Файл: Лабораторная работа 2 по дисциплине Электротехнические материалы и элементы электронной техники Исследование свойств полупроводниковых материалов.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.12.2023

Просмотров: 48

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное
образовательное учреждение высшего образования
«»

Факультет

Кафедра «»

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

по дисциплине «Электротехнические материалы и элементы электронной техники»

Исследование свойств полупроводниковых материалов

Студенты группы

Преподаватель

2023

Цель работы: ознакомится с основными свойствами полупроводниковых материалов, освоить методику исследования электропроводности полупроводников при изменении температуры, определить ширину зоны полупроводника.


  • Полупроводник – это вещества, которые могут сильно изменять свои свойства в широком интервале под действием небольших внешних воздействий (температур, давления, электрического и магнитного полей, освещения).

  • Уровень Ферминекоторый условный уровень, соответствующий энергии Ферми системы фермионов; в частности, электронов твердого тела, играет роль химического потенциала для незаряженных частиц.

  • Собственные полупроводники – это полупроводники без примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника.

  • Примесные полупроводникиэто полупроводник, электрические свойства которого определяются, в основном, примесями других химических элементов.

  • Основные носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки.

  • Неосновные носители заряда в полупроводникахэто дырки в n-области и электроны в p-области. Их наличие вызвано диффузией.

  • Тензочувствительностьпредставляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления полупроводника к относительной деформации в данном направлении.

  • Фотопроводимостьэто электрическая проводимость, возбуждённая электромагнитным излучением за счёт обусловленного действием света перераспределением электронов по энергетическим уровням.



Таблица 1 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 4,7·1023 м-3

T, ℃

ρ·102 , Ом·м

T, ℃

ρ·102 , Ом·м

1000

10-4

250

0,5

750

10-2

225

0,6

700

1,0

150

0,8

400

0,5

125

1,0

280

0,3

100

1,2



Таблица 2 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 2,7·1024 м-3

T, ℃

ρ·102 , Ом·м

T, ℃

ρ·102 , Ом·м

750

0,10

180

0,06

400

0,05

150

0,07

280

0,03

125

0,08

250

0,04

100

0,09

225

0,05

90

0,10