- монохроматическая чувствительность S_ф (), которая определяется отношением фототока I_Ф к полной мощности излучения Р_ИЗЛ, с длиной волны , падающей на чувствительную площадку фоторезистора, т. е.

S_ф() = I_ф/P_изл(), А/Вт (9)

- токовая и вольтовая чувствительность,

- темновое сопротивление Rтм – это сопротивление фоторезистора при нулевом световом потоке.

- пороговый поток (пороговая мощность) или обнаружительная способность. На Рис.11 представлены зависимости обнаружительной способности от длины волны. Отметим, что для приема излучения в инфракрасном диапазоне с  > 2 мкм фоторезисторы охлаждаются до температуры 77 К и 4,2 К. При таких температурах уменьшаются тепловые эффекты, вызывающие термическую ионизацию и опустошение энергетических уровней, увеличиваются усиление и эффективность приема излучения.

- допустимая рассеиваемая мощность P_макс,

- рабочее напряжение Uр

- предельно допустимое напряжение U_макс,

- рабочая длина волны или диапазон рабочих волн.

-

Рис.12

ВАХ фоторезистора показана на Рис.12. Она имеет линейный вид, параметром служит световой поток Ф (лм).

- Частотная характеристика. Ее вид подобен аналогичной характеристике фототранзистора (см. Рис.4).

Некоторые из перечисленных параметров аналогичны по физическому смыслу параметрам фотодиодов и фототранзисторов.

Фоторезисторы широко используются для детектирования в инфракрасной области спектра при длинах волн больше нескольких микрометров. Для приема слабых сигналов на более коротких волнах в качестве высокочастотных оптических демодуляторов фоторезисторы используются ограниченно. В этих случаях целесообразно применение фотодиодов.

---

Смотрите также файлы

• LEX4.doc

• LEX5.doc

• LEX6.doc

• LEX7.doc

• LEX8.doc