ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 04.12.2023
Просмотров: 184
Скачиваний: 3
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
СОДЕРЖАНИЕ
Е.Е. СКЛАДНОВА, Г.А. ВОРОБЬЁВА
К
К
О
О
Н
Н
С
С
Т
Т
Р
Р
У
У
К
К
Ц
Ц
И
И
О
О
Н
Н
Н
Н
Ы
Ы
Е
Е
С
С
Т
Т
А
А
Л
Л
И
И
И
И
С
С
П
П
Л
Л
А
А
В
В
Ы
Ы
Издание второе, переработанное
Министерство образования и науки Российской Федерации
Балтийский государственный технический университет «Военмех»
Кафедра технологии конструкционных материалов и производства ракетно-космической техники
Е.Е. СКЛАДНОВА, Г.А. ВОРОБЬЁВА
КОНСТРУКЦИОННЫЕ
СТАЛИ И СПЛАВЫ
Издание второе, переработанное
Учебное пособие
Санкт-Петербург
2017
УДК 669.018.29(075.8)
С43
УДК 669.018.29(075.8)
Р е ц е н з е н т ы: д-р техн. наук, проф. К.М. Иванов (БГТУ); д-р техн. наук, проф. М.А. Скотникова (СПбПУ)
ISBN 978-5-906920-71-3
© Авторы, 2017
© БГТУ, 2017
Складнова, Е.Е.
Конструкционные стали и сплавы. Изд. 2-е, пере- работ.: учебное пособие / Е.Е. Складнова, Г.А. Воробь- ева; Балт. гос. техн. ун-т. – СПб., 2017. – 143 с.
ISBN 978-5-906920-71-3
Рассмотрены положения теории и технологии термической обработки сталей, чугунов и сплавов. Приведены закономерно- сти формирования структуры и свойств основных промышлен- ных сталей и сплавов, справочные данные по режимам их упрочнения.
Предназначено для студентов технических специальностей машиностроительных вузов; может быть полезно для студентов, обучающихся по смежным специальностям, а также аспирантов и инженерно-технических работников.
С43
3
1. КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ СТРОЕНИЕ МЕТАЛЛОВ
1.1. Общая характеристика металлов и сплавов
Широкий диапазон механических, физико-химических и техно- логических свойств металлических материалов предопределяет их широкое применение в технике, несмотря на большое количество су- ществующих и новых полимерных материалов и керамики. Преобла- дающее применение металлов и сплавов в качестве основных кон- струкционных материалов, очевидно, сохранится и в ближайшем бу- дущем, что в значительной степени определяется оптимальным соот- ношением «цена–качество».
Металлические материалы подразделяют на две большие группы: черные и цветные. К наиболее типичным черным металлам относятся железо и сплавы на его основе, большинство остальных металлов – к цветным.
Характерные общие свойства металлов:
высокая тепло- и электропроводность;
положительный температурный коэффициент электросопро- тивления; с повышением температуры электросопротивление чистых металлов возрастает; большинство металлов обладает сверхпроводи- мостью; при температурах, близких к абсолютному нулю, их электро- сопротивление падает практически до нуля;
термоэлектронная эмиссия, т.е. способность испускать элек- троны при нагреве;
хорошая отражательная способность; металлы непрозрачны и обладают металлическим блеском;
повышенная способность к пластической деформации.
Основная доля в изготавливаемых и применяемых металлических материалах приходится на долю сплавов железа (стали). Стали произ- водится больше, чем всех остальных металлов вместе взятых (90%).
Стоимость цветных металлов и сплавов превышает стоимость спла- вов на основе железа.
1.2. Кристаллическое строение металлов
В металле атомы располагаются закономерно, образуя кристал- лическую решетку – абстрактное геометрическое построение с иона- ми (атомами) в узлах, что соответствует минимальной энергии взаи- модействия атомов. Кристаллическая решетка может быть представ-
4 лена одной элементарной ячейкой (э.я.), многократно повторяющейся во всех трех измерениях.
В кристалле элементарные частицы (атомы, ионы) сближены до соприкосновения. Для упрощения пространственное изображение заменяют схемами, где центры тяжести частиц представлены точка- ми. В точках пересечения прямых линий располагаются атомы, назы- ваемые узлами решетки. Расстояния a, b и с между центрами атомов
(осевые единицы), находящихся в соседних узлах, называют парамет- рами, или периодами, решетки. Величина их в металлах составляет порядка 0,2…0,7 нм и определяется методами рентгено-структурного анализа.
Для однозначного описания элементарной ячейки кристалличе- ской решетки необходимо знать величины параметров а, b, с и углы между ними. На рис. 1.1 показаны три типа элементарных ячеек кри- сталлических решеток, наиболее характерных для металлов (из суще- ствующих семи типов простых кристаллических решеток).
Рис. 1.1. Типы элементарных ячеек кристаллических решеток металлов и схемы упаковки в них атомов: а – гранецентрированная кубическая (ГЦК);
б – объемно-центрированная кубическая (ОЦК); в – гексагональная плотноупако- ванная (ГП) решетка
5
В кубической гранецентрированной (ГЦК) и объёмно-центриро- ванной (ОЦК) решетках (рис. 1.1, а и б) восемь атомов расположены в узлах решетки (вершинах куба), остальные находятся в центре граней
(шесть атомов в решетке ГЦК) или в центре объема куба (один атом на пересечении диагоналей в решетке ОЦК). Решетку ОЦК имеют следующие металлы:
-железо, хром, ванадий, молибден, вольфрам,
β-титан и др.; ГЦК – γ-железо, алюминий, медь, никель, свинец,
α-кобальт и др. В гексагональной плотноупакованной решетке (ГП) ячейка представляет собой шестигранную призму с центрированными основаниями, между которыми на некотором расстоянии от центров трех граней расположены еще три атома. ГП-решетку имеют α-титан, магний, цинк, кадмий, бериллий, β-кобальт и др. Некоторые металлы имеют тетрагональную решетку (γ-марганец).
Кристаллическая решетка характеризуется координационным числом и плотностью упаковки. Под координационным числом по- нимается число атомов, находящихся на равном и наименьшем рас- стоянии от данного атома. Чем выше координационное число, тем выше плотность упаковки. Координационное число для решетки ОЦК соответствует восьми и обозначается К8. Плотность упаковки харак- теризуется коэффициентом компактности (коэффициентом заполне- ния ячейки), определяемым как отношение объёма, занятого атомами, к объёму ячейки. Для решетки ОЦК он соответствует 68%. Коорди- национное число для решетки ГЦК соответствует 12 (К12), коэффи- циент компактности 74%. Решетка ГП имеет координационное число, равное 12 (Г12), у многих металлов с кристаллической решеткой это- го типа отношение с/а = 1,633, коэффициент компактности также
74%. Кристаллическая решетка ГП с соотношением с/а, значительно отличающимся от 1,633 (например, цинк, кадмий), имеет координа- ционное число, равное шести, а коэффициент компактности 50%.
Компактность структуры является одним из факторов, уменьшающих свободную энергию твердого тела, т.е. обеспечивающих его равно- весное состояние. Прочность металлов зависит от плотности упаков- ки его кристаллической решетки и особенностей строения его атомов.
Решетки ГЦК и ГП наиболее плотноупакованные.
Для определения положения атомных плоскостей, проходящих через атомы в кристаллической решетке, пользуются индексами Мил- лера, обозначаемыми hkl, представляющими собой три целых рацио- нальных числа, являющиеся величинами, обратными осевым отрез- кам, отсекаемым данной плоскостью на осях координат. Единицы длины вдоль этих осей выбирают равными длинам рёбер элементар- ной ячейки. Каждая плоскость куба пересекает только одну ось
6
(рис. 1.2, а), при этом отрезки будут равны (1 ,∞, ∞), (∞, 1, ∞), (∞ ,∞,
1), обратные величины отсекаемых отрезков – соответственно 1, 0, 0;
0, 1, 0; 0, 0, 1. Индексы плоскостей обычно записываются в скобках и обозначают (100); (010); (001). В кубической решетке, кроме плос- костей куба, различают плоскости (110) и (111) соответственно
(рис. 1.2, б и в).
Рис. 1.2. Индексы кристаллографических плоскостей и направлений в ОЦК-решетке
Кристаллографическими направлениями являются прямые или лучи, выходящие от точки отсчета (например, вершины куба), вдоль которых на определенном расстоянии располагаются атомы. Для определения следует найти координаты ближайшего к точке отсчета атома, лежащего на этом направлении, выраженные через параметр решетки. Эти цифры, заключенные в квадратные скобки [uvw], являются индексом данного направления и всех параллельных направлений. Координаты ближайшего атома, лежащего на оси ОХ, выразятся через 100, следовательно, индексы осей решетки ох [100],
оy – [010], оz – [001], индексы пространственной диагонали [111]
(рис. 1.2, г).
7
1.3. Анизотропия свойств кристаллов
Плотность расположения атомов по различным плоскостям не- одинакова. Вследствие этого многие свойства каждого кристалла
(химические, физические, механические) зависят от направления ре- шетки. Неодинаковость свойств монокристаллов в разных кристалло- графических направлениях называется анизотропией. Свойства аморфных тел, характеризующихся хаотическим расположением ато- мов, не зависят от направления, т.е. анизотропия является результа- том закономерного расположения атомов в кристаллических телах.
Разница в физико-химических и механических свойствах может быть весьма существенной. Температурный коэффициент линейного рас- ширения в двух взаимно перпендикулярных направлениях может раз- личаться в 3…4 раза. Так, медный шар, изготовленный из монокри- сталла, при нагреве утратит правильную геометрическую форму и превратится в эллипсоид. Не всем свойствам кристаллических тел свойственна анизотропия. Такое свойство, как теплоёмкость, от направления не зависит.
Технические металлы являются поликристаллами, состоящими из большого количества анизотропных кристаллов, статистически неупорядоченно ориентированных друг к другу. Поэтому во всех направлениях свойства примерно одинаковы, т.е. поликристалличе- ские металлы изотропны. Но так как их изотропность не истинная, а усредненная, то их принято называть квазиизотропными телами. Изо- тропность не будет наблюдаться, если кристаллы имеют одинако- вую преимущественную ориентировку в каких-то направлениях.
В этом случае поликристаллический металл приобретает анизотро- пию свойств.
1.4. Дефекты строения кристаллических тел
Реальные металлы содержат большое количество дефектов стро- ения, нарушающих периодичность расположения атомов в кристал- лической решетке. Эти дефекты существенно влияют на свойства ма- териала.
Различают три типа дефектов кристаллического строения: точеч- ные, линейные и поверхностные.
Точечные дефекты (рис. 1.3) имеют малые размеры во всех трех измерениях. Величина их не превышает несколько атомных диамет- ров. К точечным дефектам относятся: свободные места в узлах кри- сталлической решетки – вакансии (а); атомы, сместившиеся из узлов
8 кристаллической решетки в межузельные промежутки, – дислоци- рованные атомы (б); атомы других элементов, находящиеся как в уз- лах, так и в междоузлиях кристаллической решетки, – примесные атомы (в).
Рис. 1.3. Точечные дефекты в кристаллической решетке: а – вакансия;
б – дислоцированный атом; в – примесный атом
Линейные дефекты имеют малые размеры в двух измерениях, но значительную протяженность в третьем измерении. Наиболее важ- ный вид линейных дефектов – дислокации. Теория дислокаций была впервые применена в середине 1930-х годов физиками Орованом, По- ляни и Тейлором для описания процесса пластической деформации кристаллических тел. Ее использование позволило объяснить природу прочности и пластичности металлов, а также огромную разницу меж- ду теоретической и практической прочностью. Экспериментально дислокации были обнаружены лишь с помощью электронного микро- скопа благодаря сопутствующим деформациям или искажениям кри- сталлической решетки. При прохождении пучка электронов через та- кие искажения происходит дифракция электронов, подобная дифрак- ции рентгеновских лучей.
Наиболее простой способ образования дислокаций в кристалле – сдвиг. Если верхнюю часть кристалла сдвинуть относительно нижней на одно межатомное расстояние, при том что сдвиг охватил не всю плоскость скольжения, а только ее часть АВСD, то граница АВ между участком АВСD и ненарушенным участком в плоскости скольжения и будет краевой дислокацией (рис. 1.4, а). Если «лишняя» атомная по- луплоскость – экстраплоскость – находится в верхней части кристал- ла, то дислокацию называют положительной и обозначают знаком
«+», если в нижней – отрицательной и обозначают знаком «–». Ниж- ний край экстраплоскости называют линией дислокации.
9
Рис. 1.4. Краевые дислокации: а – сдвиг, создавший краевую дислокацию;
б – пространственная схема краевой дислокации; в, г – схемы расположения атомов у дислокации;
и ┬ – дислокация
Различие между дислокациями чисто условное. Перевернув кри- сталл, мы превращаем положительную дислокацию в отрицательную.
Знак дислокации позволяет оценить результат их взаимодействия.
Дислокации одного знака отталкиваются, а противоположного притя- гиваются. Из приведенных далее схем видно, что атомы над краевой дислока- цией испытывают сжатие, а нижние атомы – растяжение. Дислокации выяв- ляются также с помощью травления химическими реактивами. В местах выхода дислокаций на полированную поверхность металла скорость химиче- ского травления выше.
