Добавлен: 23.11.2023
Просмотров: 97
Скачиваний: 4
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНОБРНАУКИ РОССИИСанкт-Петербургский государственныйэлектротехнический университет«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)Кафедра МИТотчетпо лабораторной работе №5Тема:ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРАС УПРАВЛЯЮЩИМ ПЕРЕХОДОМ
Санкт-Петербург2021Цель работы:Целью данной лабораторной работы является исследование полевого транзистора с управляющим переходом, передаточной характеристики, входных характеристик.Основные теоретические положения:Полевой транзистор (ПТ) – это полупроводниковый прибор, усилитель- ные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протека- ющих через проводящий канал, управляемый электрическим полем. Управ- ление потоком основных носителей зарядов в канале осуществляется с по- мощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении. ПТ с управляющим переходом имеет два омических перехода в области полупроводника, по которой проходит управляемый и регулируемый поток основных носителей заряда и один или два управляющих p–n- перехода, смещенных в обратном направлении. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводя- щим каналом. Электрод ПТ, через который в проводящий канал входят носи- тели заряда, называется истоком (И, Sourse, S) и обозначается точкой на эк- вивалентной схеме в среде MicroCap. Электрод ПТ, через который из канала выходят носители заряда, называется стоком (С, Drain, D). Электрод ПТ, на
который подают сигнал – затвор (З, Gate, G)5.1. Исследование передаточной характеристики ПТИсследование проводится для схемы, представленной на рис. 5.1Рисунок 5.1Используется транзистор с затвором на основе p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393. Сопротивление резистора в схеме рис. 5.1 составляет 30 Ом. Напряжение на источнике V1 0 В, на стоке напряжение задается источником V2 и составляет 10 В.На график(Рис 5.2)выведена зависимость IC = f(VЗИ).определено начальное значение тока стока IС нач, соответствующее напряжению VЗИ = 0. Также определено напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока IС становится весьма малым (десятыедоли микроампер). Такое напряжение называют напряжением отсечки VЗИ отсРисунок 5.25.2. Исследование выходных характеристик ПТИсследование выходных характеристик ПТ проводится для схемы, пред- ставленной на рис. 5.1. Напряжение на затворе установлено с помощью источ- ника V1 равным 1 В, напряжение источника V2 установлено +10 В. Семейство выходных характеристик ПТ (рис 5.3) представляет зависимость тока стока от напряжения между стоком и истоком ПТ: IС = f(VСИ).Для фиксированного значения VCИ, соответствующего пологой области выходной характеристики, записаны значения тока стока при различных значениях VЗИРисунок 5.3Рассчитаем сопротивление канала при различных VЗИ:R1= 111,85R2= 171,49R3= 298,39R4= 624,51R5= 2415,46R6= 800000Построим график нагрузочной характеристики как функции сопротив- ления канала от напряжения на затворе ПТ. (Рис 5.4)Рисунок 5.4Вывод:В ходе работы были выполнены исследования характеристик полевого транзистора с затвором на основе
p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393.Были проведены исследования передаточной характеристики ПТ.Также были проведены исследования выходных характеристик ПТ. ПОстроен график нагрузочной характеристики как функции сопротив- ления канала от напряжения на затворе ПТ.
| Студент гр. 9191 | | Добжанский К. |
| Преподаватель | | Буянтуев Б.С |
который подают сигнал – затвор (З, Gate, G)5.1. Исследование передаточной характеристики ПТИсследование проводится для схемы, представленной на рис. 5.1Рисунок 5.1Используется транзистор с затвором на основе p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393. Сопротивление резистора в схеме рис. 5.1 составляет 30 Ом. Напряжение на источнике V1 0 В, на стоке напряжение задается источником V2 и составляет 10 В.На график(Рис 5.2)выведена зависимость IC = f(VЗИ).определено начальное значение тока стока IС нач, соответствующее напряжению VЗИ = 0. Также определено напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока IС становится весьма малым (десятыедоли микроампер). Такое напряжение называют напряжением отсечки VЗИ отсРисунок 5.25.2. Исследование выходных характеристик ПТИсследование выходных характеристик ПТ проводится для схемы, пред- ставленной на рис. 5.1. Напряжение на затворе установлено с помощью источ- ника V1 равным 1 В, напряжение источника V2 установлено +10 В. Семейство выходных характеристик ПТ (рис 5.3) представляет зависимость тока стока от напряжения между стоком и истоком ПТ: IС = f(VСИ).Для фиксированного значения VCИ, соответствующего пологой области выходной характеристики, записаны значения тока стока при различных значениях VЗИРисунок 5.3Рассчитаем сопротивление канала при различных VЗИ:R1= 111,85R2= 171,49R3= 298,39R4= 624,51R5= 2415,46R6= 800000Построим график нагрузочной характеристики как функции сопротив- ления канала от напряжения на затворе ПТ. (Рис 5.4)Рисунок 5.4Вывод:В ходе работы были выполнены исследования характеристик полевого транзистора с затвором на основе
p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393.Были проведены исследования передаточной характеристики ПТ.Также были проведены исследования выходных характеристик ПТ. ПОстроен график нагрузочной характеристики как функции сопротив- ления канала от напряжения на затворе ПТ.