ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 07.04.2025
Просмотров: 284
Скачиваний: 2
|
|
(1.17) |
|
|
|
|
Рис. 1.6. Температурная зависимость Eg для кремния |
|
,
Значения
близки к единице,
- температурный коэффициент изменения
ширины запрещенной зоны.
<0
для большинства полупроводников.
Значения
,
и
для основных полупроводников, применяемых
в микроэлектронике приведены в табл.
1.1.
Таблица 1.1.
Значение Eg
и
для некоторых полупроводников
|
Полупроводники |
Ge |
Si |
GaAs |
|
Eg(T=300K), эВ |
0,66 |
1,11 |
1,43 |
|
|
0,74 |
1,166 |
1,52 |
|
|
-2,4·10-4 |
-3,9·10-4 |
-4,3·10-4 |
(T=0K),
эВ
,
эВ·К-1
Для
свободного электрона мы записывали
=
.Отличие
свободного электрона, от электрона,
находящегося в кристалле в его эффективной
массе,
определяемой как:
|
|
(1.21) |
.Вторая производная характеризует степень крутизны зависимости E(k), чем круче эта зависимость, тем меньше масса электрона. Эффективная масса электрона в кристалле зависит от его энергии и является характеристикой материала.
|
Вставить рис. с разными m
|
|
Рис. 1.7 |