Файл: Исследование характеристик варисторов и фоторезисторов.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 12.12.2023
Просмотров: 46
Скачиваний: 3
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра Электронных приборов и устройств
отчет
по лабораторной работе №3
по дисциплине «Компоненты электронной техники»
Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАРИСТОРОВ и фоторезисторов
| Студенты гр. 1207 | | Бачевский И.М. |
| | | Тарасов А.A. |
| Преподаватель | | Грязнов А.Ю. |
Санкт-Петербург
2023
Цель работы: исследование характеристик варисторов и фоторезисторов.
Основные теоретические положения:
Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения.
Схема измерений:
Рисунок 3.2 – схема косвенного измерения ВАХ
Экспериментальные результаты:
Таблица 1. Исследование вольтамперной характеристики варистора S10K11.
| Напряжение U, B | 0 | 8 | 16 | 18,9 | 20,2 | 20,8 | 21,3 | 21,8 |
| Напряжение Uб, мВ | 0 | 0 | 0 | 1 | 5 | 10 | 20 | 40 |
| Ток I, мА | 0 | 0 | 0 | 0,4762 | 2,381 | 4,7619 | 9,5238 | 19,048 |
Таблица 2. Исследование вольтамперной характеристики варистора CTI1206M6G.
| напряжение U, B | 0 | 4 | 8 | 12,23 | 13,1 | 13,66 | 14,02 | 14,7 |
| Напряжение Uб, мВ | 0 | 0 | 0 | 1 | 5 | 10 | 15 | 30 |
| Ток I, мА | 0 | 0 | 0 | 0,4762 | 2,381 | 4,7619 | 7,1429 | 14,286 |
График 1. Вольтамперные характеристики для варисторов S10K11 и CTI1206M6G.
| Освещенность, % | 0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 |
| Теор. отн. | 1 | | 0,65 | | 0,4 | | 0,25 | | 0,15 | | 0,1 |
| сопротивление, у.е. | | | | | | | | | | | |
| Сопротивление, кОм | 350 | 251 | 100 | 57 | 42 | 27 | 12 | 10 | 6,3 | 4,8 | 3,5 |
| Эксп. отн. | 1 | 0,72 | 0,29 | 0,16 | 0,12 | 0,08 | 0,034 | 0,028 | 0,018 | 0,014 | 0,01 |
| сопротивление, у.е. | | | | | | | | | | | |
Таблица 3. Исследование функциональной зависимости сопротивления фоторезистора.
График 2. Функциональная зависимость сопротивления фоторезистора.
Таблица 4. Исследование спектральной зависимости проводимости фоторезистора.
| Длина волны, нм. | 400 | 425 | 450 | 475 | 500 | 525 | 550 | 575 | 600 | 625 | 650 | 675 | 700 |
| Теор. отн. | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,62 | 0,75 | 0,9 | 1 | 0,8 | 0,75 | 0,6 | 0,45 | 0,3 | 0,2 |
| проводимость, у.е. | |||||||||||||
| Сопротивление, кОм | 5,9 | 5,2 | 5,2 | 3,3 | 2,6 | 2,1 | 1,5 | 1,7 | 1,9 | 2,4 | 3,4 | 4,7 | 5,6 |
| Эксп. отн. | 1 | 0,88 | 0,88 | 0,56 | 0,44 | 0,35 | 0,25 | 0,28 | 0,32 | 0,41 | 0,58 | 0,8 | 0,95 |
| проводимость, у.е. |
График 3. Спектральная зависимость проводимости фоторезистора.
Вывод: В ходе лабораторной работы были исследованы вольтамперные характеристики варисторов S10K11 и CTI1206M6G. Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения, что видно на Графике 1. Графики обоих варисторов соответствуют теории, то есть оба симметричны относительно начала осей координат.
Судя по графику функциональной зависимости сопротивления фоторезистора, исследованные характеристики зависимости сопротивления от освещенности примерно соответствуют теоретическим только до 10-20% освещенности. Далее на Графике 2 наблюдается существенное отклонение от теории. Скорее всего вызвано недостаточной яркостью дисплея мобильного устройства, используемого во время лабораторной работы.
По графику спектральной зависимости сопротивления фоторезистора от длины волны видно, что оба графика довольны схожи, но экспериментальные значения имеют небольшие отклонения от теоретических. Отклонения также вызваны мобильным устройством.