Помимо краевых дислокаций, в кристаллах могут образовываться и винтовые (рис. 1.5), которые могут быть получены путем частичного сдви- га атомных слоев по плоскости Q. При этом нарушается параллель- ность атомных слоев, кристалл как бы закручивается винтом вокруг линии EF, которая является линией дислокации. Она отделяет ту
Рис. 1.5. Винтовая дислокация
10 часть, где сдвиг еще не происходил. Винтовая дислокация, образо- ванная вращением по часовой стрелке, называется правой, против часовой стрелки – левой. Вокруг дислокации на протяжении несколь- ких межатомных расстояний решетка искажена, что вызывает появ- ление поля напряжений. Критерием энергии искажения кристалли- ческой решетки служит вектор Бюргерса.
Для определения вектора Бюргерса краевой дислокации (рис. 1.6) вокруг неё проводят контур АВСDE, равномерно откладывая против часовой стрелки от точки А по шесть атомных расстояний снизу вверх: АВ, ВС, СD, DE. Контур замкнется на участке DA, который бу- дет состоять из пяти отрезков. При отсутствии дислокаций в кристал- ле этот участок состоял бы из шести отрезков. Разность протяженно- сти контуров АЕ называется вектором Бюргерса, который имеет вели- чину порядка межатомных расстояний. Если вектор Бюргерса охва- тывает несколько дислокаций, то его величина соответствует геомет- рической сумме векторов отдельных дислокаций. Вектор Бюргерса позволяет найти силы, требуемые для перемещения дислокации, силы взаимодействия и энергию дислокаций.
Рис. 1.6. Схема определения вектора Бюргерса b для линейной дислокации: а – схема плоскости реального кристалла;
б – совершенного кристалла
Дислокации образуются уже при кристаллизации металлов, а также в ходе пластической деформации и фазовых превращений.
Плотность дислокаций может достигать большой величины. Под плотностью дислокаций р обычно понимают суммарную длину дис- локаций
l, приходящуюся на единицу объема V кристалла: р = l/V.
Таким образом, плотность дислокаций р выражается в см/см
3
, или см
–2
. Для отожженных металлов она составляет 10 3
…10 6
см
–2
, после холодной деформации увеличивается до 10 11
…10 12
см
–2
, что соответ- ствует примерно 1 млн км дислокаций в 1 см
3
11
Плотность дислокаций может быть определена экспериментально при больших увеличениях подсчетом числа выходов дислокаций на единицу площади предварительно протравленного металлографическо- го шлифа, а также при изучении структуры тонких пленок на просвет в электронном микроскопе.
Установлено, что дислокации притягивают в свою зону атомы примесей, которые осаждаются в виде цепочки вдоль края экстраплос- кости. Такие атомы снижают уровень упругих искажений дислокаци- онной структуры. Цепочки инородных атомов образуют так называе- мые атмосферы Коттрелла, или облака Коттрелла, которые с повыше- нием температуры рассеиваются. При понижении до температуры, со- ответствующей пределу растворимости, они могут образовывать дис- персные выделения второй фазы.
Теоретическая и фактическая прочность. Использование тео- рии дислокаций позволило объяснить большое расхождение между теоретической и фактической прочностью металлов. Теоретическая прочность должна быть пропорциональна произведению сил меж- атомной связи на число атомов в сечении кристалла.
Расчетное усилие для смещения одной части кристалла относи- тельно другой оказалось на 2–3 порядка выше фактически затрачива- емого при пластической деформации металла. Так, теоретическая прочность железа составляет около 13 000 МПа, а фактическая –
250 МПа. Такое расхождение объясняется тем, что деформация про- исходит не путем одновременного смещения целых атомных плоско- стей, а за счет постепенного перемещения дислокаций. Влияние дис- локаций на процесс пластической деформации на примере краевых дислокаций показано на рис. 1.7. Пластический сдвиг – это следствие постепенного перемещения дислокаций в плоскости сдвига. Распрост- ранение скольжения по плоскости скольжения происходит последо- вательно.
Каждый элементарный акт перемещения дислокации из одного положения в другое совершается путем разрыва лишь одной верти- кальной атомной плоскости. Для перемещения дислокаций требуется значительно меньшее усилие, чем для жесткого смещения одной ча- сти кристалла относительно другой в плоскости сдвига. При движе- нии дислокации вдоль направления сдвига через весь кристалл про- исходит смещение верхней и нижней его частей на одно межатомное расстояние. В результате перемещения дислокация выходит на по- верхность кристалла и исчезает. На поверхности остается ступенька скольжения.
12
Рис. 1.7. Движение краевой дислокации, приводящее к образованию ступеньки единичного сдвига на поверхности кристалла: а – схема расположения дислока- ций; б–д – этапы передвижения дислокации и выхода ее на поверхность;
– напряжение сдвига; М–М – плоскость сдвига
Дислокации легко перемещаются в направлении, перпендикуляр- ном экстраплоскости. Чем легче перемещаются дислокации, тем ниже прочность металла, тем легче идет пластическая деформация. Пла- стическая деформация кристаллических тел связана с количеством дислокаций, их шириной, подвижностью, степенью взаимодействия с дефектами решетки и т.д. Характер связи между атомами влияет на пластичность кристаллов.
Таким образом, причиной низкой прочности реальных металлов является наличие в их структуре дислокаций и других несовершенств кристаллического строения. Получение бездислокационных кристал- лов приводит к резкому повышению прочности материалов. Левая ветвь кривой на рис 1.8 соответствует созданию совершенных без- дислокационных нитевидных кристаллов (так называемых «усов»), прочность которых близка к теоретической.
При ограниченной плотности дислокаций и других искажений кристаллической решетки процесс сдвига происходит тем легче, чем больше дислокаций в объеме металла.
С ростом напряжений возрастает число источников, генерирую- щих дислокации в металле (источники Франка–Рида), и их плотность
13 увеличивается. Помимо параллельных дислокаций возникают дисло- кации в разных плоскостях и направлениях. Они воздействуют друг на друга, мешают друг другу перемещаться, происходит их аннигиля- ция (взаимное уничтожение) и т.д. С по- вышением плотности дислокаций их движение становится все более затруд- ненным, что требует увеличения прила- гаемой нагрузки для продолжения де- формации. В результате металл упрочня- ется, что соответствует правой ветви кривой на рис. 1.8.
Упрочнению способствуют и другие несовершенства кристаллического строе- ния, также тормозящие движение дисло- каций. К ним относятся атомы раство- ренных в металле примесей и легирую- щих элементов, частицы выделений вто- рой фазы, границы зерен или блоков и т.д. На практике препятствие движе- нию дислокаций, т.е. упрочнение, созда- ется введением других элементов (легированием), наклепом, терми- ческой или термомеханической обработкой. Снижение температуры также препятствует свободному перемещению дислокаций. При низ- ких температурах прочность растет, а пластичность падает, металл становится более прочным, но хрупким.
