-вантаження, необхідно:

- підібрати тип головки з даними: опором Rr, індуктивністю L ;

та струмом запису І3;

- для стабілізації струму запису послідовно з головкою під'єдна­
ти опір
R, значення якого повинно відповідати умові


R4FBL,


де FB - верхня частота діапазону,

- визначити загальний опір навантаження каскаду


RН = Rr+ R;


- визначити необхідну амплітуду напруги запису


U3 = I3RH.


При виборі іншого типу навантаження, зумовленого експлуатаційнним призначенням підсилювача, можна використовувати дані [1], [2].


1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення


Вибір схеми ККП зумовлено кількома факторами, основними з яких є:

- вихідна потужність;

- значення частотних, нелінійних спотворень;

- особливості експлуатації (стаціонарний, переносний).

Вихідна потужність пристрою не визначає однозначно тип схеми ККП. Однак, для одержання коливальної потужності на виході біль­ше ЗО...50 мВт, слід використовувати двотактну схему ККП.

Важливе значення також має схема ввімкнення транзистора (транзисторів) ККП. В схемі з спільним емітером забезпечується найбільший коефіцієнт підсилення по потужності, але нелінійні спотворення (Кн) мають значення 4...6 %.

В схемі з спільною базою, внаслідок дії від'ємного зворотного зв'язку, лінійність вихідних характеристик краща, тому коефіцієнт нелінійних спотворень Кн зменшується і приймається від 2 до 4 %, але коефіцієнт підсиленя по потужності такого каскаду зменшується.

В схемі з спільним колектором коефіцієнт нелінійних спотво­рень малий (1.3 %), але коефіцієнт підсилення по потужності мен­ший, ніж в схемі з спільним емітером .

Тому, покладаючись на задані в технічному завданні нелінійні спотворення (Кн), необхідно вибрати потрібну схему ввімкнення транзистора (транзисторів) ККП з таким розрахунком, щоб


Кн. сх Кн. тз.

При значних вимогах до коефіцієнта нелінійних спотворень необхідно використовувати від'ємний зворотний зв'язок, коли



де А= (1+.К) - коефіцієнт зворотного зв'язку, який вибирається в межах А = 1,5..5.

Частотні спотворення Мн та Мв визначаються схемою каскаду та типом транзистора.

В області високих частот до частотних спотворень, зумовлених елементами схеми, додаються частотні спотворення, що вносяться транзистором (порядка 0,2...З дБ) Тому при заданих частотних спот­вореннях М 2 дБ обов'язково застосовується від'ємний зворотний

зв'язок. Тоді


При великих значеннях коливальних потужностей слід викорис­товувати схеми безтрансформаторних підсилювачів потужності з додатковою симетрією плеч, в яких транзистори кінцевого каскаду однакового типу і провідності. Транзистори в безтрансформаторних каскадах ввімкнені з спільним колектором, що розширює їх частот­ний диапазон.


Вибір інших схем ККП можна здійснити на підставі [2], [3], [11].


1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується

транзистором ККП


В безтрансформаторних двотактних ККП коливальна потужність
транзистора одного плеча дорівнює



д е Рвих - вихідна потужність пристрою.

В підсилювачах запису магнітофона коливальна потужність транзистора дорівнює



Для однотактного трансформаторного каскаду

для одного плеча двотактного трансформаторного каскаду, відповідно



де тр - коефіцієнт корисної дії трансформатора.

Значення ККД трансформаторів наведені в табл. 1.

Таблиця 1

Потужність трансформатора,

Вт

ККД трансформатора

До 1

1-10

10-100

0,7...0,8

0,75...0,85

0,84...0,93



1.4. Вибір типу транзисторів ККП

1.4.1. Вибір транзистора (транзисторів) ККП здійснюється на основі попереднього визначення потужності витрат Рк, максимальної напруги на переході колектор-емітер, та максимального колекторно­го струму, окрім цього необхідно врахувати і частотні можливості транзистора.

