Файл: Федеральное агентство.docx

имеем

????

????
^????^к^≥2,3????????

Емкость нагрузки ????_н= ????????_вх+ ????_м= 3 ∗ 15 + 50 = 95????Ф, тем самым
1 ∙ 10⁻⁶

????_к≥ _{2,3 ∙}₉₅_∙₁₀₋₁₂= 4577 ом

Ток, протекающий через коллектор насыщенного транзистора VT, должен быть меньше предельного. Используя формулу ограничения, накладываемого на R_кмаксимальным током коллектора используемого биполярного транзистора, получаем:

????⁰ =????⁰ ∙2∙^????⁻^????^????=2∙10⁻⁶∙2∙⁴⁵⁻²⁵=11мкА

ттлш мах

ттлш

????^∗ 7

^????⁻^????кэ нас

5,25 − 0,8

вх ттлш макс

????
????_к≥

кмакс

− ????????⁰ ⁼600 ∙ 10⁻³ − 3 ∙ 10⁻⁶ ∙ 5,7 ⁼^7,41^ом

Получаем ограничения, накладываемые на R_к:

????_к≥ 7,41 ом

????_к≥ 4577 ом

????_к≤ 23865 ом

Выберем резистор, соответствующий этим условиям:

????_к= 10 000 ом ± 5%

Далее при расчетах

????_кмин= 9 500 ом

????_кмах= 10 500 ом

Максимальная мощность, рассеиваемая на резисторе Rк при насыщении транзистора VT

????_????????=

2

(???? − ????_кэнас)

^????кмин
= 0,001 Вт

Выбираем R_кна максимальную мощность 0,125 Вт,
Выбор номинала резистора R_б

Из условия, что ток I_бне должен превышать максимально допустимый ток I_{1выхкмоп}, получаем первое ограничение снизу на величину Rб:

????¹ − ????

8,2 − 1

????_б≥

кмоп

_????1

об ₌

0,3 ∙ 10⁻³

= 24000 ом

вых кмоп

Из условия ограничения предельного базового тока получим второе ограничение на величину R_б:

????¹ − ????

8,2 − 1

????_б≥

кмоп

^????бмах

об ₌

1 ∙ 10⁻³

= 7200 ом

.Для определения ограничения сверху на величину R_бпотребуем, чтобыприминимальномзначениитокадлявыбранноготранзистораVTобеспечиваласьбыстепеньнасыщенияS.

????⁽????¹ − ???? ⁾????

80 ∙ ⁽8,2 − 1⁾∙ 9500

???? ≤

кмоп об кмин ₌

= 800 кОм

^б ????⁽???? − ????_кэн⁾

1,5⁽5,25 − 0,8⁾

Тем самым имеем:

????_б≥ 7 200 ом

????_б≥ 24 000 ом

????_б≤ 800 000 ом

Выберем резистор согласно этому диапазону:

R_б = 47 000 ом ± 5%

1 2 3 4 5 6 7

вх ттлш макс
Расчет мощности, потребляемой преобразователем уровней от источника питания

????¹ = ????(????????¹ + ????
кбо мах

) = 5,25⁽3 ∙ 0,1 ∙ 10⁻³ + 0,1 ∙ 10⁻⁶⁾= 1,5 мВт

????⁰ = ???? (^????⁻^????^кэнас+ ????????⁰ ) = 5,25 (^5,25⁻^0,8+ 3 ∙ 2,5 ∙ 10⁻³)

????_к

= 60 мВт

вх ттлш макс

10 000

Модель ПУ в программе Multisim, осциллограммы и передаточной характеристики.

Дляпроверкиправильностиразработкипроизведеммоделированиепреобразование уровнейвсредеMultisim.Схемапредставленанарисунке7.ВкачествезаменывыходаКМДПиспользовангенераторимпульсовсамплитудой8,2В,чтоявляетсяуровнемлогическойединицыдляКМПДсерииК176.Выходной сигналснимаетсяосциллографом.Рисунок6-ОсциллограммаработыПУРисунок7–ПередаточнаяхарактеристикаПУКаквидноиздиаграммыипередаточнойхарактеристики,расчет

произведенуспешно и сопряжение логических элементов 176 серии КМПД И 531 серииТТЛШпроизведено.

Расчёт тактового генератора для АЦП.

РазработатьирассчитатьтактовыйгенератордляАЦПсиспользованиемпреобразования «напряжение — временной интервал — двоичный код» сГЛИН:Схема генератора тактовых импульсов триггере Шмидта:Дано:Частота- 3∙10⁵Гц=300КГцСкважность –2Длительностьфронтов–2∙10⁻²мксАмплитуда–8 ВСделаемгенератортактовыхимпульсовнатриггереШмидта.Егодостоинства:

Малое количество используемых деталей
Стабильность работы при самых разных значениях частот и номиналах деталей
Надёжность
Простота расчёта

Дляf=300000Гц=>R=1.5ки C=1нФПодобныепоструктурегенераторыможновыполнитьинаодномэлементе—триггереШмиттаF=0,59/(R1×C1) .Рисунок8-СхемагенераторатактовыхимпульсовРисунок9-Осциллограммаработы генераторатактовыхимпульсов

Заключение

В рамках курсовой работы была разработана принципиальная схемаАЦПвсоответствиисзаданиемпошифру555.Такжебылреализовангенератортактовыхимпульсовсзаданнойширинойискважностью.Былрассчитан иисследован ПУКМДП->ТТЛШ.

Список использованной литературы

Методические указания на курсовую работу по дисциплине

«Электроника»дляспециальности«Автоматика,телемеханикаисвязьнажелезнодорожномтранспорте»Санкт-Петербург,2013 г.

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник/ Под ред. С. В. Якубовского. М.: Радио и связь
Моисеев Б. С. Системное проектирование преобразователен информации. Л.: Машиностроение, 1982.