Таким образом, прочность металлов и сплавов может быть повы- шена двумя путями: 1) получением металлов с более близким к иде- альному строением кристаллической решетки, т.е. металлов, в которых отсутствуют дефекты кристаллического строения или же их число крайне мало; 2) наоборот, увеличением числа структурных несовер- шенств, препятствующих движению дислокаций.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14
Е.Е. СКЛАДНОВА, Г.А. ВОРОБЬЁВА
К
К
О
О
Н
Н
С
С
Т
Т
Р
Р
У
У
К
К
Ц
Ц
И
И
О
О
Н
Н
Н
Н
Ы
Ы
Е
Е
С
С
Т
Т
А
А
Л
Л
И
И
И
И
С
С
П
П
Л
Л
А
А
В
В
Ы
Ы
Издание второе, переработанное
Министерство образования и науки Российской Федерации
Балтийский государственный технический университет «Военмех»
Кафедра технологии конструкционных материалов и производства ракетно-космической техники
Е.Е. СКЛАДНОВА, Г.А. ВОРОБЬЁВА
КОНСТРУКЦИОННЫЕ
СТАЛИ И СПЛАВЫ
Издание второе, переработанное
Учебное пособие
Санкт-Петербург
2017
УДК 669.018.29(075.8)
С43
УДК 669.018.29(075.8)
Р е ц е н з е н т ы: д-р техн. наук, проф. К.М. Иванов (БГТУ); д-р техн. наук, проф. М.А. Скотникова (СПбПУ)
ISBN 978-5-906920-71-3
© Авторы, 2017
© БГТУ, 2017
Складнова, Е.Е.
Конструкционные стали и сплавы. Изд. 2-е, пере- работ.: учебное пособие / Е.Е. Складнова, Г.А. Воробь- ева; Балт. гос. техн. ун-т. – СПб., 2017. – 143 с.
ISBN 978-5-906920-71-3
Рассмотрены положения теории и технологии термической обработки сталей, чугунов и сплавов. Приведены закономерно- сти формирования структуры и свойств основных промышлен- ных сталей и сплавов, справочные данные по режимам их упрочнения.
Предназначено для студентов технических специальностей машиностроительных вузов; может быть полезно для студентов, обучающихся по смежным специальностям, а также аспирантов и инженерно-технических работников.
С43
3
1. КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ СТРОЕНИЕ МЕТАЛЛОВ
1.1. Общая характеристика металлов и сплавов
Широкий диапазон механических, физико-химических и техно- логических свойств металлических материалов предопределяет их широкое применение в технике, несмотря на большое количество су- ществующих и новых полимерных материалов и керамики. Преобла- дающее применение металлов и сплавов в качестве основных кон- струкционных материалов, очевидно, сохранится и в ближайшем бу- дущем, что в значительной степени определяется оптимальным соот- ношением «цена–качество».
Металлические материалы подразделяют на две большие группы: черные и цветные. К наиболее типичным черным металлам относятся железо и сплавы на его основе, большинство остальных металлов – к цветным.
Характерные общие свойства металлов:
высокая тепло- и электропроводность;
положительный температурный коэффициент электросопро- тивления; с повышением температуры электросопротивление чистых металлов возрастает; большинство металлов обладает сверхпроводи- мостью; при температурах, близких к абсолютному нулю, их электро- сопротивление падает практически до нуля;
термоэлектронная эмиссия, т.е. способность испускать элек- троны при нагреве;
хорошая отражательная способность; металлы непрозрачны и обладают металлическим блеском;
повышенная способность к пластической деформации.
Основная доля в изготавливаемых и применяемых металлических материалах приходится на долю сплавов железа (стали). Стали произ- водится больше, чем всех остальных металлов вместе взятых (90%).
Стоимость цветных металлов и сплавов превышает стоимость спла- вов на основе железа.
1.2. Кристаллическое строение металлов
В металле атомы располагаются закономерно, образуя кристал- лическую решетку – абстрактное геометрическое построение с иона- ми (атомами) в узлах, что соответствует минимальной энергии взаи- модействия атомов. Кристаллическая решетка может быть представ-
4 лена одной элементарной ячейкой (э.я.), многократно повторяющейся во всех трех измерениях.
В кристалле элементарные частицы (атомы, ионы) сближены до соприкосновения. Для упрощения пространственное изображение заменяют схемами, где центры тяжести частиц представлены точка- ми. В точках пересечения прямых линий располагаются атомы, назы- ваемые узлами решетки. Расстояния a, b и с между центрами атомов
(осевые единицы), находящихся в соседних узлах, называют парамет- рами, или периодами, решетки. Величина их в металлах составляет порядка 0,2…0,7 нм и определяется методами рентгено-структурного анализа.
Для однозначного описания элементарной ячейки кристалличе- ской решетки необходимо знать величины параметров а, b, с и углы между ними. На рис. 1.1 показаны три типа элементарных ячеек кри- сталлических решеток, наиболее характерных для металлов (из суще- ствующих семи типов простых кристаллических решеток).
Рис. 1.1. Типы элементарных ячеек кристаллических решеток металлов и схемы упаковки в них атомов: а – гранецентрированная кубическая (ГЦК);
б – объемно-центрированная кубическая (ОЦК); в – гексагональная плотноупако- ванная (ГП) решетка
5
В кубической гранецентрированной (ГЦК) и объёмно-центриро- ванной (ОЦК) решетках (рис. 1.1, а и б) восемь атомов расположены в узлах решетки (вершинах куба), остальные находятся в центре граней
(шесть атомов в решетке ГЦК) или в центре объема куба (один атом на пересечении диагоналей в решетке ОЦК). Решетку ОЦК имеют следующие металлы:
-железо, хром, ванадий, молибден, вольфрам,
β-титан и др.; ГЦК – γ-железо, алюминий, медь, никель, свинец,
α-кобальт и др. В гексагональной плотноупакованной решетке (ГП) ячейка представляет собой шестигранную призму с центрированными основаниями, между которыми на некотором расстоянии от центров трех граней расположены еще три атома. ГП-решетку имеют α-титан, магний, цинк, кадмий, бериллий, β-кобальт и др. Некоторые металлы имеют тетрагональную решетку (γ-марганец).
Кристаллическая решетка характеризуется координационным числом и плотностью упаковки. Под координационным числом по- нимается число атомов, находящихся на равном и наименьшем рас- стоянии от данного атома. Чем выше координационное число, тем выше плотность упаковки. Координационное число для решетки ОЦК соответствует восьми и обозначается К8. Плотность упаковки харак- теризуется коэффициентом компактности (коэффициентом заполне- ния ячейки), определяемым как отношение объёма, занятого атомами, к объёму ячейки. Для решетки ОЦК он соответствует 68%. Коорди- национное число для решетки ГЦК соответствует 12 (К12), коэффи- циент компактности 74%. Решетка ГП имеет координационное число, равное 12 (Г12), у многих металлов с кристаллической решеткой это- го типа отношение с/а = 1,633, коэффициент компактности также
74%. Кристаллическая решетка ГП с соотношением с/а, значительно отличающимся от 1,633 (например, цинк, кадмий), имеет координа- ционное число, равное шести, а коэффициент компактности 50%.
