Файл: Методические указания для проведения практического занятия по физике.doc

3 Включить нагрев печи и провести измерения электросопротивления полупроводника и металла при температуре от 20 С до 120 С через 5 С. Для переключения образцов пользоваться перекидным электрическим ключом. Данные занести в табл. 1.1.

Таблица 1.1 Влияние температуры на электрическое сопротивление кристаллических тел

t, oC		20	30	40	50	60	70	80	90	100	110	120
R, Ом	Металл
	Полу-проводник

3. 
   По результатам измерений построить графики изменения электрического сопротивления кристаллических материалов от температуры.
   

Содержание отчета

1. 
   Название и цель работы.
   
2. 
   Тип приборов и характеристики используемых кристаллических материалов.
   
3. 
   Метод измерения сопротивления, схема установки.
   
4. 
   Таблица экспериментальных данных и график зависимости R = f (t).
   

Контрольные вопросы

1. 
   Образование энергетических зон. Валентная, запрещенная и зона проводимости.
   
2. 
   Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников.
   
3. 
   Примесные уровни в полупроводниках Доноры, акцепторы, собственные полупроводники.
   
4. 
   Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике. Уровень Ферми.
   
5. 
   Основные и неосновные, равновесные и неравновесные носители.
   
6. 
   Закон действующих масс.
   
7. 
   Сильнолегированные полупроводники.
   

Литература

1. Епифанов Г.И, Мома Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. М.: Советское радио, 1979, с. 142-171.

---

2. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам /Под ред. К.В. Шалимовой. М.: Высшая школа, 1968, с. 5-19.

---