Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетноеобразовательное учреждение высшего образования«»Факультет Кафедра «»ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2по дисциплине «Электротехнические материалы и элементы электронной техники»Исследование свойств полупроводниковых материаловСтуденты группы Преподаватель2023Цель работы: ознакомится с основными свойствами полупроводниковых материалов, освоить методику исследования электропроводности полупроводников при изменении температуры, определить ширину зоны полупроводника.

• 
  Полупроводник – это вещества, которые могут сильно изменять свои свойства в широком интервале под действием небольших внешних воздействий (температур, давления, электрического и магнитного полей, освещения).
  
• 
  Уровень Ферми – некоторый условный уровень, соответствующий энергии Ферми системы фермионов; в частности, электронов твердого тела, играет роль химического потенциала для незаряженных частиц.
  
• 
  Собственные полупроводники – это полупроводники без примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника.
  
• 
  Примесные полупроводники – это полупроводник, электрические свойства которого определяются, в основном, примесями других химических элементов.
  
• 
  Основные носители заряда в полупроводниках – В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки.
  
• 
  Неосновные носители заряда в полупроводниках – это дырки в n-области и электроны в p-области. Их наличие вызвано диффузией.
  
• 
  Тензочувствительность – представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления полупроводника к относительной деформации в данном направлении.
  
• 
  Фотопроводимость – это электрическая проводимость, возбуждённая электромагнитным излучением за счёт обусловленного действием света перераспределением электронов по энергетическим уровням.
  

---

Таблица 1 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 4,7·10²³ м^-3

T, ℃	ρ·102 , Ом·м	T, ℃	ρ·102 , Ом·м
1000	10-4	250	0,5
750	10-2	225	0,6
700	1,0	150	0,8
400	0,5	125	1,0
280	0,3	100	1,2

Таблица 2 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 2,7·10²⁴ м^-3

T, ℃	ρ·102 , Ом·м	T, ℃	ρ·102 , Ом·м
750	0,10	180	0,06
400	0,05	150	0,07
280	0,03	125	0,08
250	0,04	100	0,09
225	0,05	90	0,10

---

Смотрите также файлы

• Жары .docx

• Кафедра сервиса, строительства и дизайна.pdf

• Воздействие промышленного предприятия на окружающую среду Виды загрязнений.pptx

• Физика пнінен блім бойынша жиынты баалауа арналан дістемелік сыныстар 10сынып.docx

• Программалау ойын алаында бірнеше костюмдермен жмыс істеуді йренеді. Сабаты барысы.docx