Файл: Отчет по лабораторной работе 8 исследование эффекта холла в собственном полупроводнике.doc
Добавлен: 04.12.2023
Просмотров: 53
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА ФИЗИКИ
ОТЧЕТ
ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № 8
«ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СОБСТВЕННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ »
ВЫПОЛНИЛ: МАЦЯС С.И.
ГРУППА: 0113
ФАКУЛЬТЕТ: ФРТ
Санкт-Петербург
2001
Цель работы: изучение действия магнитного поля на движущиеся заряды при исследовании эффекта Холла; определение постоянной Холла, концентрации, подвижностей и средних скоростей упорядоченного движения носителей заряда в собственном полупроводнике.
Приборы и принадлежности: измерительная установка с электромагнитом и датчиком Холла.
Исследуемые закономерности. Эффект Холла заключается в том, что в металлической или полупроводниковой пластинке с током I, помещенной в магнитное поле, перпендикулярное вектору плотности тока , между гранями пластины, параллельными направлениям тока и магнитного поля, возникает разность потенциалов
(1)
где — коэффициент (постоянная) Холла; В — индукция магнитного поля; d и h — ширина и толщина пластины соответственно.
Эффект Холла объясняется отклонением под действием силы Лоренца носителей заряда Q, движущихся в магнитном поле со средней скоростью упорядоченного движения
В результате на одной из граней оказывается избыток зарядов, а на другой (противоположной) — их недостаток, и возникает поперечное электрическое поле . Квазистационарнос распределение зарядов в поперечном направления будет достигнуто, когда действие на заряды электрической силы
уравновесит действие силы Лоренца, при этом
В электронных (или дырочных) полупроводниках или металлах , где —элементарный заряд; — концентрация основных носителей заряда ( для полупроводников p-типа и для полупроводников n-типа; n и p — концентрации электронов и дырок соответственно), тогда
В результате, с учетом выражения (1), получаем
В собственных полупроводниках концентрации электронов и дырок равны: , здесь ,— собственная концентрация носителей заряда; ток складывается из электронной и дырочной составляющих:
где — средние скорости упорядоченного движения и подвижности электронов и дырок соответственно; - удельная электропроводность полупроводника, равная
(2)
здесь — отношение подвижностей электронов и дырок.
Тогда постоянная Холла для собственного полупроводника
(3)
Таким образом, определив постоянную Холла, можно найти концентрацию носителей заряда, а по знаку постоянной Холла — судить о принадлежности полупроводника к n-типу или к p-типу. Обычно в металлах и полупроводниках n-типа , а в полупроводниках p-типа . В собственном полупроводнике знак холловской разности потенциалов определяется знаком заряда носителей, имеющих большую подвижность. Обычно , и в собственном полупроводнике .
Измерив, кроме постоянной Холла , удельную электропроводность , можно найти (при известном значении b) подвижности - носителей заряда. Выражения для получаются из соотношении (2) и (3).
Методика эксперимента.
В данной работе исследуется эффект Холла в собственном полупроводнике. Измерения проводят в постоянном магнитном поле при постоянном токе в образце. Схема измерительной установки представлена на рис. 3.2, , а расположение электродов на пластинке полупроводника (в датчике Холла) дано на рис. 3.2, . Заданное значение силы тока и в датчике Холла устанавливают потенциометром . Электроды 2 и 3, расположенные на боковой поверхности датчика на расстоянии друг от друга, служат для измерения напряжения , по величине которого определяют удельную электропроводность полупроводника
.
а)
б)
Рис. 3.2.
Холловскую разность потенциалов измеряют между электродами 1 и 2 датчика (положение « » переключателя SA3). Поскольку измеряемое напряжение может содержать добавочное паразитное напряжение, появляющееся при несимметричном расположении электродов 1 и 2, определение постоянной Холла в данной работе производят по наклону зависимости , снимаемой при противоположных правлениях вектора индукции B магнитного поля. Изменение направления вектора B осуществляют изменением направления тока в электромагните YA1 переключателем SA2. Силу тока регулируют потенциометром R1. Индукцию магнитного поля в зазоре электромагнита рассчитывают по формуле , где — коэффициент пропорциональности, указанный на панели установки.
Указания по выполнению наблюдений и обработке результатов
1. Потенциометры R1 и R2 вывести в крайнее левое положение. Включить установку.
2. Установить силу тока в датчике Холла (значения указаны на панели установки). Снять зависимость (8…10 точек), меняя ток от нуля до значения . В процессе измерений значение поддерживать постоянным.
3. Повторить наблюдения по п. 2 для противоположного направления
.
4. Результаты измерений по пп. 2 и 3 занести в таблицу произвольной формы с учетом знаков и . Значения в положении « » переключателя SA2 считать положительными, а в положении « » — отрицательными.
5. Измерить напряжение при силе тока в датчике Холла и = 0.
6. Занести в протокол наблюдений значения и другие необходимые сведения, в том числе сведения о приборных погрешностях, указанные на панели установки и шкалах измерительных приборов.
7. Вычислить и записать в таблицу значения B.
8. Провести обработку по метолу наименьших квадратов зависимости и определить параметры и аппроксимирующей зависимости , общей для положительных и отрицательных значений В. По величине углового коэффициента рассчитать среднее значение и доверительную погрешность постоянной Холла (см. выражение (1)).
9. Рассчитать средние значения и доверительные погрешности: удельной электропроводности полупроводника , концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике , подвижностей дырок