1. Что такое диффузия? Самопроизвольное взаимное проникновение молекул одного вещества в промежутки между молекулами другого

2. Что такое инжекция носителей в полупроводнике? Движение носителей за счет разности концентраций

3. Что такое двойной электрический слой?

Двойной электрический слой — слой ионов, образующийся на поверхности твёрдого тела в результате адсорбции ионов из раствора, диссоциации поверхностного соединения или ориентирования полярных молекул на границе раздела фаз. Ионы, непосредственно связанные с поверхностью, называются потенциалопределяющими

4. Что такое электронная эмиссия?

Электронная эмиссия — явление испускания электронов из твёрдых тел или жидкостей.

5. Что не относится к электронной эмиссии?

Излагаются основные типы эмиссионных процессов: термоэлектронная эмиссия и эмиссия “горячих” электронов, фотоэлектронная эмиссия, вторичная электронная и ион-электронная эмиссии, автоэлектронная и взрывная эмиссии. Который нету в них не относится к электронной эмиссий

6. По какой траектории двигается электрон в магнитном поле?

Электроны в магнитном поле катушки описывают винтовые траектории, и проекции этих траекторий на плоскость, перпендикулярную магнитному полю, являются окружностью, если электроны имеют радиальную составляющую скорости.

7. Что такое ударная ионизация?

Уда́рная иониза́ция — физическое явление в полупроводниках, при котором увеличивается число ионов и электронов в промежутке за счет столкновения электронов с повышенной энергией с нейтральными молекулами. При каждом акте ионизации затрачивается некоторая энергия ионизации, значения которой зависят от типа молекул вещества.

8. Какова ширина запрещенной зоны у полупроводников?

Ширина запрещённой зоны

более

3 эВ — широко зонными полупроводниками. для возникновения электронно-дырочной пары не требуется энергия — поэтому концентрация носителей (а с ней и электропроводность вещества) оказывается отличной от нуля при сколь угодно низких температурах, как в металлах.

9. Какова электропроводность у полупроводников?

Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства.

---

10. По какому закону возрастает концентрация свободных электронов с увеличением температуры?

Уревень Ферми

11. Какова ширина запрещенной зоны у германия?

Ширина запрещенной зоны германия равна 0 665 эВ при 300 К и изменяется с температурой по закону АИ7 ( Т) ДИ / ( ЗООК) - ( Т - ЗООК) где / 3 - 3 9 10 - - 4 эВ / К.  [1]

При ширине запрещенной зоны германия 0 72 эв число собственных носителей тока в нем при комнатной температуре составляет величину порядка 1013 слг3, в то время как примеси, составляющие тысячную долю процента, но обладающие малой энергией активации ( w), вносят в него в десятки тысяч раз большее количество свободных зарядов. Поэтому для закономерного управления электропроводностью полупроводников с помощью вводимых примесей основной полупроводник должен быть предварительно тщательно очищен от случайных примесей. Это удается осуществить, вытягивая крупные монокристаллы полупроводника из расплава и подвергая их очистке методом перемещающейся зонной плавки и перекристаллизации.

12. Что такое генерация зарядов?

Генерация носителей заряда в полупроводниках - появление электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Генерация носителей заряда в полупроводниках происходит под действием теплового движения атомов кристаллич. решётки (тепловая генерация), а также внеш. факторов - освещения (оптич. генерация), облучения потоками частиц, сильных электрич. полей и др.

13. Что такое рекомбинация носителей заряда?

Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии.

14. Что определяет скорость рекомбинации носителей заряда?



15. От чего зависит удельная электропроводность полупроводника?

От чего сильно зависит удельная проводимость полупроводников? Ответ. Удельная проводимость полупроводников зависит от вида и количества содержащихся в них примесей и дефектов. Для них характерна чувствительность к свету, электрическому и магнитному полю, радиационному воздействию, давлению и др.

16. Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике п- типа?

Электроны в полупроводнике n-типа называют основными носителями, а дырки — неосновными, в полупроводнике p-типа соответственно наоборот.

---

17. За счет чего происходит диффузия носителей в полупроводнике?

ДИФФУ́ЗИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в по­лу­про­вод­ни­ках, пе­ре­ме­ще­ние но­си­те­лей за­ря­да (элек­тро­нов про­во­ди­мо­сти и ды­рок), обу­слов­лен­ное не­од­но­род­но­стя­ми их кон­цен­тра­ции. В ре­зуль­та­те Д. н. з. в по­лу­про­вод­ни­ках воз­ни­ка­ет элек­трич. ток (т. н. диф­фу­зи­он­ный ток) плот­но­стью j=eDn∇n−eDp∇p, где e – за­ряд элек­тро­на, n и p – кон­цен­тра­ции элек­тро­нов про­во­ди­мо­сти и ды­рок, Dn и Dp – их ко­эф. диф­фу­зии. Д. н. з. в по­лу­про­вод­ни­ках, об­ла­даю­щих но­си­те­ля­ми од­но­го зна­ка, со­про­во­ж­да­ет­ся по­яв­ле­ни­ем объ­ём­но­го за­ря­да и элек­трич. по­ля. В ре­зуль­та­те воз­ни­ка­ет дрейф но­си­те­лей за­ря­да

Всегда причиной диффузии является неодинаковость концентрации частиц, а сама диффузия совершается за счет собственной энергии теплового движения частиц.

18. Что такое диффузионная длина?

ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в полупроводниках (L), расстояние, на к-ром избыточная концентрация Δn неравновесных носителей заряда в процессе диффузии в отсутствие внеш. электрич. поля уменьшается вследствие рекомбинации в е раз (е — основание натурального логарифма).

19. За счет чего возникает дрейфовый ток в полупроводнике?

При помещении полупроводника в электрическое поле напряженностью Е на хаотическое движение носителей зарядов накладывается составляющая направленного движения. Направленное движение носителей зарядов в электрическом поле обусловливает появление тока, называемого дрейфовым или током проводимости.

20. В каком направлении перемещаются дырки через р-п переход за счет электрического поля?

Из n-области в p-область

21. За счет чего возникает диффузионный ток в полупроводнике?

Диффузионный ток вызывается неравномерным распределением носителей заряда в полупроводнике. Диффузионный ток возникает под воздействием таких факторов, как свет, радиация, градиент температуры.

22. Что такое эффект Пуля?

По мере увеличения напряженности электрического поля в полупроводнике происходят разные физические явления, которые зависят от его величины. В сильных полях, порядка 10⁵ В/м, происходит вырывание полем носителей заряда из связей и ударная ионизация атомов электронами - эффект Пуля (Пула-Френкеля). из книги 18 страница

23. Что такое эффект Зинера?

Электростатическая ионизация атомов

---

24. Что такое эффект Штарка?

Расщепление энергетических уровней

25. Что такое эффект Ганна?

явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока

26. При каких условиях напряженности электрического поля возникает эффект Зинера?

Е>10⁷

27. К каким эффектам относится эффект Холла?

К электрогальваническим

28. Какой эффект возникает в переходе Шоттки?

Эффект, электрическая пода

29. Что вызывает экстракцию основных носителей в р-п-р переходе?

30. Что такое эффект эрли?

Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения

31. Поле объемного заряда в области пространственного заряда в п-р переход образуется:

электрическое поле

32. Потенциальный барьер р-n перехода, это

33. Какой емкостью р-п перехода можно управлять величиной обратного напряжения?

Барьерной

34. Как выглядят диоды?

35. Какой вид имеет р-п переход у диода Шоттки?



36. Какому диапазону соответствует излучение с длиной волны 0,01...0,4 мкм?

Ультрафиолетовое излучение

37. Что такое внешний или внутренний фотоэффект?

 Явление испускания веществом электронов под действием излучения называют внешним фотоэффектом. Испускание веществом каких-либо частиц называют эмиссией. Поэтому внешний фотоэффект называют фотоэлектронной эмиссией

38. Что не относится к статическим параметрам диода?

Предельная частота

39. Что относится к динамическим параметрам диода?

Предельная частота

40. Укажите вольтамперную характеристику туннельного диода.



41. Укажите схему включения стабилитрона в параметрическом стабилизаторе напряжения.



42. Как изменяется барьерная емкость?

Уменьшается

43.Выберите в схеме включения транзистора минимальное выходное

сопротивление. С ОК

44. Чему равен параметры.

45. Укажите схему включения транзистора типа п-р-п с 03



46. Какому режиму соответствуют точки пересечения вольт амперных характеристики

фотодиода с осью ординат? Режим короткого замыкания

---

47. Увеличение толщины обеднённого слоя происходит вследствие: Барьерная емкость

48. В какой схеме включения с ОБ или ОЭ коэффициент прямой передачи тока

сильнее зависит от частоты? В схеме с ОЭ

49. В какой схеме включения транзистора минимальное выходное сопротивление? С ОК

50. В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока? В схеме с ОЭ и с ОК

51. Какой из транзисторов, дрейфовый или без дрейфовый, обладает лучшими

высокочастотными свойствами? рейфовый

52. На чем основано управление током в полевом транзисторе с управляющим

переходом? на изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения

53.Укажите какое напряжение возникает на фотодиоде в вентильном режиме его

работы? Плюс в p-области и минус в n-области

54. Чем объясняются лучшие высокочастотные свойства дрейфового

транзистора? Большей скоростью движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля

55. Какая из областей фототранзистора должна освещаться, чтобы изменялся ток через фототранзистор? Только при освещении базы, т. к. база является «ловушкой» для носителей;

56. Какое свойство р-n перехода положено в основу работы стабилитрона? Лавинный пробой

57. Как происходит управление моментом переключения тиристора? С помощью введения носителей в базовые области

58. Зависит ли сечение канала от величины напряжения Uзи полевого

транзистора? Зависит, т. к. падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину

59. Что такое вентильный режим фотодиода? Режим освещенного фотодиода без источника напряжения во внешней цепи

60. Укажите условное обозначение однопереходного транзистора.

61. Укажите определение крутизны сток затворной характеристики полевого транзистора.



62.Укажите условное обозначение полевого транзистора с изолированным затвором и п-типа.

---

Смотрите также файлы

• Задача создания эффективного процесса вентилирования решается экономическими и прогрессивными производственными способами. Устраиваются комбинированные системы вентиляции для промышленных предприятий с использованием аэрации,.docx

• Мектеп А. Байтрсынлы атындаы лингвистикалымектеп гимназиясы Кні 03. 2023.docx

• Лабораторная работа Проблемы управления электронным бизнесом и электронной коммерцией.docx

• Механические колебания и волны.docx

• Курсовая работа по русскому языку (рекомендации по написанию).rtf