Файл: Проектирование усилителяфотоприёмника воспи.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.11.2023

Просмотров: 73

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.




Рис. 6. Принципиальная схема каскадов на биполярных транзисторах по постоянному току

Для расчета сопротивлений резисторов R7, R8, R9, R10 и R11 необходимо выбрать режимы работы транзисторов V3 и V4.

Выбираем ток покоя IК4 транзистора V4 из следующих соображений. Биполярный транзистор как управляемый генератор тока ИТУТ, должен отдавать в нагрузку заданный ток. Если сопротивление внешней нагрузки

R = 3 кОм было бы подключено непосредственно к выходу каскада на транзисторе V4, то величина отдаваемого в нагрузку тока I = U/R составляла бы единицы мА. Следовательно, в таком случае постоянная составляющего тока IК4 должна превышать значение переменного тока I, иначе весь сигнальный ток уйдет в нагрузку и транзистор войдет в режим отсечки коллекторного тока, что недопустимо. Поэтому в этом случае следовало бы выбирать ток IК4 = I + (0,5…1) мА 6мА.

Такой выбор позволил бы не перегружать источник питания излишней потребляемой мощностью для работы каскада, уменьшает рассеиваемую в окружающую среду тепловую энергию, обеспечивать более линейный и надежный режим работы схемы.

Но при использовании дополнительного каскада на ОУ транзистор V4 должен отдать ток, немного превышающий входной ток ОУ – в нашем случае от единиц пикоампер до десятков микроампер. Это обусловлено тем, что на входе используемых ОУ стоит дифференциальный каскад на полевых

транзисторах или на составных биполярных
транзисторах (схема Дарлингтона) в режиме микротоков.

В режиме микротоков (IК меньше 100мкА) параметры дискретного биполярного транзистора (транзистора, выполненного в отдельном корпусе) деградируют. Поэтому целесообразно выбирать ток IК4 = (0.25…1.5) мА. Такой выбор способствует уменьшению рассеиваемой кристаллом транзистора мощности и, следовательно, увеличению срока службы и надежности полупроводникового прибора.

Каскад на транзисторе V3 должен отдать в свою нагрузку – базовую цепь транзистора V4, постоянный и переменный ток IБ4, поэтому можно выбрать постоянный коллекторный ток IК3 IК4 = (0.25…0.5)мА.

Поэтому возьмём IК4 = 1.5 мА; IК3 = 1 мА.

Установим напряжение коллектор-эмиттер V4: ????кэ, 4 = ????0

2
и выберем напряжение на эмиттере: ????Э4 = 0.1 ????0 = 1 В

= 10 = 5 В

2


Можно определить напряжение: ????Б4 = ????Э3 = ????Э4 + ????БЭ = 1 + 0.6 = 1.6 В

Напряжение на базе V3: ????Б3 = ????Э3 + ????БЭ = 1.6 + 0.6 = 2.2 В. Напряжение на коллекторе V4: ????К4 = ????Э4 + ????КЭ,4 = 1 + 5 = 6 В.

Для вычисления токов базы IБ3 и IБ4 и дальнейших расчетов коэффициенты передачи по току h21,3 и h21,4 определим с учетом их


крайних значений:

ℎ21 = ℎ21???????????? ℎ21???????????? = 40 330 = 115

Тогда

???? =????К3 = 1∙10−3 = 8.7 мкА;




Б3 ℎ21

115

???? =????К4 = 1.5∙10−3 = 13 мкА;



Б4 ℎ21

115

1 1

????Э3 = ????К3 (1 + ℎ21) = 0.001 (1 + 115) = 1.01 мА;

1 1

????Э4 = ????К4 (1 + ℎ21) = 0.0015 (1 + 115) = 1.52 мА;

В ряде случаев при больших h21 принимают равными IЭ3  IК3, I Э4 IК4. Теперь можно вычислить сопротивления резисторов R9, R10 и R11:

????9 = ????Э3 = 1.6

= 1584 Ом,

????Э3

1.01 ∙10−3

????10 = ????0−????????4 = 10−6

= 2667 Ом,

????????4

1.5 ∙10−3

????11 = ????Э4 = 1

= 658 Ом,

????Э4

1.52 ∙10−3

Для вычисления сопротивлений R7 и R8 нужно знать ток делителя IД3. Обычно его выбирают IД3 10IБ3.

Следовательно, IД3 = 87 мкА. Сопротивления резисторов:

????7 =

(????0 ????Б3) (10 2.2)В

= = 82 кОм,

(????Д3 + ????Б3) (0.087 + 0.0087)мА


????8 =

????Б3



????Д3

2.2 В

=

0.087 мА

= 25 кОм.

В соответствии с номинальным рядом получаем:

R7 = 82 кОм± 10% , R8 =27 кОм± 10% , R9 = 1.6 кОм± 5% ,

R10 = 2.7 кОм± 10%, R11 = 0.68 кОм± 5%.


Проверка расчёта по постоянному току с помощью


компьютера
Правильность расчетов сопротивлений после их выбора по номинальному ряду удобно проверить с помощью компьютера [5,6,7]. Для этого принципиальную схему каскадов на транзисторах V3 и V4 (рис. 6) преобразуем в эквивалентную схему по постоянному току, заменяя биполярные транзисторы активными четырехполюсниками типа ИТУТ (рис.6), где H11-входное сопротивление биполярного транзистора на постоянном то

Вследствие несовпадения направления постоянного коллекторного тока в реальном транзисторе и в компьютерной модели (рис.7, б) коэффициенту передачи тока h21 необходимо присвоить знак минус (например h21=-100).

а) б)

Рис. 7. Определение входного сопротивления а) и эквивалентная схема биполярного транзистора б) по постоянному току

Составим эквивалентную схему усилителя на биполярных транзисторах (рис.8) и с помощью программы Fastmean произведем расчет. Эта программа сама нумерует узлы и элементы схемы, чаще всего в порядке их набора. При расчете используются сопротивления резисторов, выбранные по номинальному ряду. Сопротивления R6 и R12 не являются резисторами, они отражают эквиваленты входных сопротивлений переходов база-эмиттер транзисторов V3 и V4 H11,3 и H11 ,4 по постоянному току (рис. 7). Их величины: