Файл: Отчет по лабораторной работе 8 исследование эффекта холла в собственном полупроводнике.doc

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.12.2023

Просмотров: 53

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

КАФЕДРА ФИЗИКИ

ОТЧЕТ
ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № 8
«ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СОБСТВЕННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ »

ВЫПОЛНИЛ: МАЦЯС С.И.

ГРУППА: 0113

ФАКУЛЬТЕТ: ФРТ


Санкт-Петербург

2001

Цель работы: изучение действия магнитного поля на дви­жущиеся заряды при исследовании эффекта Холла; определе­ние постоянной Холла, концентрации, подвижностей и средних скоростей упорядоченного движения носителей заряда в собственном полупроводнике.

Приборы и принадлежности: измерительная установка с электромагнитом и датчиком Холла.

Исследуемые закономерности. Эффект Холла заключается в том, что в металлической или полупроводниковой пластинке с током I, помещенной в магнитное поле, перпендикулярное вектору плотности тока , между гранями пластины, парал­лельными направлениям тока и магнитного поля, возникает разность потенциалов

(1)

где — коэффициент (постоянная) Холла; В — индукция магнитного поля; d и h — ширина и толщина пластины соот­ветственно.

Эффект Холла объясняется отклонением под действием силы Лоренца носителей заряда Q, движущихся в магнит­ном поле со средней скоростью упорядоченного движения



В результате на одной из граней оказывается избыток за­рядов, а на другой (противоположной) — их недостаток, и возникает поперечное электрическое поле . Квазистационарнос распределение зарядов в поперечном направления будет достигнуто, когда действие на заряды электрической силы
уравновесит действие силы Лоренца, при этом



В электронных (или дырочных) полупроводниках или ме­таллах , где —элементарный заряд; — концен­трация основных носителей заряда ( для полупроводни­ков p-типа и для полупроводников n-типа; n и p — кон­центрации электронов и дырок соответственно), тогда



В результате, с учетом выражения (1), получаем



В собственных полупроводниках концентрации электронов и дырок равны: , здесь ,— собственная концентра­ция носителей заряда; ток складывается из электронной и дырочной составляющих:



где — средние скорости упорядоченного движения и подвижности электронов и дырок соответственно; - удельная электропроводность полупроводника, равная

(2)

здесь — отношение подвижностей электронов и дырок.

Тогда постоянная Холла для собственного полупроводника


(3)

Таким образом, определив постоянную Холла, можно найти концентрацию носителей заряда, а по знаку постоянной Холла — судить о принадлежности полупроводника к n-типу или к p-типу. Обычно в металлах и полупроводниках n-типа , а в полупроводниках p-типа . В собственном полупроводнике знак холловской разности потенциалов определяется знаком заряда носителей, имеющих большую подвижность. Обычно , и в собст­венном полупроводнике .

Измерив, кроме постоянной Холла , удельную электро­проводность , можно найти (при известном значении b) под­вижности - носителей заряда. Выражения для получаются из соотношении (2) и (3).

Методика эксперимента.

В данной работе исследуется эф­фект Холла в собственном полупроводнике. Измерения прово­дят в постоянном магнитном поле при постоянном токе в об­разце. Схема измерительной установки представлена на рис. 3.2, , а расположение электродов на пластинке полупро­водника (в датчике Холла) дано на рис. 3.2, . Заданное зна­чение силы тока и в датчике Холла устанавливают потенцио­метром . Электроды 2 и 3, расположенные на боковой по­верхности датчика на расстоянии друг от друга, служат для измерения напряжения , по величине которого определяют удельную электропроводность полупроводника


.




а)

б)

Рис. 3.2.

Холловскую разность потенциалов измеряют между электродами 1 и 2 датчика (положение « » переключателя SA3). Поскольку измеряемое напряжение может содержать добавочное паразитное напряжение, появляющееся при несимметричном расположении электродов 1 и 2, определение постоянной Холла в данной работе производят по наклону зависимости , снимаемой при противоположных правлениях вектора индукции B магнитного поля. Изменение направления вектора B осуществляют изменением направления тока в электромагните YA1 переключателем SA2. Силу тока регулируют потенциометром R1. Индукцию магнитного поля в зазоре электромагнита рассчитывают по формуле , где — коэффициент пропорциональности, указанный на панели установки.
Указания по выполнению наблюдений и обработке результатов


1. Потенциометры R1 и R2 вывести в крайнее левое поло­жение. Включить установку.

2. Установить силу тока в датчике Холла (значения указаны на панели установки). Снять зави­симость (8…10 точек), меняя ток от нуля до значения . В процессе измерений значение поддер­живать постоянным.

3. Повторить наблюдения по п. 2 для противоположного направления
.

4. Результаты измерений по пп. 2 и 3 занести в таблицу произвольной формы с учетом знаков и . Значения в положении « » переключателя SA2 считать положитель­ными, а в положении « » — отрицательными.

5. Измерить напряжение при силе тока в датчике Холла и = 0.

6. Занести в протокол наблюдений значения и другие необходимые сведения, в том числе сведения о при­борных погрешностях, указанные на панели установки и шка­лах измерительных приборов.

7. Вычислить и записать в таблицу значения B.

8. Провести обработку по метолу наименьших квадратов зависимости и определить параметры и аппроксимирующей зависимости , общей для поло­жительных и отрицательных значений В. По величине угло­вого коэффициента рассчитать среднее значение и до­верительную погрешность постоянной Холла (см. выра­жение (1)).

9. Рассчитать средние значения и доверительные погреш­ности: удельной электропроводности полупроводника , кон­центрации носителей заряда в собственном полупроводнике , подвижностей дырок