ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.10.2023
Просмотров: 168
Скачиваний: 10
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНОБРНАУКИ РОССИИфедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования«Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
им. В.И. Ульянова (Ленина)»(СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)ФАКУЛЬТЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ (ФЭЛ)КАФЕДРА Электронного приборостроенияКУРСОВОЙ ПРОЕКТПо дисциплине: ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТОЙ БАЗЫ На тему: Проектирование микроволнового диодного смесителя
(указывается обобщенная тема)Вариант №
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 2023г.ЗАДАНИЕ
на курсовой проектПо дисциплине: ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТОЙ БАЗЫ Вариант № 9.
Рисунок 1 Элемент подложкиРисунок 2 Схема микрополоскового ответвителяРисунок 2 Частотные зависимости S-параметров ответвителяДалее по полученной схеме проектируется топология, которую нужно вставить в симулятор электро-магнитной структуры.Рисунок 3 Топология ответвителяРисунок 4 Зависимости S-параметров для ЭМ структурыДалее сделаем эквивалентную схему диода учитывая паразитные емкости и индуктивности корпуса.Рисунок 5 Эквивалентная схема диода
Рисунок 11 Спектр мощности с фильтромРисунок 11 Спектр мощности без фильтра
им. В.И. Ульянова (Ленина)»(СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)ФАКУЛЬТЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ (ФЭЛ)КАФЕДРА Электронного приборостроенияКУРСОВОЙ ПРОЕКТПо дисциплине: ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТОЙ БАЗЫ На тему: Проектирование микроволнового диодного смесителя
(указывается обобщенная тема)Вариант №
| Выполнил | | | Оценка | |
| студент гр. № | 9002 | | Проверил | Синёв А.Е. |
| | Остащенко В.А. | | | (Ф И О) |
| | (Ф И О) | | Дата | |
на курсовой проектПо дисциплине: ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТОЙ БАЗЫ Вариант № 9.
-
Частота сигнала, fC 2,96 ГГц -
Промежуточная частота, fП 80 МГц -
Частота гетеродина, fГ 2,88 ГГц
-
Направленный ответвитель:
переходное ослабление -5 дБ
направленность > -30 дБ
-
Мощность гетеродина до 20 дБм -
Мощность входного сигнала до 10 дБм -
Корпус SOT23 -
Материал диода Si -
Диэлектрическая проницаемость, εr 9.2 -
Диэлектрическая проницаемость норм., εr norm 9,2 -
Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδ ∙
Рисунок 1 Элемент подложкиРисунок 2 Схема микрополоскового ответвителяРисунок 2 Частотные зависимости S-параметров ответвителяДалее по полученной схеме проектируется топология, которую нужно вставить в симулятор электро-магнитной структуры.Рисунок 3 Топология ответвителяРисунок 4 Зависимости S-параметров для ЭМ структурыДалее сделаем эквивалентную схему диода учитывая паразитные емкости и индуктивности корпуса.Рисунок 5 Эквивалентная схема диода
-
Проектирование фильтра нижних частот
-
Проектирование схемы смесителя
Рисунок 11 Спектр мощности с фильтромРисунок 11 Спектр мощности без фильтра