Добавлен: 23.11.2023
Просмотров: 35
Скачиваний: 4
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МИТ
отчет
по лабораторной работе №5
Тема:ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
С УПРАВЛЯЮЩИМ ПЕРЕХОДОМ
| Студент гр. 9191 | | Добжанский К. |
| Преподаватель | | Буянтуев Б.С |
Санкт-Петербург
2021
Цель работы:
Целью данной лабораторной работы является исследование полевого транзистора с управляющим переходом, передаточной характеристики, входных характеристик.
Основные теоретические положения:
Полевой транзистор (ПТ) – это полупроводниковый прибор, усилитель-
ные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протека-
ющих через проводящий канал, управляемый электрическим полем. Управ-
ление потоком основных носителей зарядов в канале осуществляется с по-
мощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном
направлении. ПТ с управляющим переходом имеет два омических перехода в
области полупроводника, по которой проходит управляемый и регулируемый
поток основных носителей заряда и один или два управляющих p–n-
перехода, смещенных в обратном направлении. Область в полупроводнике, в
которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводя-
щим каналом. Электрод ПТ, через который в проводящий канал входят носи-
тели заряда, называется истоком (И, Sourse, S) и обозначается точкой на эк-
вивалентной схеме в среде MicroCap. Электрод ПТ, через который из канала
выходят носители заряда, называется стоком (С, Drain, D). Электрод ПТ, на
который подают сигнал – затвор (З, Gate, G)
5.1. Исследование передаточной характеристики ПТ
Исследование проводится для схемы, представленной на рис. 5.1
Рисунок 5.1
Используется транзистор с затвором на основе p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393. Сопротивление резистора в схеме рис. 5.1 составляет 30 Ом. Напряжение на источнике V1 0 В, на стоке напряжение задается источником V2 и составляет 10 В.
На график(Рис 5.2)выведена зависимость IC = f(VЗИ).
определено начальное значение тока стока IС нач, соответствующее напряжению VЗИ = 0. Также определено напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока IС становится весьма малым (десятыедоли микроампер). Такое напряжение называют напряжением отсечки VЗИ отс
Рисунок 5.2
5.2. Исследование выходных характеристик ПТ
Исследование выходных характеристик ПТ проводится для схемы, пред-
ставленной на рис. 5.1. Напряжение на затворе установлено с помощью источ-
ника V1 равным 1 В, напряжение источника V2 установлено +10 В.
Семейство выходных характеристик ПТ (рис 5.3) представляет зависимость тока стока от напряжения между стоком и истоком ПТ: IС = f(VСИ).
Для фиксированного значения VCИ, соответствующего пологой области выходной характеристики, записаны значения тока стока при различных значениях VЗИ
Рисунок 5.3
Рассчитаем сопротивление канала при различных VЗИ:
R1= 111,85
R2= 171,49
R3= 298,39
R4= 624,51
R5= 2415,46
R6= 800000
Построим график нагрузочной характеристики как функции сопротив-
ления канала от напряжения на затворе ПТ. (Рис 5.4)
Рисунок 5.4
Вывод:
В ходе работы были выполнены исследования характеристик полевого транзистора с затвором на основе
p–n-перехода и каналом n-типа 2N4393.
Были проведены исследования передаточной характеристики ПТ.
Также были проведены исследования выходных характеристик ПТ.
ПОстроен график нагрузочной характеристики как функции сопротив-
ления канала от напряжения на затворе ПТ.