ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 08.04.2025
Просмотров: 106
Скачиваний: 0
Пренебрегая
значением
и подставляя в (8.10) значение Ucи
для экстремальной точки, можно получить
для пологой области ВАХ:
|
|
(8.11) |
.т.е. ток стока насыщения будет максимальным при Uз = 0.
|
|
(8.12) |
.где
Iс max ≈ Uотс / (3
),
зависимость
является передаточной характеристикой
ПТУП и представлена на рис. 10.
Усилительные свойства полевого транзистора принято характеризовать крутизной δ:
|
|
(8.13) |
.С ростом напряжения затвора крутизна для полевого транзистора с управляющим pn-переходом падает.
Рассмотрим
влияние температуры на параметры
транзистора с управляющим переходом.
Изменение ВАХ ПТУП с температурой
определяется температурной зависимость
начальной проводимости канала. Rк0
и, соответственно, максимального тока
Icmax,
а также напряжения отсечки U
,
эти значения влияют как на вид ВАХ, так
и на величину крутизны.
Изменение
с температурой Rк0 определяется
температурной зависимостью
электропроводности материала канала,
т.е. температурными зависимостями
концентрации основных носителей заряда
и подвижности. На изменение напряжения
отсечки, в основном, влияет изменение
контактной разности потенциалов. Из
уравнения (8.2)
|
∂Uoтс/∂T = - ∂φк/∂T, |
(8.14) |
С увеличением температуры контактная разность потенциалов линейно уменьшается, следовательно, с ростом температуры напряжение отсечки будет возрастать.
В настоящее время разработаны ПТУП на основе GaAs, SiC, Ge, однако наибольшее распространение получили приборы на основе Si. Существует большое количество вариантов технологического и конструктивного выполнения ПТУП, отличающихся диапазоном рабочих температур, требуемыми частотными характеристиками, величиной крутизны передаточной характеристики, диапазоном рабочих токов и напряжений, возможностью изготовления интегральных схем. Хотелось бы отметить ПТУП на основе барьера Шоттки, не требующего pn-перехода. Важным достоинством ПТУП является малый уровень собственных шумов и высокая стабильность параметров во времени. Причина этих достоинств в том, что канал в ПТУП отделен от поверхности pn-переходом, благодаря чему на границе канала с ОПЗ отсутствуют поверхностные дефекты. Следует подчеркнуть также высокую радиационную стойкость ПТУП.
|
|
|
Рис. 11. Конструкции полевых транзисторов с управляющим рn-переходом; изготовленного методом двойной диффузии (а); по планарной эпитаксиально-диффузионной технологии (б); с электростатическмм и приповерхностным затвором (в); конструкция полевого транзистора с барьером Шоттки (г) |