Компактность структуры является одним из факторов, уменьшающих свободную энергию твердого тела, т.е. обеспечивающих его равно- весное состояние. Прочность металлов зависит от плотности упаков- ки его кристаллической решетки и особенностей строения его атомов.
Решетки ГЦК и ГП наиболее плотноупакованные.
Для определения положения атомных плоскостей, проходящих через атомы в кристаллической решетке, пользуются индексами Мил- лера, обозначаемыми hkl, представляющими собой три целых рацио- нальных числа, являющиеся величинами, обратными осевым отрез- кам, отсекаемым данной плоскостью на осях координат. Единицы длины вдоль этих осей выбирают равными длинам рёбер элементар- ной ячейки. Каждая плоскость куба пересекает только одну ось
6
(рис. 1.2, а), при этом отрезки будут равны (1 ,∞, ∞), (∞, 1, ∞), (∞ ,∞,
1), обратные величины отсекаемых отрезков – соответственно 1, 0, 0;
0, 1, 0; 0, 0, 1. Индексы плоскостей обычно записываются в скобках и обозначают (100); (010); (001). В кубической решетке, кроме плос- костей куба, различают плоскости (110) и (111) соответственно
(рис. 1.2, б и в).
Рис. 1.2. Индексы кристаллографических плоскостей и направлений в ОЦК-решетке
Кристаллографическими направлениями являются прямые или лучи, выходящие от точки отсчета (например, вершины куба), вдоль которых на определенном расстоянии располагаются атомы. Для определения следует найти координаты ближайшего к точке отсчета атома, лежащего на этом направлении, выраженные через параметр решетки. Эти цифры, заключенные в квадратные скобки [uvw], являются индексом данного направления и всех параллельных направлений. Координаты ближайшего атома, лежащего на оси ОХ, выразятся через 100, следовательно, индексы осей решетки ох [100],
оy – [010], оz – [001], индексы пространственной диагонали [111]
(рис. 1.2, г).
7
1.3. Анизотропия свойств кристаллов
Плотность расположения атомов по различным плоскостям не- одинакова. Вследствие этого многие свойства каждого кристалла
(химические, физические, механические) зависят от направления ре- шетки. Неодинаковость свойств монокристаллов в разных кристалло- графических направлениях называется анизотропией. Свойства аморфных тел, характеризующихся хаотическим расположением ато- мов, не зависят от направления, т.е. анизотропия является результа- том закономерного расположения атомов в кристаллических телах.
Разница в физико-химических и механических свойствах может быть весьма существенной. Температурный коэффициент линейного рас- ширения в двух взаимно перпендикулярных направлениях может раз- личаться в 3…4 раза. Так, медный шар, изготовленный из монокри- сталла, при нагреве утратит правильную геометрическую форму и превратится в эллипсоид. Не всем свойствам кристаллических тел свойственна анизотропия. Такое свойство, как теплоёмкость, от направления не зависит.
Технические металлы являются поликристаллами, состоящими из большого количества анизотропных кристаллов, статистически неупорядоченно ориентированных друг к другу. Поэтому во всех направлениях свойства примерно одинаковы, т.е. поликристалличе- ские металлы изотропны. Но так как их изотропность не истинная, а усредненная, то их принято называть квазиизотропными телами. Изо- тропность не будет наблюдаться, если кристаллы имеют одинако- вую преимущественную ориентировку в каких-то направлениях.
В этом случае поликристаллический металл приобретает анизотро- пию свойств.
1.4. Дефекты строения кристаллических тел
Реальные металлы содержат большое количество дефектов стро- ения, нарушающих периодичность расположения атомов в кристал- лической решетке. Эти дефекты существенно влияют на свойства ма- териала.
Различают три типа дефектов кристаллического строения: точеч- ные, линейные и поверхностные.
Точечные дефекты (рис. 1.3) имеют малые размеры во всех трех измерениях. Величина их не превышает несколько атомных диамет- ров. К точечным дефектам относятся: свободные места в узлах кри- сталлической решетки – вакансии (а); атомы, сместившиеся из узлов
8 кристаллической решетки в межузельные промежутки, – дислоци- рованные атомы (б); атомы других элементов, находящиеся как в уз- лах, так и в междоузлиях кристаллической решетки, – примесные атомы (в).
Рис. 1.3. Точечные дефекты в кристаллической решетке: а – вакансия;
б – дислоцированный атом; в – примесный атом
Линейные дефекты имеют малые размеры в двух измерениях, но значительную протяженность в третьем измерении. Наиболее важ- ный вид линейных дефектов – дислокации. Теория дислокаций была впервые применена в середине 1930-х годов физиками Орованом, По- ляни и Тейлором для описания процесса пластической деформации кристаллических тел. Ее использование позволило объяснить природу прочности и пластичности металлов, а также огромную разницу меж- ду теоретической и практической прочностью. Экспериментально дислокации были обнаружены лишь с помощью электронного микро- скопа благодаря сопутствующим деформациям или искажениям кри- сталлической решетки. При прохождении пучка электронов через та- кие искажения происходит дифракция электронов, подобная дифрак- ции рентгеновских лучей.
Наиболее простой способ образования дислокаций в кристалле – сдвиг. Если верхнюю часть кристалла сдвинуть относительно нижней на одно межатомное расстояние, при том что сдвиг охватил не всю плоскость скольжения, а только ее часть АВСD, то граница АВ между участком АВСD и ненарушенным участком в плоскости скольжения и будет краевой дислокацией (рис. 1.4, а). Если «лишняя» атомная по- луплоскость – экстраплоскость – находится в верхней части кристал- ла, то дислокацию называют положительной и обозначают знаком
«+», если в нижней – отрицательной и обозначают знаком «–». Ниж- ний край экстраплоскости называют линией дислокации.
9
Рис. 1.4. Краевые дислокации: а – сдвиг, создавший краевую дислокацию;
б – пространственная схема краевой дислокации; в, г – схемы расположения атомов у дислокации;
и ┬ – дислокация
Различие между дислокациями чисто условное. Перевернув кри- сталл, мы превращаем положительную дислокацию в отрицательную.
Знак дислокации позволяет оценить результат их взаимодействия.
Дислокации одного знака отталкиваются, а противоположного притя- гиваются. Из приведенных далее схем видно, что атомы над краевой дислока- цией испытывают сжатие, а нижние атомы – растяжение. Дислокации выяв- ляются также с помощью травления химическими реактивами. В местах выхода дислокаций на полированную поверхность металла скорость химиче- ского травления выше.
