ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 08.04.2025
Просмотров: 240
Скачиваний: 0
|
(17) |
Это выражение описывает передаточную характеристику для МДП–транзистора (см. рис. 8.7, б).
Используя (8.23), получим выражение для определения крутизны характеристики:
|
(18) |
8.2.2 Схемы включения мдп-транзистора
Практическое применение получили схемы включения полевых транзисторов с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
|
Рис. 10 Включение МДП-транзистор по схеме с общим истоком (а), с общим стоком (б) и с общим затвором (в) |
К преимуществам МДП-транзисторов по сравнению с биполярными можно отнести:
- высокое входное сопротивление, которое определяется только сопротивлением утечки диэлектрика и достигает 1012-1015 Ом по постоянному току;
- низкий уровень шумов, что объясняется малым вкладом рекомбинационных процессов, ток как в переносе тока в полевых транзисторах в отличие от биполярных участвуют только основные носители;
- относительная простота изготовления.
