Файл: Лабораторная работа 91 Исследование свойств полупроводниковых термочувствительных сопротивлений. Цель работы.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 08.11.2023

Просмотров: 31

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.


Дата:

Группа:

Фамилия:

Лабораторная работа № 91

Исследование свойств полупроводниковых термочувствительных сопротивлений.


Цель работы: Снять ВАХ и температурные характеристики полупроводникового термосопротивления; вычислить энергию активации свободных носителей  и температурный коэффициент термосопротивления  для ряда температур.

Краткое теоретическое обоснование: Полупроводниками являются твердые тела, у которых целиком заполненная валентная зона отделена от зоны проводимости не слишком запрещенной зоной. Поэтому электрическая проводимость полупроводника является возбужденной, т. е. Под воздействием лишь внешнего фактора, который сообщает электронам энергию активации, равную ширине запрещенной зоны.

Термосопротивлениями называются устройства, электрическое сопротивление которых зависит от температуры.

В металлах концентрация электронов проводимости не изменяется с изменением температуры. При нагревании металла возрастет температуры тепловых колебаний атомов решетки. При нагревании сопротивление металлов возрастает по закону:

R=R0(1+t)

Температурный коэффициент сопротивления  положителен и остается почти постоянным при изменении температуры. Для характеристики температурной зависимости проводников выводится температурный коэффициент сопротивления.



Измерив сопротивление термистора при двух различных температурах T1 и T2 и воспользовавшись формулой можно вычислить энергию активации носителей.

Рабочие формулы:




Цена деления:

V=1/10

мкA=2

мA=10-3

Результаты измерений:







T1 K

T2 K

T3 K

I [mA]

U [B]

U [B]

I [mA]

U [B]

I [mA]

0

0

0

0

0

0

0

1

40

3

0

3,3

0

3,3

2

60

4,6

0

5

0

5

3

70

5,4

0

5,6

0

5,7

4

76

5,8

0

6

0

6






T K

R [Ом]

T K

R [Ом]

0

313

3000

331

2300

1

318

2300

329

2600

2

323

2100

326

3000

3

328

1900

324

3500

4

333

1800

314

3500


Повышение температуры

Т1=313 Т2=318

=0,954*109 Дж

Т1=323 Т2=328

=0,36*109 Дж

Т1=328 Т2=333

=0,194*109 Дж

ср=0,194*109 [эВ]

Т1=331 Т2=329

=1,08*109 Дж

Т1=329 Т2=326

=0,858*109 Дж

Т1=326 Т2=324

=0,1,386*109 Дж


ср=1,85*109 [эВ]

Повышение температуры

Понижение температуры

Т1

-4,75*10-26

Т1

-9,3*10-26

Т2

-4,5*10-26

Т2

-9,4*10-26

Т3

-4,4*10-26

Т3

-9,6*10-26

Т4

-4,3*10-26

Т4

-9,7*10-26

Т5

-4,2*10-26

Т5

-9,7*10-26