Файл: Отчет по лабораторной работе 8 исследование эффекта холла в собственном полупроводнике.doc
Добавлен: 04.12.2023
Просмотров: 154
Скачиваний: 1
уравновесит действие силы Лоренца, при этом
В электронных (или дырочных) полупроводниках или металлах
, где
—элементарный заряд;
— концентрация основных носителей заряда (
для полупроводников p-типа и
для полупроводников n-типа; n и p — концентрации электронов и дырок соответственно), тогда
В результате, с учетом выражения (1), получаем
В собственных полупроводниках концентрации электронов и дырок равны:
, здесь
,— собственная концентрация носителей заряда; ток складывается из электронной и дырочной составляющих:
где
— средние скорости упорядоченного движения и подвижности
электронов и дырок соответственно;
- удельная электропроводность полупроводника, равная
(2)
здесь
— отношение подвижностей электронов и дырок.
Тогда постоянная Холла для собственного полупроводника![]()
(3)
Таким образом, определив постоянную Холла, можно найти концентрацию носителей заряда, а по знаку постоянной Холла — судить о принадлежности полупроводника к n-типу или к p-типу. Обычно в металлах и полупроводниках n-типа
, а в полупроводниках p-типа
. В собственном полупроводнике знак холловской разности потенциалов определяется знаком заряда носителей, имеющих большую подвижность. Обычно
, и в собственном полупроводнике
.
Измерив, кроме постоянной Холла
, удельную электропроводность
, можно найти (при известном значении b) подвижности
- носителей заряда. Выражения для
получаются из соотношении (2) и (3).
Методика эксперимента.
В данной работе исследуется эффект Холла в собственном полупроводнике. Измерения проводят в постоянном магнитном поле при постоянном токе в образце. Схема измерительной установки представлена на рис. 3.2,
, а расположение электродов на пластинке полупроводника (в датчике Холла) дано на рис. 3.2,
. Заданное значение силы тока
и в датчике Холла устанавливают потенциометром
. Электроды 2 и 3, расположенные на боковой поверхности датчика на расстоянии
друг от друга, служат для измерения напряжения
, по величине которого определяют удельную электропроводность полупроводника![]()
.
а)
б)
Рис. 3.2.
Холловскую разность потенциалов
измеряют между электродами 1 и 2 датчика (положение «
» переключателя SA3). Поскольку измеряемое напряжение
может содержать добавочное паразитное напряжение, появляющееся при несимметричном расположении электродов 1 и 2, определение постоянной Холла в данной работе производят по наклону зависимости
, снимаемой при противоположных правлениях вектора индукции B магнитного поля. Изменение направления вектора B осуществляют изменением направления тока
в электромагните YA1 переключателем SA2. Силу тока
регулируют потенциометром R1. Индукцию магнитного поля в зазоре электромагнита рассчитывают по формуле
, где
— коэффициент пропорциональности, указанный на панели установки.
Указания по выполнению наблюдений и обработке результатов
1. Потенциометры R1 и R2 вывести в крайнее левое положение. Включить установку.2. Установить силу тока в датчике Холла (значения указаны на панели установки). Снять зависимость (8…10 точек), меняя ток от нуля до значения . В процессе измерений значение поддерживать постоянным.3. Повторить наблюдения по п. 2 для противоположного направления.4. Результаты измерений по пп. 2 и 3 занести в таблицу произвольной формы с учетом знаков и . Значения в положении « » переключателя SA2 считать положительными, а в положении « » — отрицательными.5. Измерить напряжение при силе тока в датчике Холла и = 0.6. Занести в протокол наблюдений значения и другие необходимые сведения, в том числе сведения о приборных погрешностях, указанные на панели установки и шкалах измерительных приборов.7. Вычислить и записать в таблицу значения B.8. Провести обработку по метолу наименьших квадратов зависимости и определить параметры и аппроксимирующей зависимости , общей для положительных и отрицательных значений В. По величине углового коэффициента рассчитать среднее значение и доверительную погрешность постоянной Холла (см. выражение (1)).9. Рассчитать средние значения и доверительные погрешности: удельной электропроводности полупроводника , концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике , подвижностей дырок