ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.01.2024
Просмотров: 49
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Рентгеновская литогафия является высокоразрешающим способом формирования заданного рельефа или топологии с помощью рентгеновского излучения (пучка). В рентгеновской литографии для экспонирования используется мягкое (низкоэнергетическое) рентгеновское излучение (с энергией фотонов -0,5—10 кэВ), при поглощении которого в слое резиста образуются фотоэлектроны низкой энергии, вызывающие, в свою очередь, в зависимости от типа используемого резиста образование или разрыв межмолекулярных связей.Рентгенолитография — практически то же, что и фотолитография с зазором, но она расширена на область очень коротких длин волн порядка 1 нм. В этом диапазоне длин волн рентгеновские лучи переносят рисунок с шаблона на ренггенорезист методом теневой проекции.Шаблоны для рентгеновской литографии (РШ) имеют сложную структуру. Основная проблема состоит в изготовлении тонкой, но прочной основы, прозрачной для ренгеновского излучения. Для этих целей используются органические и неорганические мембраны. Органические мембраны изготавливаются на основе мулара, каптона, пиолена и полиимида, неорганические — из кремния, диоксида и карбида кремния и других материалов. Материал пленочного рисунка на шаблоне, наоборот, должен быть непрозрачен для рентгеновских лучей. В качестве такого материала используют золото.На рисунке (позиция 7) показан рентгеношаблон на основе кремниевой мембраны с поглощающим рисунком из золота. При изготовлении такого рентгеношаблона в качестве исходной пластины берут пластину сильнолегированного кремния (fl+-Si), который сильно поглощает рентгеновские лучи. На ней выращивается высокоомный эпитаксиальный слой п-Si толщиной —3—5 мкм. Затем структуру оксидируют, в результате чего с обеих ее сторон образуется слой Si02. На него со стороны эпитаксиального кремния наносят сначала тонкий слой хрома (-5—10 нм), а затем слой золота (0,3—0,5 мкм). Хром наносят для улучшения адгезии золота к слою Si02. После этого с помощью электронолитографии из слоя золота формируют необходимый рисунок рентгеношаблона. Затем проводят локальное травление rC-Si в соответствии с этим рисунком.Главные трудности при эксплуатации такого шаблона связаны с его термостабильностью, так как нагрев шаблона экспонирующим излучением приводит к изменению параметров элементов в плане и ошибкам совмещения.
Источник электронов и мишень находятся в вакуумной камере. При облучении мишени потоком электронов образуется мягкое рентгеновское излучение с энергией фотонов -0,5—10 кэВ, которое, проходя через рентгеношаблон, облучает рентгенорезист, нанесенный на подложку. Далее процесс рентгеновской литографии проводят аналогично процессу фотолитографии.Качественная печать обеспечивается при наличии четырех составляющих:
Несмотря на очевидные трудности работы с МР-излучением, оно все чаще применяется в научных исследованиях, технике и технологии. Причиназаключается в особенности взаимодействия МР-излучения с веществом.Во-первых, энергия МР-фотонов совпадает с энергией колебаний внутренних атомных электронов, благодаря чему рентгеновская спектроскопия представляет собой важный метод изучения строения вещества.Во-вторых, в МР-диапазоне лежит максимум излучения горячей плазмы с температурой 50–1000 эВ, поэтому МР-излучение служит наиболееестественным источником информации о физических процессах, протекающих в таких объектах, как термоядерная плазма, Солнце, горячие звезды и т. п.В-третьих, по сравнению с оптическим, МР-излучение обладает чрезвычайно малой проникающей способностью, поэтому оно используетсядля микроскопических исследований тонких пленок и приповерхностных слоев твердых тел.И, наконец, в последние годы активно ведутся работы по рентгенолитографии, призванной в будущем по мере миниатюризации микросхем заменить фотолитографию, являющуюся в данный момент ключевой технологией при производстве элементов микроэлектроники, оптики и микрооптики, микромеханики.
Источник электронов и мишень находятся в вакуумной камере. При облучении мишени потоком электронов образуется мягкое рентгеновское излучение с энергией фотонов -0,5—10 кэВ, которое, проходя через рентгеношаблон, облучает рентгенорезист, нанесенный на подложку. Далее процесс рентгеновской литографии проводят аналогично процессу фотолитографии.Качественная печать обеспечивается при наличии четырех составляющих:
-
1) высокоинтенсивного коллимированного источника; -
2) совмещения шаблона с подложкой с заданной точностью; -
3) прецизионного контроля зазора; -
4) недорогого мембранного или трафаретного шаблона.
Несмотря на очевидные трудности работы с МР-излучением, оно все чаще применяется в научных исследованиях, технике и технологии. Причиназаключается в особенности взаимодействия МР-излучения с веществом.Во-первых, энергия МР-фотонов совпадает с энергией колебаний внутренних атомных электронов, благодаря чему рентгеновская спектроскопия представляет собой важный метод изучения строения вещества.Во-вторых, в МР-диапазоне лежит максимум излучения горячей плазмы с температурой 50–1000 эВ, поэтому МР-излучение служит наиболееестественным источником информации о физических процессах, протекающих в таких объектах, как термоядерная плазма, Солнце, горячие звезды и т. п.В-третьих, по сравнению с оптическим, МР-излучение обладает чрезвычайно малой проникающей способностью, поэтому оно используетсядля микроскопических исследований тонких пленок и приповерхностных слоев твердых тел.И, наконец, в последние годы активно ведутся работы по рентгенолитографии, призванной в будущем по мере миниатюризации микросхем заменить фотолитографию, являющуюся в данный момент ключевой технологией при производстве элементов микроэлектроники, оптики и микрооптики, микромеханики.