Для двотактного безтрансформаторного ККП, вибираючи тран­
зистор, необхідно забезпечити виконання умови
:

Де - коефіцієнт корисної дії ККП;

РК max Доп - максимально допустима потужність втрат обраного транзистора.

Орієнтовані значення коефіцієнта корисної дії ККП залежать від
класу режиму його роботи:

- для режиму класу А - 20...25 % ;

- для режиму класу АВ - 40. .50 % ;

- для режиму класу В - 50...60 % ;

Для забезпечення необхідної вихідної потужності, живлення
двотактного безтрансформаторного каскаду повинно здійснюватися
напругою Е
к



В свою чергу



Де Uзал - залишкова напруга, яка визначається сімейством вихідних характеристик транзистора ККП (див. рис.4 );

Uке.доп - максимальна допустима напруга між відповідними елек­тродами транзистора.

При невиконанні вказаної умови, транзистор необхідно замінити на інший з більш високою напругою Uке.доп

Максимальне значення колекторного струму буде дорівнювати сумі струмів



де

- амплітуда імпульсу колекторного струму;

Iк.о = (0,05-0,15) Iк.mструм в робочій точці;

IК. max. ДОП – максимально допустимий струм колектора.

Для однотактного ККП, підсилювача запису магнітофона, що працює в режимі класу А, необхідні значення струму робочої точки Ік.о і напруги UКЕ.0 вибираються з співвідношень:


ІК.0 = (2-3)І3;

UКЕ.0 = (0,3-0,4) Uкe.доп.;


Для обраного транзистора повинні виконуватися умови:


ІК.0 + І3 ІК.max. ДОП ;


U КЕ.0 (1,5-2,0) U3;


ІК.0 x UKE.0 (0,5-0,6) РK.max.ДОП.


Амплітуда струму вхідного кола ККП, що дозволяє визначити положення робочої точки транзистора на його вхідній характеристиці, а

також забезпечує вибір транзисторів каскадів попереднього
підсилення за струмом, відповідно дорівнює:

-для схеми з спільним емітером



-для схеми з спільною базою



-для схеми з спільним колектором



Передкінцевий каскад повинен мати максимальне значення колекторного струму, що в 2...З рази більше за максимальний базо­вий струм кінцевого каскаду.


1.4.2. Частотні властивості біполярного транзистора, в різних схемах ввімкнення, прийнято характеризувати граничними частота­ми, значення яких не повинні перевищувати верхню граничну часто­ту пристрою:

для схеми з спільним емітером FB fh21E

для схеми з спільною базою FB fh21Б

для схеми з спільним коллектором FB fY21E(1+S0RГМ)

де fh21E та fh21Б - граничні частоти передачі струму відповідно в схемах з спільним емітером та спільною базою;

fy21E - гранична частота транзистора за крутістю в схемі з спіль­ним емітером;

S0 - крутість транзистора в робочій точці.

Значення fh21E та fh21Б для більшості транзисторів наведено в
довідниковій літературі [5], [9].

Величини fY21E та S0 можуть бути розраховані



де гБ - об'ємний опір бази.

Наведені в довідниках значення граничних частот, наприклад, fгр-гранична частота передачі струму в схемі з спільним емітером, на якій модуль коефіцієнта передачі струму дорівнює 1 (визначається добутком, інколи наведеної в довіднику частоти на величину модуля h21е на цій частоті), або fr max - максимальна частота генерації тран­зистора, може бути перерахована у необхідні значення за виразами


та


де m = 1,6 - для дрейфових дифузійних транзисторів

Ск - ємність колекторного переходу транзистора

= к - стала часу, також є довідниковою величиною,

Інші корисні вирази для розрахунку частот, можуть бути отри­мані з [1].

Оскільки відомо,що f h21Б = f h21E (h21E min +1) легко знайти будь-яке значення граничної частоти біполярного транзистора для будь-якої схеми ввімкнення транзисторів.

