Файл: Исследование диапазонного селективного усилителя радиочастоты.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.10.2023
Просмотров: 34
Скачиваний: 2
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и систем связи (РСС)
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОННОГО СЕЛЕКТИВНОГО УСИЛИТЕЛЯ РАДИОЧАСТОТЫ
Отчёт по лабораторной работе №2 по дисциплине «Устройства приёма и обработки сигналов»
Вариант №9
Выполнил
Студент гр.
_________ В.А. Мальцев
«21» 06 2023 г.
Проверил
Доцент каф.РСС, к.т.н.
_________ А.А. Трубачев
« » ___________ 2023 г.
Томск 2023
Содержание
-
Введение
Цель работы.
Цели работы по исследованию диапазонного селективного усилителя радиочастоты:
– исследование частотных зависимостей резонансного коэффициента усиления K0 = Y(f0) для режимов слабого и сильного шунтирования колебательного контура УРЧ;
– исследование частотных зависимостей полосы пропускания УРЧ =
= φ(f0) для режимов слабого и сильного шунтирования колебательного контура УРЧ;
– исследование избирательных свойств УРЧ по дополнительным каналам приема.
-
Ход работы
Электрическая принципиальная схема селективного усилителя радиочастоты изображена на рисунке 1.
Рисунок 1 – схема селективного УРЧ.
УРЧ выполнен на биполярном транзисторе Т1 и колебательном контуре, образованном индуктивностью L = L4 + L5 + L6 и емкостью C = Cк.
К усилителю подключена нагрузка через автотрансформаторную связь, образованную индуктивностью контура L, с возможностью менять коэффициент влечения нагрузки в контур. Переключения видов связей осуществляется переключателями S1 и S2.
При включении переключателя S1 – образуется связь в режиме сильного шунтирования используется индуктивности L5 и L6. При включении S2 – слабого, используется индуктивность L5.
Биполярный транзистор включен в контур с коэффициентом m=1.
-
Исходные данные
Сопротивления:
Ra = 200 Ом; R1 = 1 кОм; R2 = 2,7 кОм; R3 = 360 Ом;
R4 = 510 Ом; R = 5 Ом; Rn = 360 Ом;
Емкости:
Ca = 3,3 нФ; C3 = 47 мкФ; С5 = 3,3 нФ; С7 = 3,3 нФ;
Индуктивности:
L = 180 мкГн; L5 = 5 мкГн; L6 = 10 мкГн;
Транзистор:
Y21 = 150 мВ/А; β = 50;
m1 = 1 – коэффициент включения транзистора в контур;
dk = 0.01 – конструктивное затухание;
fПР = 465 кГц – промежуточная частота при использовании УРЧ в приемнике супергетеродинного типа;
Переменные данные для варианта:
C6 = Ck = 48 пФ, 150 пФ, 492 пФ – значение перестраиваемой емкости колебательного контура.
-
Расчетная часть -
Расчет коэффициентов включения нагрузки в контур.
для режима слабого шунтирования;
для режима сильного шунтирования;
Найдем индуктивность L4:
-
Расчет резонансного коэффициента и полосы пропускания
Резонансный коэффициент можно найти из формулы:
Где – – коэффициент включения нагрузки в контур;
эквивалентная проводимость контура:
В общем случае эквивалентная проводимость конутра определяется как сумма проводимостей всех включенных каскадов с учетом коэффициентов их включения:
Где m1 – коэффициент включения усилительного элемента в контур;
m2 – коэффициент включения нагрузки в контур
выходная проводимость усилительного каскада;
резонансная проводимость контура:
Примем выходную проводимость усилителя за 0, как выходную проводимость идеализированного биполярного транзистора, включенную по схеме с общим эмиттером.
Тогда эквивалентная проводимость контура будет выражаться:
Резонансная проводимость контура:
Для определения резонансных коэффициентов, найдем резонансные частоты контура при трех значениях перестраиваемой емкости:
Эквивалентная проводимость контура при двух вариантов включения нагрузки в контур, на трех частотах:
Резонансный коэффициент передачи:
-
Расчет неравномерности резонансного коэффициента и добротности колебательного контура УРЧ.
Добротность колебательного контура зависит от настройки контура:
Полосу пропускания УРЧ на частотах приема можно найти через эквивалентную добротность контура:
Найдем полосы пропускания для всех частот и вариантов включения нагрузки в контур:
-
Расчет избирательности селективного УРЧ по прямому и зеркальному каналам.
Где величина обобщенной расстройки.
Расстройка относительно прямого канала, при использовании УРЧ в приемнике супергетеродинного типа:
Где промежуточная частота гетеродина.
Расстройка относительно зеркального канала:
Частота зеркального канала:
Для коэффициента включения нагрузки m21:
Для коэффициента включения нагрузки m22:
Избирательности:
Для коэффициента включения нагрузки m21:
Для коэффициента включения нагрузки m22:
-
Экспериментальное задание -
Снятие зависимости резонансного коэффициента усиления от частоты.
Рисунок 2 – Зависимость К0(f) при слабом шунтировании.
Рисунок 3 – Зависимость К0(f) при сильном шунтировании.
-
Снятие зависимости полосы пропускания от частоты.
Рисунок 4 – полоса пропускания при слабом шунтировании.
Рисунок 5 – Полоса пропускания при сильном шунтировании.
-
Измерение избирательных свойств УРЧ.
Рисунок 6 – Определение избирательность в режиме слабого шунтирования.
Рисунок 7 – Определение избирательность в режиме сильного шунтирования
Пояснения к рисункам:
На рисунках 4-5 показаны маркерами полосы пропускания по уровню -3 дБ относительно резонансного коэффициента.
На рисунках 6-7 показаны маркерам крайние частоты приема и промежуточная частота, и частота зеркального канала.
-
Сводные таблицы результатов эксперимента и расчетов, построение графиков.
Таблица 1 – результаты расчетов.
Переключатель S1 - разомкнут, S2 - замкнут (слабое шунтирование) | |||
Частота | fmin | fср | fмакс |
Частота сигнала, кГц | 534,81 | 968,59 | 1712,23 |
К0 | 263,56 | 660,34 | 1198,46 |
Пf, кГц | 5,11 | 6,70 | 11,53 |
σпр, дБ | 58,72 | ||
σзк, дБ | 84,95 | ||
ΔК0 | 4,55 | ||
Переключатель S1 - замкнут, S2 - разомкнут (сильное шунтирование) | |||
Частота сигнала, кГц | 534,81 | 968,59 | 1712,23 |
К0 | 379,30 | 532,90 | 606,11 |
Пf, кГц | 10,66 | 24,89 | 68,38 |
σпр, дБ | 45,99 | ||
σзк, дБ | 54,04 | ||
ΔК0 | 1,60 |