Помимо краевых дислокаций, в кристаллах могут образовываться и винтовые (рис. 1.5), которые могут быть получены путем частичного сдви- га атомных слоев по плоскости Q. При этом нарушается параллель- ность атомных слоев, кристалл как бы закручивается винтом вокруг линии EF, которая является линией дислокации. Она отделяет ту
Рис. 1.5. Винтовая дислокация
10 часть, где сдвиг еще не происходил. Винтовая дислокация, образо- ванная вращением по часовой стрелке, называется правой, против часовой стрелки – левой. Вокруг дислокации на протяжении несколь- ких межатомных расстояний решетка искажена, что вызывает появ- ление поля напряжений. Критерием энергии искажения кристалли- ческой решетки служит вектор Бюргерса.
Для определения вектора Бюргерса краевой дислокации (рис. 1.6) вокруг неё проводят контур АВСDE, равномерно откладывая против часовой стрелки от точки А по шесть атомных расстояний снизу вверх: АВ, ВС, СD, DE. Контур замкнется на участке DA, который бу- дет состоять из пяти отрезков. При отсутствии дислокаций в кристал- ле этот участок состоял бы из шести отрезков. Разность протяженно- сти контуров АЕ называется вектором Бюргерса, который имеет вели- чину порядка межатомных расстояний. Если вектор Бюргерса охва- тывает несколько дислокаций, то его величина соответствует геомет- рической сумме векторов отдельных дислокаций. Вектор Бюргерса позволяет найти силы, требуемые для перемещения дислокации, силы взаимодействия и энергию дислокаций.
Рис. 1.6. Схема определения вектора Бюргерса b для линейной дислокации: а – схема плоскости реального кристалла;
б – совершенного кристалла
Дислокации образуются уже при кристаллизации металлов, а также в ходе пластической деформации и фазовых превращений.
Плотность дислокаций может достигать большой величины. Под плотностью дислокаций р обычно понимают суммарную длину дис- локаций
l, приходящуюся на единицу объема V кристалла: р = l/V.
Таким образом, плотность дислокаций р выражается в см/см
3
, или см
–2
. Для отожженных металлов она составляет 10 3
…10 6
см
–2
, после холодной деформации увеличивается до 10 11
…10 12
см
–2
, что соответ- ствует примерно 1 млн км дислокаций в 1 см
3
11
Плотность дислокаций может быть определена экспериментально при больших увеличениях подсчетом числа выходов дислокаций на единицу площади предварительно протравленного металлографическо- го шлифа, а также при изучении структуры тонких пленок на просвет в электронном микроскопе.
Установлено, что дислокации притягивают в свою зону атомы примесей, которые осаждаются в виде цепочки вдоль края экстраплос- кости. Такие атомы снижают уровень упругих искажений дислокаци- онной структуры. Цепочки инородных атомов образуют так называе- мые атмосферы Коттрелла, или облака Коттрелла, которые с повыше- нием температуры рассеиваются. При понижении до температуры, со- ответствующей пределу растворимости, они могут образовывать дис- персные выделения второй фазы.
Теоретическая и фактическая прочность. Использование тео- рии дислокаций позволило объяснить большое расхождение между теоретической и фактической прочностью металлов. Теоретическая прочность должна быть пропорциональна произведению сил меж- атомной связи на число атомов в сечении кристалла.
Расчетное усилие для смещения одной части кристалла относи- тельно другой оказалось на 2–3 порядка выше фактически затрачива- емого при пластической деформации металла. Так, теоретическая прочность железа составляет около 13 000 МПа, а фактическая –
250 МПа. Такое расхождение объясняется тем, что деформация про- исходит не путем одновременного смещения целых атомных плоско- стей, а за счет постепенного перемещения дислокаций. Влияние дис- локаций на процесс пластической деформации на примере краевых дислокаций показано на рис. 1.7. Пластический сдвиг – это следствие постепенного перемещения дислокаций в плоскости сдвига. Распрост- ранение скольжения по плоскости скольжения происходит последо- вательно.
Каждый элементарный акт перемещения дислокации из одного положения в другое совершается путем разрыва лишь одной верти- кальной атомной плоскости. Для перемещения дислокаций требуется значительно меньшее усилие, чем для жесткого смещения одной ча- сти кристалла относительно другой в плоскости сдвига. При движе- нии дислокации вдоль направления сдвига через весь кристалл про- исходит смещение верхней и нижней его частей на одно межатомное расстояние. В результате перемещения дислокация выходит на по- верхность кристалла и исчезает. На поверхности остается ступенька скольжения.
12
Рис. 1.7. Движение краевой дислокации, приводящее к образованию ступеньки единичного сдвига на поверхности кристалла: а – схема расположения дислока- ций; б–д – этапы передвижения дислокации и выхода ее на поверхность;
– напряжение сдвига; М–М – плоскость сдвига
Дислокации легко перемещаются в направлении, перпендикуляр- ном экстраплоскости. Чем легче перемещаются дислокации, тем ниже прочность металла, тем легче идет пластическая деформация. Пла- стическая деформация кристаллических тел связана с количеством дислокаций, их шириной, подвижностью, степенью взаимодействия с дефектами решетки и т.д. Характер связи между атомами влияет на пластичность кристаллов.
Таким образом, причиной низкой прочности реальных металлов является наличие в их структуре дислокаций и других несовершенств кристаллического строения. Получение бездислокационных кристал- лов приводит к резкому повышению прочности материалов. Левая ветвь кривой на рис 1.8 соответствует созданию совершенных без- дислокационных нитевидных кристаллов (так называемых «усов»), прочность которых близка к теоретической.
При ограниченной плотности дислокаций и других искажений кристаллической решетки процесс сдвига происходит тем легче, чем больше дислокаций в объеме металла.
С ростом напряжений возрастает число источников, генерирую- щих дислокации в металле (источники Франка–Рида), и их плотность
13 увеличивается. Помимо параллельных дислокаций возникают дисло- кации в разных плоскостях и направлениях. Они воздействуют друг на друга, мешают друг другу перемещаться, происходит их аннигиля- ция (взаимное уничтожение) и т.д. С по- вышением плотности дислокаций их движение становится все более затруд- ненным, что требует увеличения прила- гаемой нагрузки для продолжения де- формации. В результате металл упрочня- ется, что соответствует правой ветви кривой на рис. 1.8.
Упрочнению способствуют и другие несовершенства кристаллического строе- ния, также тормозящие движение дисло- каций. К ним относятся атомы раство- ренных в металле примесей и легирую- щих элементов, частицы выделений вто- рой фазы, границы зерен или блоков и т.д. На практике препятствие движе- нию дислокаций, т.е. упрочнение, созда- ется введением других элементов (легированием), наклепом, терми- ческой или термомеханической обработкой. Снижение температуры также препятствует свободному перемещению дислокаций. При низ- ких температурах прочность растет, а пластичность падает, металл становится более прочным, но хрупким.