Значення крутості біполярного транзистора в робочій точці 80 можна визначити з його вихідних Ік = f(UКЕ) (рис.4,б) та вхідних характеристик ІБ = f(UБЕ) (рис.4,а), оскільки S0=Ік / UБЕ

За вихідними характеристиками, при номінальному значенні напруги на колекторі, визначають величину Ік та ІБ = ІБ2 - ІБ1 а тоді за вхідними характеристиками UБЕ = UБЕ2 -UБЕ1




Рис.4


Для вибору конкретних транзисторів можна використовувати
дані [2], [5], [9] та ін. Дозволяється використовувати транзистори як
вітчизняного, так і закордонного виробництва. на


1.5. Визначення загального коефіцієнта підсилення
пристрою по потужності Кр

Для визначення величини Кр використовується вираз



де Рвих - коливальна потужність, яку забезпечує пристрій;


Рдж - потужність джерела сигналу ;


Uвх - амплітуда вихідної напруги джерела сигналу;

Rвих -номінальний вихідний опір джерела сигналу;

а1, а2, а3 - коефіцієнти.

Дані параметрів джерел сигналу можуть бути отримані з [1], [2].

При роботі від декількох джерел сигналу розрахунок коефіцієнта підсилення Кр слід вести по найменшому за потужністю джерелу.

При наявності в підсилювачі від'ємного зворотного зв'язку, регу­лятора форми АЧХ та інших факторів, котрі зменшують коефіцієнт підсилення, у виразі (1.2) використовують коефіцієнти а1, а2, а3.

При введені від'ємного зворотного зв'язку з глибиною А = 1+К і при умові, що коло зворотного зв'язку не охоплює весь пристрій, коефіцієнт а1= А2.


Коефіцієнт а2 враховує вплив регуляторів форми АЧХ (тембра):

-якщо регулятор тембра забезпечує лише "завал", то згасання
сигналу N
рт не враховується (оскільки розрахунок структурної схеми
ведеться на середніх частотах);

якщо регулятор тембра забезпечує як "завал", так і "підйом"
частотної характеристики, то згасання сигналу можна розраховувати
користуючись виразом

Nр.т(дБ) =N+(дБ)+(2...3)(дБ)


де N+(дб) - необхідний "підйом" частотної характеристики у відповід­ності з технічним завданням.

Наявність згасання NР.Т потребує додаткового підсилення по потужності, тому загальний коефіцієнт підсилення повинен бути збільшений в NР.Т раз. При умові забезпечення "підйому" та "завалу" АЧХ регулятором тембра, величина а2 = NР.Т

В підсилювачах відтворення магнітофона, окрім усіх переліче­них факторів, що впливають на коефіцієнт підсилення, слід враху­вати запас підсилення (аз ≈ 20 дБ), необхідний для виконання коре­кції його частотної характеристики у відповідності з вимогами (див. рис. 5)

Корекція частотної характеристики повинна проводитись і в підсилювачах запису магнітофона.


1.6. Визначення кількості каскадів підсилення


Кількість каскадів підсилення визначається виходячи з загально­го коефіцієнта підсилення по потужності КРзаг(дБ)


Крзаг(дБ) = Кр1 (дБ) + Кр2 (дБ) +...+ Крn (дБ) + Кр ККП(дБ) (1.3)


де Кр1, Кр2, Крn, Кр ККП - коефіцієнти підсилення по потужності від­повідно 1-, 2-, n-го каскадів попереднього підсилення та ККП.

Для резистивного каскаду підсилення:

- з спільним емітером


(1.4)


  • з спільним колектором


(1,5)


  • з спільною базою


(1.6)


де - мінімальний коефіцієнт передачі струму обраного тран­зистора з спільним емітером.

