Файл: Отчет по лабораторной работе 3 "Питание цепей и стабилизация режима биполярного транзистора".docx
Добавлен: 30.11.2023
Просмотров: 16
Скачиваний: 2
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и
информатики»
(СибГУТИ)
Кафедра РТУ и ТБ
Отчет по лабораторной работе №3:
“Питание цепей и стабилизация режима биполярного транзистора”
Выполнил:
студент ИТ,
гр. АВ-1011
«__» _________ 2023 г. Нагребицкий Н.С.
Проверила: .
Доцент каф. РТУ и ТБ
«__» _________ 2023 г. Павлова М. С.
Новосибирск 2023г
Цель работы: изучить способы питания и стабилизации режима работы биполярного транзистора и исследовать влияние температуры на стабильность режима работы с применением лабораторного макета и измерительного оборудования.
Рисунок 1 - Принципиальная схема исследуемого усилителя
Рисунок 2 - Семейство выходных статических характеристик транзистора ГТ108А
Предварительный расчет:
1. Для схемы c эмиттерной стабилизацией (рис.1) вычислить значения сопротивлений нагрузки транзистора постоянному току и переменному току.
Сопротивление нагрузки транзистора по постоянному току:
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
2.На выходных характеристиках транзистора ГТ108А (рис. 2) построить нагрузочные прямые для постоянного и переменного токов, если напряжение источника питания. Eп = 15 B, a ток коллектора в точке покоя iк0 = 2 мА. Определить значения тока базы iб0 и напряжения uкэ0 в точке покоя, если h21э = 30.
Рисунок 3 - Построение нагрузочных прямых
3. Для трех исследуемых схем питания: фиксированным током базы (ФТБ), коллекторной стабилизации (КС) и эмиттерной стабилизации (ЭС) вычислить значения iк0 макс при температуре транзистора +60°C, если обратный ток коллектора Iкб0 = 10 мкА при Tп спр = + 25°C и h21э нe изменяется.
При ФТБ:
При КС:
При ЭС:
Таблица 1 - Измерение параметров усилителя
| Температура | Тс=+25 | Тс=+60 | |
| Схема питания | ik0 мА | Uвых В | ik0 мА |
| ФТБ | 1,3 | 1,85 | 3,5 |
| КС | 1,1 | 1,75 | 3,5 |
| ЭС | 1 | 1,65 | 1,9 |
При выключении ёмкости при ЭС Uвых составляет 45 мВ
Вывод:
Изменение температуры – это один из важнейших дестабилизирующих факторов. Во-первых, может меняться температура окружающей среды. Во-вторых, при включении питания через элементы начнет проходить постоянный ток, и элементы будут нагреваться. Особенно это касается полупроводниковых элементов, у которых повышается температура p-n перехода (явление само разогрева транзисторов), изменяются его характеристики и режим работы. По итогам работы наилучшую стабильность при повышенных температурах показывает режим с эмиттерной стабилизацией.
Выключение эмиттерной емкости повышает выходное напряжение примерно в 3 раза.