Таким образом, прочность металлов и сплавов может быть повы- шена двумя путями: 1) получением металлов с более близким к иде- альному строением кристаллической решетки, т.е. металлов, в которых отсутствуют дефекты кристаллического строения или же их число крайне мало; 2) наоборот, увеличением числа структурных несовер- шенств, препятствующих движению дислокаций.
Поверхностные дефекты имеют малую толщину и значитель- ные размеры в двух других измерениях. Обычно это места стыка двух разориентированных участков кристаллической решетки. Ими могут быть границы зерен, границы фрагментов внутри зерна, границы бло- ков внутри фрагментов. Соседние зерна по своему кристаллическому строению имеют неодинаковую пространственную ориентировку ре- шеток. Блоки повернуты по отношению друг к другу на угол от не- скольких секунд до нескольких минут, их размер
10–5
см. Фрагменты имеют угол разориентировки не более 5°. Если угловая разориенти-
Рис. 1.8. Влияние иска- жений кристаллической решетки на прочность кристаллов
14 ровка (θ) решеток соседних зерен меньше 5°, то такие границы назы- ваются малоугловыми (рис. 1.9).
Все границы фрагментов и блоков малоугловые. Граница между зернами представляет собой узкую переходную зону шириной 5-10 атомных расстояний. В граничной зоне кристаллическая решетка одного зерна переходит в кристаллическую решетку другого, наблюдается повышенное скопление дислокаций и концентрация примесей. Плоскости и направления скольжения в соседних зернах не сов- падают.
Скольжение первоначально разви- вается в наиболее благоприятно ориен- тированных зернах. Разная ориентиров- ка систем скольжения не позволяет дислокациям переходить в соседние зерна, и, достигнув границы зе- рен, они останавливаются. Напряжения от скопления дислокаций у границ одних зерен упруго распространяются через границы в сосед- ние зерна, приводя в них в действие источники образования новых дислокаций (источники Франка–Рида). Происходит передача дефор- мации от одних зерен к другим. Границы зерен препятствуют пере- мещению дислокаций и являются местом повышенной концентрации примесей, существенно влияя на механические свойства металла. Под размером зерна принято понимать величину его среднего диаметра, выявляемого в поперечном сечении. Это определение условно, так как действительная форма зерна в металлах меняется в широких пре- делах – от нескольких микрометров до миллиметров. Средний размер зерна оценивается по специальной стандартизованной 10-балльной шкале и характеризуется числом зерен, приходящихся на 1 мм
2
по- верхности шлифа, при увеличении в 100 раз.
Чем мельче зерно, тем выше предел текучести и прочность ме- талла. При измельчении зерна увеличиваются предел текучести, прочность и одновременно пластичность и вязкость металла. Послед- нее особенно важно для металлических изделий, работающих при низких температурах. Повышенная пластичность и вязкость обуслов- лены более однородным составом и строением мелкозернистого ме- талла, отсутствием в нем крупных скоплений, структурных несовер- шенств, способствующих образованию трещин. Помимо перечислен-
Рис. 1.9. Схема малоугловой границы
15 ных дефектов, в металле имеются макродефекты объемного характе- ра: поры, газовые пузыри, неметаллические включения, микротрещи- ны, снижающие его прочность.
2. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МЕТАЛЛОВ
2.1. Первичная кристаллизация металлов
Все вещества могут находиться в трех агрегатных состояниях: твердом, жидком, газообразном, переходы между которыми сопро- вождаются скачкообразными изменениями свободной энергии F.
Свободная энергия изменяет свою величину при изменении темпера- туры, плавлении, полиморфных превращениях и т.д.: F = U – TS, где
F – свободная энергия; U – полная внутренняя энергия системы; Т – температура; S – энтропия.
Согласно второму закону термодинамики всякая система стре- мится к минимальному значению свободной энергии. Любой само- произвольно текущий процесс идет только в том случае, если новое состояние более устойчиво, т.е. обладает меньшим запасом свободной энергии.
Условия кристаллизации. Переход из жидкого состояния в твердое, кристаллическое, называется кристаллизацией. Этот переход происходит при определенных температуре и давлении. При атмо- сферном давлении, характерном для большинства производственных процессов, основным параметром перехода является температура.
В газах отсутствует закономерность в расположении частиц, они движутся хаотически, причем газ стремится занять возможно больший объем. Твердые кристаллические тела имеют правильное строение, при котором атомы и ионы находятся в узлах кристаллических решеток (так называемый дальний порядок). В жидкостях определенная ориентиров- ка распространяется не на весь объем, а лишь на небольшое число ато- мов, образующих сравнительно устойчивые группировки, или флуктуа- ции (ближний порядок).
По мере увеличения температуры твердого тела растет подвиж- ность атомов в узлах решетки, амплитуда колебаний увеличивается и при достижении определенной температуры, называемой температу- рой плавления, закономерное расположение атомов нарушается, ре- шетка разрушается с образованием жидкой фазы. Температура плав- ления (°С) – важная константа: ртуть 38,9, олово 232, цинк 419, алю- миний 660, медь 1083, железо 1536 и т.д. до вольфрама – 3410 °С.
16
Вблизи температуры плавления существуют группировки атомов
(кластеры), в которых атомы расположены как в кристаллах. Эти группировки являются центрами кристаллизации или зародышами, из которых впоследствии растут кристаллы. При достижении темпера- туры плавления–затвердевания вновь образуется кристаллическая решетка и металл переходит в твердое состояние.
Термодинамические условия кристаллизации. Энергетическое состояние любой системы характеризуется определенным запасом внутренней энергии, которая складывается из энергии движения мо- лекул, атомов, электронов, внутриядерной энергии, энергии упругих искажений кристаллической решетки и других видов энергии.
Кристаллизация и плавление, как все самопроизвольно протека- ющие процессы, обусловлены тем, что новое состояние в конкретных условиях обладает меньшим запасом энергии. Металл затвердевает, если меньшей свободной энергией обладает твердое состояние, и пла- вится, если жидкое.
Изменение свободной энергии жидкого и твердого состояний при изменении температуры показано на рис. 2.1, а. С повышением тем- пературы величина свободной энергии обоих состояний уменьшается, но закон изменения свободной энергии различен для жидкого и твер- дого состояний вещества.