При застосуванні уніполярних транзисторів коефіцієнт підсилен­ня по потужності може бути розрахований за виразом ,


(1,7)

Для уніполярного транзистора з спільним витоком величина КU

може бути розрахована за виразом


де - опір навантаження змінному струму, вибирається в залежнос­ті від вхідного опору наступного каскаду, при низькоомному вході настуаного каскаду (наприклад, схема з спільним емітером) не більше 200...500 Ом, при високоомному вході (наприклад, схема емітерного повторювача або інший каскад на уніполярному транзис­торі)- 2...5кОм;

S - середнє значення крутості уніполярного транзистора;

Rвх - вхідний опір каскада на уніполярному транзисторі, вибира­ється в межах 200. .500 кОм ;

Rвих - вихідний опір, приблизно .

Для каскаду на уніполярному транзисторі з спільним стоком (ви-токовий повторювач) Кu ≈ (0,6...0,8); Rвх ≈ 1...1,5 МОм; RВих ≈ 1/S

Визначений за виразом (1.3) загальний коефіцієнт підсилення по потужності не повинен перевищувати розрахункове значення Кр, за виразом (1.2), на 15. .20% .

Коефіцієнт підсилення потужності трансформаторного ККП виз­начається типом біполярного транзистора, схемою його ввімкнення, напругою живлення:


- з спільним емітером


- з спільною базою



- з спільним колектором



де UКЕі UКБ - сталі напруги відповідно на переходах колектор-емітер або колектор-база, В;

Uвх.m. ккп - амплітуда напруги вхідного сигналу ККП для визна­ченого значення амплітуди вхідного струму сигналу, (визначається по вхідній характеристиці транзистора).

Коефіцієнт підсилення по потужності фазоінверсного каскаду з розділеним навантаженням:


(1.8)


Якщо в ККП застосовані транзистори великої або середньої потужності, стає економічно та конструктивно недоцільним застосу­вання аналогічних транзисторів для каскадів попереднього підсилен­ня. Можливість застосування малопотужних транзисторів в передкінцевому однотактному каскаді необхідно перевірити за величиною його максимальної потужності втрат на колекторі:



Необхідно також здійснити перевірку обраних транзисторів за напругою, струмом та частотними властивостями, згідно з п. 1.4.

Особливу увагу необхідно звернути на вибір схеми першого кас­каду пристрою. При наявності високоомного джерела сигналу (Rдж ≥ 8..10 кОм), а також у випадках коли необхідно виключити вплив пристрою на джерело сигналу, в якості першого каскаду слід засто­совувати емітерний повторювач. Оскільки вхідний опір емітерного повторювача залежить від його навантаження за змінним струмом (Rвх. е.пh21ERH~), то при застосуванні наступного каскаду, з низьким опором, і при наявності високоомного джерела сигналу, з Rджер ≥ ЗО...50 кОм, бажано використовувати емітерний повторювач на складених транзисторах або каскад на уніполярному транзисторі, що виконаний за схемою з спільним витоком (при Rдж 1 МОм) або з спільним стоком (при Rдж > 1 МОм).


1.7. Розрахунок відношення сигнал / шум


При проектуванні багатокаскадних пристроїв розраховують на­пругу шуму лише першого каскаду. Рівень шуму першого каскаду визначає і мінімальний рівень вхідного сигналу при заданому відно­шенні сигнал / шум на вході. Як правило, для каскаду на біполяр­ному транзисторі, розраховується мінімальна напруга на вході при заданому відношенні сигнал/шум = Uсиг / Uшум, яке визначає чутливість пристрою.

Мінімальна вхідна напруга в режимі узгодження каскаду з дже­релом сигналу дорівнює:



де Rвх - еквівалентний опір вхідного кола пристрою (визначається як паралельне з'єднання опору джерела сигналу і вхідного опору вхід­ного каскаду), кОм;

F - смуга робочих частот пристрою, кГц;

Fш - відносний коефіцієнт шума біполярного транзистора першого каскаду (довідникова величина).

Для нормальної роботи пристрою необхідно, щоб напруга дже­
рела сигналу
Uвх була більше визначеної Uвх.min (Uвх > Uвх.min), в
іншому випадку необхідно обрати транзистор з меншим коефіцієн­
том шуму.

Для вхідного каскаду на уніполярному транзисторі напруга шуму
визначається двома основними складовими: