Файл: Исследование характеристик варисторов и фоторезисторов.docx

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 12.12.2023

Просмотров: 194

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
МИНОБРНАУКИ РОССИИСанкт-Петербургский государственныйэлектротехнический университет«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)Кафедра Электронных приборов и устройствотчетпо лабораторной работе№3по дисциплине «Компоненты электронной техники»Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАРИСТОРОВ и фоторезисторов

Студенты гр. 1207



Бачевский И.М.







Тарасов А.A.

Преподаватель



Грязнов А.Ю.
Санкт-Петербург2023Цель работы:исследование характеристик варисторов и фоторезисторов.Основные теоретические положения:Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения.Схема измерений:Рисунок 3.2 – схема косвенного измерения ВАХ Экспериментальные результаты: Таблица 1. Исследование вольтамперной характеристики варистора S10K11.

Напряжение U, B
0
8
16
18,9
20,2
20,8
21,3
21,8

Напряжение Uб, мВ
0
0
0
1
5
10
20
40

Ток I, мА
0
0
0
0,4762
2,381
4,7619
9,5238
19,048
Таблица 2. Исследование вольтамперной характеристики варистора CTI1206M6G.

напряжение U, B
0
4
8
12,23
13,1
13,66
14,02
14,7

Напряжение Uб, мВ
0
0
0
1
5
10
15
30

Ток I, мА
0
0
0
0,4762
2,381
4,7619
7,1429
14,286
График 1. Вольтамперные характеристики для варисторов S10K11 и CTI1206M6G.

Освещенность, %
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Теор. отн.
1
 
0,65
 
0,4
 
0,25
 
0,15
 
0,1

сопротивление, у.е.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Сопротивление, кОм
350
251
100
57
42
27
12
10
6,3
4,8
3,5

Эксп. отн.
1
0,72
0,29
0,16
0,12
0,08
0,034
0,028
0,018
0,014
0,01

сопротивление, у.е.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Таблица 3. Исследование функциональной зависимости сопротивления фоторезистора.График 2. Функциональная зависимость сопротивления фоторезистора.Таблица 4. Исследование спектральной зависимости проводимости фоторезистора.

Длина волны, нм.
400
425
450
475
500
525
550
575
600
625
650
675
700

Теор. отн.
0,3
0,4
0,5
0,62
0,75
0,9
1
0,8
0,75
0,6
0,45
0,3
0,2

проводимость, у.е.

Сопротивление, кОм
5,9
5,2
5,2
3,3
2,6
2,1
1,5
1,7
1,9
2,4
3,4
4,7
5,6

Эксп. отн.
1
0,88
0,88
0,56
0,44
0,35
0,25
0,28
0,32
0,41
0,58
0,8
0,95

проводимость, у.е.
График 3. Спектральная зависимость проводимости фоторезистора.Вывод: В ходе лабораторной работы были исследованы вольтамперные характеристики варисторов S10K11 и CTI1206M6G. Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения, что видно на Графике 1. Графики обоих варисторов соответствуют теории, то есть оба симметричны относительно начала осей координат.Судя по графику функциональной зависимости сопротивления фоторезистора, исследованные характеристики зависимости сопротивления от освещенности примерно соответствуют теоретическим только до 10-20% освещенности. Далее на Графике 2 наблюдается существенное отклонение от теории. Скорее всего вызвано недостаточной яркостью дисплея мобильного устройства, используемого во время лабораторной работы.По графику спектральной зависимости сопротивления фоторезистора от длины волны видно, что оба графика довольны схожи, но экспериментальные значения имеют небольшие отклонения от теоретических. Отклонения также вызваны мобильным устройством.

Смотрите также файлы