4) Уменьшать омическое сопротивление областей базы.

5) Уменьшать время пролета носителей в области коллекторного перехода.

Барьер Шоттки  — потенциальный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника.

Транзистор Шоттки — электронный компонент, представляющий собой комбинацию из биполярного транзистора и диода Шоттки.

Транзистор Шоттки получается подключением диода Шоттки между базой и коллектором биполярного транзистора, причём для создания n-p-n транзистора Шоттки к биполярному n-p-n транзистору подключается диод Шоттки анодом к базе, а катодом к коллектору, а p-n-p транзистор Шоттки - подключением к биполярному p-n-p транзистору диода Шоттки катодом к базе и анодом к коллектору.

Транзисторы с барьером Шоттки характеризуются боль­шим коэффициентом усиления, малым инверсным коэффициентом усиления и высоким быстродействием. Однако для них хара­ктерны повышенное падение напряжения в режиме насыще­ния и увеличенная емкость коллекторного.

---

Смотрите также файлы

• Работа с текстом в Blender 3D.docx

• Комплексный план противодействия идеологии терроризма в рф на 20192023 гг.docx

• 2. Понятие множественности преступления, соотношение его с единичным преступлением.doc

• Блім. Индустрияландыру лтт.docx

• Анализ Всероссийских проверочных работ по каждому обучающемуся 5 а класса мбоу новомеловатская сош.docx