а) б)
Рис. 2.1. Влияние температуры на изменение энергии F (свободная энергия) жидкого и твердого металла (а); термические кривые охлаждения при кристал- лизации чистых металлов с разной скоростью (б)
17
Различают теоретическую и фактическую температуру кристал- лизации. При теоретической, или равновесной, температуре T
s
, когда
F
ж
= F
тв
, равновероятно существование металла как в жидком, так и в твердом состоянии. Реальная же кристаллизация начнется только то- гда, когда этот процесс будет термодинамически выгоден системе и сопровождаться уменьшением ее свободной энергии, для чего необ- ходимо некоторое переохлаждение. Температура, при которой прак- тически идет кристаллизация, называется фактической температурой кристаллизации Т
кр
. Разность между теоретической и фактической температурами называется степенью переохлаждения: ΔТ = T
s
–Т
кр
Чем больше степень переохлаждения ΔТ, тем больше разность сво- бодных энергий ΔF, тем интенсивнее будет идти кристаллизация.
Термические кривые, характеризующие процесс охлаждения с различными скоростями, приведены на рис. 2.1, б.
При медленном охлаждении, соответствующем кривой v
1
, сте- пень переохлаждения невелика и кристаллизация протекает при тем- пературе, близкой к равновесной. Горизонтальная площадка на тер- мической кривой объясняется выделением скрытой теплоты кристал- лизации, которая компенсирует отвод тепла. С ростом скорости охлаждения (кривые v
2
, v
3
) степень переохлаждения растет и процесс кристаллизации протекает при все более понижающейся температуре.
Кроме того, степень переохлаждения зависит от чистоты металла: чем чище металл, тем больше степень переохлаждения.
Как при затвердевании необходимо переохлаждение до фактиче- ской температуры кристаллизации, так и при плавлении происходит перегрев до достижения реальной температуры плавления.
Механизм процесса кристаллизации. Процесс кристаллизации состоит из двух элементарных процессов: зарождения центров кри- сталлизации и роста кристаллов из этих центров.
При температурах, близких к температуре затвердевания, в жид- ком металле существуют центры кристаллизации, в которых атомы расположены так же, как в твердых кристаллах. С увеличением сте- пени переохлаждения возрастает число центров кристаллизации, об- разующихся в единицу времени. Одновременно с ростом кристаллов в жидкой фазе образуются новые центры кристаллизации. Кристаллы растут до взаимного столкновения, этим объясняется неправильная форма зерен. Реальные твердые кристаллы неправильной формы называются кристаллитами.
Суммарная скорость кристаллизации зависит от хода обоих эле- ментарных процессов и определяется скоростью зарождения центров кристаллизации (С
З
) и скоростью роста кристаллов из этих центров
18
(С
Р
) (рис. 2.2) Величины С
З
и С
Р
зависят от степени переохлаждения.
При равновесной температуре T
S
= 0 С
З
= 0 и С
Р
= 0. С увеличением Т растет разность свободных энергий: ΔF =
F
ж
…F
тв
, и при достаточной подвижности атомов С
З
и С
Р
растут и достигают мак- симума. Последующее уменьшение С
З
и
С
Р
объясняется снижением подвижности атомов при снижении температуры, что затрудняет перестройку атомов из хаоти- ческого расположения в жидкости в кри- сталлическую решетку твердого тела.
При очень сильном переохлаждении С
З
и
С
Р
равны нулю и жидкость не кристалли- зуется, а превращается в аморфное тело.
Для реальных металлов, как правило, реализуются лишь восходящие ветви кривых С
З
и С
Р
и с ростом ΔТ увеличи- ваются скорости обоих процессов.
В настоящее время с использованием специальных технологий достигаются высокая скорость охлаждения (более 10 6
°С/с) и стекло- образное состояние металла, в котором металлы характеризуются особыми физико-механическими свойствами.
Зародышами кристаллизации могут быть флуктуации атомов ос- новного металла (гомогенные зародыши), примеси, различные твер- дые частицы (гетерогенные зародыши).
Изменение свободной энергии при гомогенном зарождении цен- тров кристаллизации включает затраты на возникновение зародыша и образование поверхности раздела. Для того чтобы зародыш обладал достаточной термодинамической и физической прочностью, он дол- жен достичь соответствующего критического размера r
к
. При r < r
к зародыши не образуются, потому что ΔF положительна и ее величина растет; когда размер зародыша r > r
к
, его роль в процессе кристалли- зации становится определяющей, поскольку в этот момент ΔF < 0, что означает начало самопроизвольного процесса кристаллизации.
От соотношения скоростей зарождения и развития зависит раз- мер зерен. При небольшом переохлаждении скорость роста велика, скорость зарождения сравнительно мала, в этом случае в объеме об- разуется сравнительно небольшое число крупных кристаллов. При увеличении ΔТ (при увеличении скорости охлаждения) скорость за- рождения возрастает, что приводит к образованию большого числа мелких кристаллов.
Рис. 2.2. Влияние степени переохлаждения на скоро- сти зарождения и роста кристаллов
19
Размер зерна определяется не только степенью переохлаждения.
Важную роль играют температура нагрева и разливки металла, его химический состав и особенно присутствие посторонних примесей. В реальных условиях самопроизвольное зарождение кристаллов в жид- ком металле затруднено. Источником образования зародышей служат различные твердые частицы – неметаллические, тугоплавкие включе- ния. Для измельчения зерна в металл специально вводят вещества, которые образуют тугоплавкие соединения (карбиды, карбонитриды титана, ванадия, ниобия).
2.2. Строение металлического слитка
Кристаллизация начинается от стенок формы. В направлении от- вода тепла, т.е. перпендикулярно к стенке формы, кристалл растет быстрее, чем в других направлениях. При этом образуются оси перво- го порядка. Одновременно на их ребрах зарождаются и растут пер- пендикулярные им оси второго порядка, затем третьего и т.д. В ре- зультате образуется разветвленный древовидный кристалл, называе- мый дендритом.
При затвердевании имеет место избирательная кристаллизация, т.е. в первую очередь затвердевает более чистый металл, а границы зерен более обогащены примесями, понижающими температуру плавления. Неоднородность химического соста- ва в пределах дендрита называется дендритной ликвацией. В большей степени, чем другие эле- менты, ликвации подвержены углерод, сера, фосфор. Зерна (дендриты), образующиеся в стальном слитке, могут иметь различную форму, размеры и ориентировку. Структура слитка спо- койной стали (рис. 2.3) состоит из трех зон: наружной мелкозернистой I, зоны столбчатых кристаллов II и зоны равноосных кристаллов III.
Наружная мелкозернистая зона состоит из не ориентированнных в пространстве мелких кри- сталлов. Ее образование обусловлено резким перепадом температур: жидкий металл – холод- ные стенки формы. Металл в этой зоне сильно переохлаждается, в нем образуется большое число центров кристаллизации, и он приобретает мелкозернистое строение. После образования корковой зоны условия теплоотвода меняются, температурный градиент в прилегающем слое
Рис. 2.3. Строе- ние слитка спокойной стали