На верхних частотах сопротивления всех больших конденсаторов (разде- лительных, в цепях эмиттера и истока, и в схеме ДТУМ) принципиальной схемы (см. рисунок 11) стремятся к нулю, и эти емкости не оказывают влияния на ра- боту УНЧ. Основное влияние на частотную характеристику в этой схеме оказы- вают паразитные емкости коллекторного перехода СК транзисторов, входная и проходная ёмкости полевого транзистора, значения которых указывается в спра- вочниках. Действительно, с ростом частоты сопротивление любой выходной емкости падает и она оказывает шунтирующее действие на выходную цепь транзистора, что приводит к падению выходного напряжения. В справочнике работу транзи- стора в области высоких задают параметры: fh21Э - предельная частота коэффициента передачи тока базы биполярного тран- зистора, включенного по схеме с общим эмиттером; fS - предельная частота работы полевого транзистора. Коэффициент частотных искажений на верхней частоте fВ для каскадов на полевых транзисторах определяется по формуле: Mв= 1 ( fВ/ fS) 2 Рассчитывается коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте fВ =20кГц для входного каскада на полевом транзисторе КП103И с fS = 3МГц: Mв1= 1 (20 103 / 3106 )2  1,000022  1,0 Коэффициент частотных искажений на верхней частоте fВ для каскадов на биполярных транзисторах определяется по формуле: Mв= 1 ( fВ/ fh21э) 2
						7ПЭба1.2.04.00000ПЗ
Изм.	Кол.уч	Лист	№ Док.	Подпись	Дата
Разраб.		АлексеенкоА				Расчетусилителяв областиверхнихчастот	Лит.	Лист	Листов
Руковод.		ЛюбушкинаН.Н.					У	30	2
Проверил							КафедраПЭ
Н.Контр.
Утверд.

---

Рассчитывается коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте fВ =20кГц для предвыходного каскада на транзисторе КТ3107Б с fh21Э = 200МГц: Mв2= 1 (20 103 / 200 106 )2  1,0 Рассчитывается коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте fВ =20кГц для выходного каскада на транзисторе КТ818ВМ с fh21Э = 3МГц: Mв3= 1 (20 103 / 3106 )2  1,000014  1,0 Рассчитывается коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте fВ =20кГц для всего усилителя: Mв= Mв1∙Mв2∙Mв3 =1,0∙1,0=1,0. Так как предельные частоты работы современных транзисторов значи- тельно больше верхней рабочей частоты УНЧ fВ =20кГц, то линейные искажения в области высоких частот, связанные с частотными свойствами транзисторов от- сутствуют. Но в схеме УНЧ присутствуют трансформаторы. Их влияние на поведение схемы в области высоких частот в основном определяется индуктивностью рас- сеяния Ls [3]. Индуктивность рассеяния действует на АЧХ как фильтр низких частот, ограничивая верхнюю частоту до величины: где R суммарное сопротивление всех активных потерь в обмотках и нагрузке. Величина Ls в ходе расчетов не определялась, т.к. это связано с расчетом трансформатора и выходит за рамки порядка выполнения курсовой работы. По- этому укажем качественное влияние индуктивности рассеяния на искажения в области высоких частот [3]. Для расширения частотной характеристики в область более высоких ча- стот желательно уменьшать индуктивность рассеяния LS, значение которой в ос- новном определяется конструкцией трансформатора. Уменьшение LS достига- ется за счет использования сердечника с большой магнитной проницаемостью,
					7ПЭба1.2.04.00000ПЗ	Лист
						38
Изм.	Лист	№ докум.	Подпись	Дата

---

секционирования и чередования первичной и вторичной обмоток. Стоимость та- кого трансформатора значительно возрастает.
					7ПЭба1.2.04.00000ПЗ	Лист
						39
Изм.	Лист	№ докум.	Подпись	Дата

На основании проведенных расчетов составляем электрическую принци- пиальную схему УНЧ, приведенную на рисунке 11 и в Приложении 1. Перечень элементов по ГОСТ приведен в Приложении 2. Рисунок 7 - Электрическая принципиальная схема УНЧ Составим перечень элементов принципиальной схемы. Резисторы: Конденсаторы: R1 – C2-33-0,125 - 237 Ом±1%; С1 - К73-9-100В-0,0068 мкФ ±10%; R2 – C2-33-0,125 - 12 МОм±10%; С2 - К73-17а-100В-1мкФ ±10%; R3 – C2-33-0,125 – 1 МОм±10%; С3 - К50-96 – 6,3В – 22мкФ ±20%; R4 – C2-33-0,125 – 8,06 кОм±1%; С4 - К73-17а-100В-1мкФ ±10%; R5 – C2-33-0,125 - 200 Ом±10%; С5 - К50-96 – 6,3В - 470мкФ ±20%; R6 – C2-33-0,125 - 390 Ом±10%; С6 - К50-96 – 6,3В - 2200мкФ ±20%; R7 – C2-33-0,125 – 180 кОм±10%; Транзисторы: R8 – C2-33-0,125 – 33 кОм±10%; VT1 –КП103И; R9 – C2-33-0,125 – 240 Ом±10%; VT2 – КТ3107Б; R10 – C2-33-0,125 – 68 Ом±10%; VT3, VT4 – КТ818ВМ. R11 – C2-33-0,125 – 2,7 Ом±10%;
						7ПЭба1.2.04.00000ПЗ
Изм.	Кол.уч	Лист	№ Док.	Подпись	Дата
Разраб.		ЧерепановИ.В.				Переченьэлементов принципиальнойсхемы	Лит.	Лист	Листов
Руковод.		ЛюбушкинаН.Н.					У	32	1
Проверил							КафедраПЭ
Н.Контр.
Утверд.

---

Список использованных источников Павлов В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств [Текст] : учебник для студентов вузов/ В.Н. Павлов, В.Н. Ногин . - 3-е изд. - М. : Горячая линия - Телеком, 2005. - 320 с. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электрон-ных устройств/ Под ред. А.А. Ровдо.– М., 2001.–368 с. Попов Э.Г. Основы аналоговой техники. Учеб. пособие для студ. радио- технических спец. - Мн.: БГУИР, 2006 - 276 с: Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981. - 656 с. Нефедов А.В. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. Авторы: А.В.Нефедов, А.И.Аксенов. М.: СОЛОН-Пресс, 2006. – 599c. Справочник по электрическим конденсаторам. Под общ. ред. И.И. Чет- верткова и В.Ф. Смирнова. – М.: Радио и связь, 1983. – 576с. Резисторы: Справочник. Под ред. И.И. Четверткова и В.М. Терехова. – М.: Радио и связь, 1991. – 528с.
					7ПЭба1.2.04.00000ПЗ	Лист
						41
Изм.	Лист	№ докум.	Подпись	Дата

---

Приложение 1

---

Смотрите также файлы

• Памятка правила поведения на железнодорожном транспорте.pdf

• А блімі 6сынып 3тосан бойынша жиынты баалауа арналан тапсырмалар.docx

• Подраздел Слушание Говорение Цель обучения.docx

• Практическая работа 3 работа со справочноинформационной правовой системой консультантплюс.docx

• Тема Запись и считывание информации. Носители информации.docx